【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种TFT基板的制作方法及其结构。
技术介绍
OLED(Organic Light-Emitting Diode)即有机发光二极管,具备自发光、高亮度、宽视角、高对比度、可挠曲、低能耗等特性,因此受到广泛的关注,并作为新一代的显示方式,已开始逐渐取代传统液晶显示器,被广泛应用在手机屏幕、电脑显示器、全彩电视等。OLED按照驱动类型可分为无源OLED(PMOLED,Passive matrix OLED)和有源OLED(AMOLED,Active-matrix OLED)。AMOLED常使用氧化物半导体型背板,其结构与低温多晶硅(LTPS,Low Temperature Poly-silicon)型背板相比更为简单。请参阅图1,为一种现有的应用于AMOLED的TFT(薄膜晶体管,Thin Film Transistor)基板结构的剖面示意图,包括基板100、设于所述基板100上的第一栅极210、及第二栅极220、设于所述第一栅极210、第二栅极220、及基板100上的栅极绝缘层300、位于所述第一栅极210上方设于所述栅极绝缘层300上的第一半导体层410、位于所述第二栅极220上方设于所述栅极绝缘层300上的第二半导体层420、设于所述第一半导体层410、第二半导体层420、及栅极绝缘层300上的蚀刻阻挡层500、位于所述第一栅极210上方设于所述蚀刻阻挡层500上的第一源极610、及 ...
【技术保护点】
一种TFT基板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1、提供基板(1),所述基板(1)上设有TFT区域与非TFT区域,在所述基板(1)上沉积第一金属层,并通过第一道光刻制程图案化所述第一金属层,得到间隔设置的第一栅极(21)与第二栅极(22);步骤2、在所述第一栅极(21)、第二栅极(22)、及基板(1)上依次沉积栅极绝缘层(3)、半导体层(4)、及蚀刻阻挡层(5);步骤3、通过第二道光刻制程对所述栅极绝缘层(3)、半导体层(4)、及蚀刻阻挡层(5)进行图案化处理,在所述蚀刻阻挡层(5)上对应于所述第一栅极(21)的上方形成第一接触孔(51)与第二接触孔(52),对应于所述第二栅极(22)的上方形成第三接触孔(53)与第四接触孔(54);在所述蚀刻阻挡层(5)、半导体层(4)、及栅极绝缘层(3)上对应于所述第二栅极(22)上方靠近第一栅极(21)的一侧形成第五接触孔(55);所述第一接触孔(51)、第二接触孔(52)、第三接触孔(53)、第四接触孔(54)、及第五接触孔(55)均为通孔;步骤4、在所述蚀刻阻挡层(5)上沉积第二金属层,通过第三道光刻制程图案化该第二金属层,得到间隔设 ...
【技术特征摘要】
1.一种TFT基板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1、提供基板(1),所述基板(1)上设有TFT区域与非TFT区域,在
所述基板(1)上沉积第一金属层,并通过第一道光刻制程图案化所述第一金
属层,得到间隔设置的第一栅极(21)与第二栅极(22);
步骤2、在所述第一栅极(21)、第二栅极(22)、及基板(1)上依次沉积
栅极绝缘层(3)、半导体层(4)、及蚀刻阻挡层(5);
步骤3、通过第二道光刻制程对所述栅极绝缘层(3)、半导体层(4)、及
蚀刻阻挡层(5)进行图案化处理,在所述蚀刻阻挡层(5)上对应于所述第一
栅极(21)的上方形成第一接触孔(51)与第二接触孔(52),对应于所述第
二栅极(22)的上方形成第三接触孔(53)与第四接触孔(54);在所述蚀刻
阻挡层(5)、半导体层(4)、及栅极绝缘层(3)上对应于所述第二栅极(22)
上方靠近第一栅极(21)的一侧形成第五接触孔(55);所述第一接触孔(51)、
第二接触孔(52)、第三接触孔(53)、第四接触孔(54)、及第五接触孔(55)
均为通孔;
步骤4、在所述蚀刻阻挡层(5)上沉积第二金属层,通过第三道光刻制程
图案化该第二金属层,得到间隔设置的第一源极(71)、第一漏极(72)、第二
源极(73)、及第二漏极(74),所述第一源极(71)、第一漏极(72)、第二源
极(73)、及第二漏极(74)分别经由所述第一接触孔(51)、第二接触孔(52)、
