TFT阵列基板、其制作方法、其测试方法及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种TFT阵列基板、其制作方法、其测试方法及显示装置，包括：衬底基板，设置在衬底基板上的位于包围显示区域的周边区域内横纵交叉的至少一条测试栅线和至少一条测试数据线，以及由测试栅线和测试数据线限定的像素单元，像素单元内设置有测试开关单元和与测试开关单元对应的测试信号线，测试开关单元用于通过测试信号线表征显示区域内TFT特性。这样，在不破坏面板的情况下，可以直接利用测试栅线、测试数据线和测试信号线来测试面板中的测试开关单元的特性，进而用于表征面板内部的薄膜晶体管的特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤指一种TFT阵列基板、其制作方法、其测试方法及显示装置。
技术介绍
目前液晶显示面板(Liquid Crystal Display，LCD)具有高画面质量、体积小、重量轻等优点，广泛应用于移动电话、笔记本电脑、电视机以及显示器等产品中。薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)阵列基板中的TFT器件对液晶显示有着极其重要的作用，TFT器件性能的优劣直接影响着液晶显示品质的高低。如图1所示，TFT阵列基板具有显示区域和包围显示区域的周边区域(虚线标注处)，包括:衬底基板，设置在衬底基板上的多条横纵交叉的是栅线01和数据线02，以及由栅线01和数据线02限定的多个呈矩阵排列的像素单元，为了改善周边区域因取向膜造成的不良以及面板边缘漏光，在周边区域也设置了 du_y像素单元，该du_y像素单元为闲置的状态，不工作。常规的阵列基板的设计及生产过程中，对TFT特性的监控是通过对阵列基板周边空间区域设计的Test Element Group TFT进行测试，Test Element Group TFT是分离面板单独设计，测试数据不能反映TFT真实的特性；而且在制成单个面板时，Test Element Group TFT会被切割舍弃；当后续想对产品TFT特性了解时必须先拆解面板后，经过液晶清洗、去除取向膜、基板清洗及烘干等繁琐过程，在此过程中很容易造成面板的破损，尤其是大尺寸面板，从而无法进行测试；经过重重对样品的处理，也会对TFT特性的测试结果造成不同程度的影响，无法准确支持产品分析工作。因为拆解后的TFT阵列基板是与液晶、对向基板分离的，不能真实反映其工作状态，而且与空气接触，无法长时间保存样品进行二次测试。因此，现有的TFT阵列基板无法在生产过程中监控TFT器件真实的特性以及在产品出来后无法直接对TFT特性进行测试，使得生产过程中存在隐患，以及对后续产品分析带来麻烦。因此，如何在生产过程中和产品出来后可以对面板内部TFT进行监控，反映其工作状态，是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供一种TFT阵列基板、其制作方法、其测试方法及显示装置，可以直接用来测试面板中的测试开关单元的特性，进而用于表征面板内部的薄膜晶体管的特性。因此，本专利技术实施例提供了一种TFT阵列基板，包括:衬底基板，设置在所述衬底基板上的位于包围显示区域的周边区域内横纵交叉的至少一条测试栅线和至少一条测试数据线，以及由所述测试栅线和所述测试数据线限定的测试像素单元，还包括:所述测试像素单元内设置有测试开关单元和与所述测试开关单元对应的测试信号线，所述测试开关单元用于通过所述测试信号线表征显示区域内TFT特性。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述TFT阵列基板中，所述测试开关单元的第一端与对应的所述测试信号线电性相连；所述测试开关单元的第二端与对应的所述测试数据线电性相连；所述测试开关单元的控制端与对应的所述测试栅线电性相连。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述TFT阵列基板中，还包括:依次设置在所述衬底基板上且位于所述测试像素单元内的源漏极金属层，绝缘层和像素电极层；其中，所述源漏极金属层与所述测试信号线电性相连；所述像素电极层分别通过过孔与所述源漏极金属层和所述测试开关单元的第一端电性相连。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述TFT阵列基板中，所述源漏极金属层与所述测试信号线同层设置。