【技术实现步骤摘要】
本申请要求享有于2014年2月24日提出的美国临时申请第61/943628号和于2015年2月23日提出的美国申请第14/628411号的权益，为所有目的通过引用将该申请结合在此，如同在此全部阐述一样。
本文涉及一种在同一基板上具有两种不同类型的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板及利用这种薄膜晶体管基板的显示装置。
技术介绍
如今随着信息化社会的发展，针对用以显示信息的显示装置的要求也在增加。因此，开发了各种平板显示装置(或者“FPD”)来克服阴极射线管(或者“CRT”)的许多缺陷，例如重量重和体积大。平板显示装置包括液晶显示装置(或者“LCD”)、等离子显示面板(或者“PDP”)、有机发光显示装置(或者“OLED”)以及电泳显示装置(或者“ED”)。平板显示装置的显示面板可以包括薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板具有以矩阵方式排列的各像素区域内分配的薄膜晶体管。例如，液晶显示装置(或者“LCD”)通过利用电场来控制液晶层的光透射率而呈现视频数据。有机发光...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管基板，包括：基板；第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管设置在所述基板上并且包括多晶半导体层、所述多晶半导体层上方的第一栅极电极、第一源极电极和第一漏极电极；第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管设置在所述基板上并且包括第二栅极电极、所述第二栅极电极上的氧化物半导体层、第二源极电极和第二漏极电极；中间绝缘层，所述中间绝缘层包括氮化物层并且设置在所述第一栅极电极上；和氧化物层，所述氧化物层覆盖所述第二栅极电极并且设置在所述中间绝缘层上，其中所述氧化物半导体层设置在所述氧化物层上并且与所述第二栅极电极重叠，其中所述第一源极电极、所述第一漏极电极和所述第二栅极电极设置于所述...
【技术特征摘要】
2014.02.24 US 61/943,628;2015.02.23 US 14/628，4111.一种薄膜晶体管基板，包括：
基板；
第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管设置在所述基板上并且包括多晶半
导体层、所述多晶半导体层上方的第一栅极电极、第一源极电极和第一漏极电
极；
第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管设置在所述基板上并且包括第二栅
极电极、所述第二栅极电极上的氧化物半导体层、第二源极电极和第二漏极电
极；
中间绝缘层，所述中间绝缘层包括氮化物层并且设置在所述第一栅极电极
上；和
氧化物层，所述氧化物层覆盖所述第二栅极电极并且设置在所述中间绝缘
层上，
其中所述氧化物半导体层设置在所述氧化物层上并且与所述第二栅极电
极重叠，
其中所述第一源极电极、所述第一漏极电极和所述第二栅极电极设置于所
述中间绝缘层与所述氧化物层之间，并且
其中所述第二源极电极和所述第二漏极电极设置在所述氧化物半导体层
上。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，还包括栅极绝缘层，所述栅
极绝缘层覆盖所述多晶半导体层，其中所述第一栅极电极设置在所述栅极绝缘
层上并且与所述多晶半导体层重叠。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其中所述第一源极电极通过
贯通所述中间绝缘层和所述栅极绝缘层的源极接触孔而连接至所述多晶半导
体层的一个部分，
其中所述第一漏极电极通过贯通所述中间绝缘层和所述栅极绝缘层的漏
极接触孔而连接至所述多晶半导体层的另一个部分，
其中所述第二源极电极接触所述氧化物半导体层的一个部分，并且
其中所述第二漏极电极接触所述氧化物半导体层的另一个部分。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其中所述第一源极电极和所
述第一漏极电极包括与所述第二栅极电极相同的材料。
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管基板，其中所述第二栅极电极通过
贯通所述中间绝缘层的栅极接触孔而连接至栅极线，所述栅极线包括与所述第
一栅极电极相同的材料。
6.根据权利要求4所述的薄膜晶体管基板，其中所述第二源极电极通过
数据接触孔而连接至数据线，所述数据线包括与所述第二栅极电极相同的材
料。
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【专利技术属性】
技术研发人员：赵圣弼，金容一，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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