第三接触孔(53)、第四接触孔(54)与所述半导体层(4)相接触;
所述第一栅极(21)、半导体层(4)、第一源极(71)、及第一漏极(72)
构成第一TFT;所述第二栅极(22)、半导体层(4)、第二源极(73)、及第二
漏极(74)构成第二TFT;所述第一漏极(72)经由第五接触孔(55)与所述
第二栅极(22)相接触,将第一TFT与第二TFT串联起来;
步骤5、在所述第一源极(71)、第一漏极(72)、第二源极(73)、第二漏
极(74)、蚀刻阻挡层(5)、及基板(1)上沉积钝化层(75),并通过第四道
光刻制程对所述钝化层(75)进行图案化,在所述钝化层(75)上对应所述第
二漏极(74)的上方形成第六通孔(751);
步骤6、在所述钝化层(75)上沉积平坦层(76),并通过第五道光刻制程
\t对所述平坦层(76)进行图案化,在所述平坦层(76)对应所述第六通孔(751)
的上方形成第七通孔(761);
步骤7、在所述平坦层(76)上沉积像素电极层(8),并通过第六道光刻
制程对其进行图案化,所述像素电极层(8)经由所述第六通孔(751)、及第
七通孔(761)与所述第二漏极(74)相接触;
步骤8、在所述像素电极层(8)、及平坦层(76)上沉积像素定义层(9),
并通过第七道光刻制程对其进行图案化,在所述像素定义层(9)上形成对应
于所述像素电极层(8)上方的第八通孔(91),从而暴露出所述像素电极层(8)
的一部分;
步骤9、在所述像素定义层(9)上沉积有机光阻层,并通过第八道光刻制
程对其进行图案化,形成间隔设置的数个光阻间隙物(92)。
2.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法,其特征在于,所述步骤3具
体包括:
步骤31、在所述蚀刻阻挡层(5)上沉积光阻层(6),并通过一灰阶光罩
(10)对所述光阻层(6)进行曝光、显影,使得光阻层(6)上对应基板(1)
上非TFT区域的部分被完全蚀刻掉,且所述光阻层(6)上对应所述第一栅极
(21)上方形成有间隔设置的第一凹槽(61)与第二凹槽(62),对应所述第
二栅极(22)上方形成有间隔设置的第三凹槽(63)与第四凹槽(64),对应
所述第二栅极(22)上方靠近第一栅极(21)的一侧形成有第一通孔(65);
步骤32、以所述光阻层(6)为遮蔽层,通过第一次干蚀刻制程对所述蚀
刻阻挡层(5)进行蚀刻,使得所述蚀刻阻挡层(5)上对应基板(1)上非TFT
区域的部分被完全蚀刻掉,所述蚀刻阻挡层(5)上对应于所述光阻层(6)上
的第一通孔(65)的部分被完全蚀刻掉;
步骤33、通过一次灰化制程对所述光阻层(6)进行灰化处理,使得所述
光阻层(6)的整体厚度降低,所述光阻层(6)上的第一凹槽(61)、第二凹
槽(62)、第三凹槽(63)、及第四凹槽(64)的底部被穿透,分别形成第二通
孔(66)、第三通孔(67)、第四通孔(68)、及第五通孔(69);
步骤34、以所述光阻层(6)为遮蔽层,通过一次湿蚀刻制程对所述半导
体层(4)进行蚀刻,使得所述半导体层(4)上对应基板(1)上非TFT区域
的部分被完全蚀刻掉,且所述半导体层(4)上对应于所述光阻层(6)上的第
一通孔(65)的部分被完全蚀刻掉;
步骤35、以所述光阻层(6)为遮蔽层,通过第二次干蚀刻制程对所述蚀
刻阻挡层(5)、及栅极绝缘层(3)进行蚀刻,使得所述蚀刻阻挡层(5)上对
应于所述光阻层(6)上的第二通孔(66)、第三通孔(67)、第四通孔(68)、
及第五通孔(69)的部分被完全蚀刻掉,从而在所述蚀刻阻挡层(5)上形成
对应于第一栅极(21)上方的第一接触孔(51)与第二接触孔(52),及对应
于第二栅极(22)上方的第三接触孔(53)与第四接触孔(54);
同时,所述栅极绝缘层(3)上对应基板(1)上非TFT区域的部分被完全
蚀刻掉,且所述栅极绝缘层(3)上对应于所述光阻层(6)上的第一通孔(65)
的部分被完全蚀刻掉,从...
【专利技术属性】
技术研发人员:李文辉,
申请(专利权)人:深圳市华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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