阵列基板结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种阵列基板结构及其制作方法，通过在形成公共电极(91)后，沉积第二绝缘层(83)前，在公共电极(91)上形成一抗还原层(82)，避免了在公共电极(91)上直接沉积第二绝缘层(83)的过程中，产生的还原性气氛改变公共电极(91)的膜层质量，减少了在公共电极(91)上沉积第二绝缘层(83)时对公共电极(91)透过率的影响，保证了公共电极(91)具有较高的透过率，提升了显示效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种。
技术介绍
触摸屏显示器（TouchScreen)可以让使用者只要用手指轻轻地碰计算机显示屏 上的图符或文字就能实现对主机操作，这样摆脱了键盘和鼠标操作，使人机交互更为直截 了当。主要应用于公共场所大厅信息查询、领导办公、电子游戏、点歌点菜、多媒体教学、机 票、火车票预售等。产品主要分为电容式触控屏、电阻式触控屏和表面声波触摸屏三类。 阵列基板（Arraysubstrate)是触控显示面板中的重要组成部分。 请参阅图1，为一种现有的用于触控显示面板的阵列基板结构的剖面示意图。所 述阵列基板包括基板1〇〇、设于所述基板1〇〇上的缓冲层200、设于所述缓冲层200上的半 导体层300、设于所述缓冲层200与半导体层300上的栅极绝缘层410、设于所述栅极绝缘 层410上的层间介电层420、设于所述层间介电层420上的源/漏极500、设于所述源/漏 极500与层间介电层420上的平坦层600、设于所述平坦层600上的第二金属层700、设于 所述第二金属层700与平坦层600上的第一绝缘层810、设于所述第一绝缘层810上的公共 电极910、设于所述公共电极910与第一绝缘层810上的第二绝缘层820、及设于所述第二 绝缘层820上的像素电极920 ; 所述栅极绝缘层410、及层间介电层420上对应所述半导体层300上方设有第一 过孔510,所述第一绝缘层810上对应所述第二金属层700上方设有第二过孔520,所述平 坦层600、第一绝缘层810、及第二绝缘层820上对应所述源/漏极500上方设有第三过孔 530 ； 所述半导体层300上设有源/漏极接触区310,所述源/漏极500经由所述第一过 孔510与所述半导体层300的源/漏极接触区310相接触，所述公共电极910经由所述第 二过孔520与所述第二金属层700相接触，所述像素电极920经由所述第三过孔530与所 述源/漏极500相接触。 其中，所述第二金属层700用于连接触控感应电极。 具体的，所述第二绝缘层820的材料为SiNx，所述公共电极910的材料为IT0(氧 化铟锡）。 具体的，通过等离子体增强化学气相沉积法来制备所述第二绝缘层820 (SiNji)， 其反应原理如下：【主权项】1. 一种阵列基板结构，其特征在于，包括基板（I)、设于所述基板（1)上的缓冲层（2)、 设于所述缓冲层（2)上的半导体层（3)、设于所述缓冲层（2)与半导体层（3)上的栅极绝 缘层（41)、设于所述栅极绝缘层（41)上的层间介电层（42)、设于所述层间介电层（42)上 的源/漏极（5)、设于所述源/漏极（5)与层间介电层（42)上的平坦层（6)、设于所述平坦 层（6)上的第二金属层（7)、设于所述第二金属层（7)与平坦层（6)上的第一绝缘层（81)、 设于所述第一绝缘层（81)上的公共电极（91)、设于所述公共电极（91)与第一绝缘层（81) 上的抗还原层（82)、设于所述抗还原层（82)上的第二绝缘层（83)、及设于所述第二绝缘层 (83)上的像素电极（92); 所述栅极绝缘层（41)、及层间介电层（42)上对应所述半导体层（3)上方设有第一过孔 (51)，所述第一绝缘层（81)上对应所述第二金属层（7)上方设有第二过孔（52)，所述平坦 层（6)、第一绝缘层（81)、抗还原层（82)、及第二绝缘层（83)上对应所述源/漏极（5)上方 设有第三过孔（53); 所述半导体层（3)上设有源/漏极接触区（31)，所述源/漏极（5)经由所述第一过孔 (51)与所述半导体层（3)的源/漏极接触区（31)相接触，所述公共电极（91)经由所述第 二过孔（52)与所述第二金属层（7)相接触，所述像素电极（92)经由所述第三过孔（53)与 所述源/漏极（5)相接触。2. 如权利要求1所述的阵列基板结构，其特征在于，所述抗还原层（82)的材料为成分 渐变的SiNxO y, X彡0,0彡y彡2,从公共电极（91)至第二绝缘层（83)的方向上，X从O开 始逐渐增大，y从2开始逐渐减小至0。3. 如权利要求1所述的阵列基板结构，其特征在于，所述第一绝缘层（81)、及第二绝缘 层（83)的材料均为SiNx，X > 0。