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述TFT阵列基板中，所述测试开关单元的第一端与所述测试信号线的一端直接接触。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述TFT阵列基板中，所述测试信号线与所述测试数据线同层设置且相互平行。本专利技术实施例还提供了一种本专利技术实施例提供的上述TFT阵列基板的制作方法，包括:通过同一构图工艺在衬底基板上形成包括测试栅线和测试开关单元的控制端的图形；其中，所述测试开关单元的控制端与对应的测试栅线电性相连；通过同一构图工艺在衬底基板上形成包括测试数据线，测试开关单元的第一端和第二端，以及测试信号线的图形；其中，所述测试开关单元的第一端与对应的测试信号线电性相连，所述测试开关单元的第二端与对应的测试数据线电性相连。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述TFT阵列基板的制作方法中，形成所述测试开关单元的第一端，以及与所述测试开关单元的第一端电性相连的信号测试线的图形，具体包括:通过同一构图工艺形成所述测试开关单元的第一端，源漏极金属层，以及与源漏极金属层直接接触的测试信号线；在所述源漏极金属层上依次形成绝缘层和像素电极层，所述像素电极层通过过孔分别与所述源漏极金属层和所述测试开关单元的第一端电性相连。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述TFT阵列基板的制作方法中，形成所述测试开关单元的第一端，以及与所述测试开关单元的第一端电性相连的信号测试线的图形，具体包括:通过同一构图工艺形成所述测试开关单元的第一端，以及与所述测试开关单元的第一端直接接触的测试信号线。本专利技术实施例还提供了一种本专利技术实施例提供的上述TFT阵列基板的测试方法，包括:通过测试栅线将控制信号传送至位于周边区域的测试像素单元内设置的测试开关单元；通过测试数据线将输入信号传送至所述测试开关单元；由所述测试开关单元通过测试信号线输出携带测试开关单元特性数据的输出信号。本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括本专利技术实施例提供的上述TFT阵列基板。本专利技术实施例的有益效果包括:本专利技术实施例提供的一种TFT阵列基板、其制作方法、其测试方法及显示装置，包括:衬底基板，设置在衬底基板上的位于包围显示区域的周边区域内横纵交叉的至少一条测试栅线和至少一条测试数据线，以及由测试栅线和测试数据线限定的像素单元，像素单元内设置有测试开关单元和与测试开关单元对应的测试信号线，测试开关单元用于通过测试信号线表征显示区域内TFT特性。这样，在不破坏面板的情况下，可以直接利用测试栅线、测试数据线和测试信号线来测试面板中的测试开关单元的特性，进而用于表征面板内部的薄膜晶体管的特性。【附图说明】图1为现有技术中TFT阵列基板的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的TFT阵列基板的结构示意图之一；图3为图2中局部放大图；图4为图3沿A-A’方向的剖面结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的TFT阵列基板的结构示意图之二 ；图6为图5中局部放大图；图7为本专利技术实施例提供的TFT阵列基板的制作方法流程图之一；图8为本专利技术实施例提供的TFT阵列基板的制作方法流程图之二 ；图9为本专利技术实施例提供的TFT阵列基板的制作方法流程图之三。【具体实施方式】下面结合附图，对本专利技术实施例提供的TFT阵列基板、其制作方法、其测试方法及显示装置的当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板，设置在所述衬底基板上的位于包围显示区域的周边区域内横纵交叉的至少一条测试栅线和至少一条测试数据线，以及由所述测试栅线和所述测试数据线限定的测试像素单元，还包括：所述测试像素单元内设置有测试开关单元和与所述测试开关单元对应的测试信号线，所述测试开关单元用于通过所述测试信号线表征显示区域内TFT特性。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：梁魁，封宾，袁剑峰，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11