4. 如权利要求1所述的阵列基板结构，其特征在于，所述半导体层（3)的源/漏极接触 区（31)的材料为N型重掺杂硅；所述公共电极（91)、及像素电极（92)的材料均为IT0。5. -种阵列基板结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1、提供基板（1)，在所述基板（1)上沉积缓冲层（2); 步骤2、在所述缓冲层（2)上沉积半导体层（3)，对其进行图案化后，对所述半导体层 (3)上的部分区域进行N型重掺杂，形成设计与源/漏极相接触的源/漏极接触区（31); 步骤3、在所述半导体层（3)上依次沉积栅极绝缘层（41)、及层间介电层（42)，同时对 栅极绝缘层（41)、及层间介电层（42)进行图案化，在所述栅极绝缘层（41)、及层间介电层 (42)上对应所述半导体层（3)的源/漏极接触区（31)上方形成第一过孔（51); 步骤4、在所述层间介电层（42)上方沉积第一金属层，并对其进行图案化，形成源/漏 极（5)，所述源/漏极（5)经由所述第一过孔（51)与所述半导体层（3)的源/漏极接触区 (31)相接触； 步骤5、在所述源/漏极（5)、及层间介电层（42)上方沉积平坦层（6); 步骤6、在所述平坦层（6)上方沉积第二金属层（7)，并对其进行图案化； 步骤7、在所述第二金属层（7)、及平坦层（6)上方沉积第一绝缘层（81)，并对其进行图 案化，在所述第一绝缘层（81)上对应所述第二金属层（7)上方形成第二过孔（52); 步骤8、在所述第一绝缘层（81)上方沉积第一氧化物导电层，并对其进行图案化，形成 公共电极（91)，所述公共电极（91)经由所述第二过孔（52)与所述第二金属层（7)相接触； 步骤9、在所述公共电极（91)、及第一绝缘层（81)上方沉积抗还原层（82); 步骤10、在所述抗还原层（82)上沉积第二绝缘层（83)，同时对所述第二绝缘层（83)、 抗还原层（82)、第一绝缘层（81)、及平坦层（6)进行图案化，在所述第二绝缘层（83)、抗还 原层（82)、第一绝缘层（81)、及平坦层（6)对应所述源/漏极（5)上方形成第三过孔（53); 步骤11、在所述第二绝缘层（83)上沉积第二氧化物导电层，并对其进行图案化，形成 像素电极（92)，所述像素电极（92)经由所述第三过孔（53)与所述源/漏极（5)相接触。6. 如权利要求5所述的阵列基板结构的制作方法，其特征在于，所述步骤9采用等离子 体增强化学气相沉积法形成所述抗还原层（82)。7. 如权利要求6所述的阵列基板结构的制作方法，其特征在于，所述步骤9具体包括： 步骤91、在所述公共电极（91)表面通入沉积SiO2的气体，生成一 SiO2薄层； 步骤92、缓慢关闭沉积SiO2的气体的同时逐渐通入沉积SiNx的气体，所述沉积510 2的 气体通入的量逐渐减少至零，同时沉积SiNx的气体通入的量逐渐增多，从而在所述公共电 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板结构，其特征在于，包括基板(1)、设于所述基板(1)上的缓冲层(2)、设于所述缓冲层(2)上的半导体层(3)、设于所述缓冲层(2)与半导体层(3)上的栅极绝缘层(41)、设于所述栅极绝缘层(41)上的层间介电层(42)、设于所述层间介电层(42)上的源/漏极(5)、设于所述源/漏极(5)与层间介电层(42)上的平坦层(6)、设于所述平坦层(6)上的第二金属层(7)、设于所述第二金属层(7)与平坦层(6)上的第一绝缘层(81)、设于所述第一绝缘层(81)上的公共电极(91)、设于所述公共电极(91)与第一绝缘层(81)上的抗还原层(82)、设于所述抗还原层(82)上的第二绝缘层(83)、及设于所述第二绝缘层(83)上的像素电极(92)；所述栅极绝缘层(41)、及层间介电层(42)上对应所述半导体层(3)上方设有第一过孔(51)，所述第一绝缘层(81)上对应所述第二金属层(7)上方设有第二过孔(52)，所述平坦层(6)、第一绝缘层(81)、抗还原层(82)、及第二绝缘层(83)上对应所述源/漏极(5)上方设有第三过孔(53)；所述半导体层(3)上设有源/漏极接触区(31)，所述源/漏极(5)经由所述第一过孔(51)与所述半导体层(3)的源/漏极接触区(31)相接触，所述公共电极(91)经由所述第二过孔(52)与所述第二金属层(7)相接触，所述像素电极(92)经由所述第三过孔(53)与所述源/漏极(5)相接触。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：虞晓江，杜海波，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44