阵列基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，该阵列基板的制备方法至少包括以下步骤：形成第一电极层、栅金属层和第一非氧化物绝缘材料层，所述第一非氧化物绝缘材料层形成于所述栅金属层的上表面上；采用一次构图工艺形成包括所述第一电极和所述栅极的图形，在该构图工艺完成后，在所述栅极上还形成有第一非氧化物绝缘层以及在所述栅极下方还形成有属于所述第一电极层的第一子电极。该阵列基板的制备方法简单，有利于阵列基板和显示装置量产化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于液晶显示
，具体涉及一种阵列基板和应用该阵列基板的显示 目.0
技术介绍
液晶显示面板通常包括阵列基板和彩膜基板。其中，阵列基板包括薄膜晶体管，薄膜晶体管包括a-si薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、氢化非晶硅薄膜晶体管和透明氧化物薄膜晶体管。目前，为制备上述阵列基板，需要一层一层形成膜层和构图，因此，造成工艺过程复杂，例如，制备ADS模式的液晶显示面板的阵列基板，若晶体管为a-si晶体管，需要4次MASK工艺，若晶体管为氧化物晶体管，需要5次MASK工艺，从而造成产量低，经济效益差。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种阵列基板及其制备方法、应用该阵列基板的显示装置，可以简化制备工艺，进而可以提高产量和经济效益。为解决上述问题之一，本专利技术提供了一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板的制备方法至少包括以下步骤:形成第一电极层、栅金属层和第一非氧化物绝缘材料层，所述第一非氧化物绝缘材料层形成于所述栅金属层的上表面上；采用一次构图工艺形成包括第一电极和栅极的图形，在该构图工艺完成后，在所述栅极上还形成有第一非氧化物绝缘层以及在所述栅极下方还形成有属于所述第一电极层的第一子电极。具体地，在形成第一电极层之后还包括形成半导体层；采用一次构图工艺形成包括所述第一电极、所述栅极的图形的同时，还形成包括有源层的图形。具体地，在采用一次构图工艺形成包括所述第一电极、所述栅极和所述有源层的图形后，还包括以下步骤:形成第三绝缘层，采用一次构图工艺形成包括过孔的图形，所述过孔形成在所述有源层对应的区域，所述过孔作为所述源漏电极与所述有源层电连接的通道；在所述第三绝缘层上依次形成第二电极层和源漏金属层，采用一次构图工艺形成包括源电极、漏电极和第二电极的图形，在该构图工艺完成之后，在所述过孔位置处形成有位于所述源漏电极下方且属于所述第二电极层的第二子电极，所述源漏电极经由所述第二子电极与所述有源层电连接。具体地，在形成所述第一电极层之后还包括形成半导体层、源漏金属层和第二非氧化物绝缘材料层，所述第二非氧化物绝缘材料层形成于所述源漏金属层的上表面上；采用一次构图工艺形成包括所述第一电极、所述栅极的图形的同时，还形成包括有源层、源电极和漏电极的图形，在该构图工艺完成后，在所述源电极和所述漏电极上均形成有第二非氧化绝缘层。具体地，采用一次构图工艺形成包括所述第一电极、所述栅极、所述有源层、所述源电极和所述漏电极的图形后，还包括以下步骤:形成第三绝缘层，采用一次构图工艺形成包括过孔的图形，所述过孔形成于所述漏电极对应的区域且所述过孔贯穿所述第三绝缘层和所述第二非氧化物绝缘层，所述过孔作为所述漏电极与所述第二电极电连接的通道；在所述绝缘层上形成第二电极层，采用一次构图工艺形成包括所述第二电极的图形。具体地，采用一次构图工艺形成包括所述第一电极和所述栅极的图形后，还包括以下步骤:形成第三绝缘层，在所述第三绝缘层上依次形成半导体层和源漏金属层，采用一次构图工艺对应形成包括有源层、源电极和漏电极的图形；形成所述第二电极层，采用一次构图工艺对应形成包括所述第二电极的图形。具体地，所述栅金属层和所述源漏金属层的材料包括铜或铜合金。具体地，所述第一非氧化物绝缘材料层和所述第二非氧化物绝缘材料层的材料包括氮化硅或者氮化铝。具体地，在形成所述第一电极后，还包括，对所述第一电极进行退火工艺。具体地，所述第二电极为狭缝状电极。作为另外一个技术方案，本专利技术还提供一种阵列基板，所述阵列基板采用上述技术方案提供的阵列基板的制备方法制作。作为另外一个技术方案，本专利技术还提供一种显示装置，其包括阵列基板，所述阵列基板采用上述技术方案提供的阵列基板。本专利技术具有以下有益效果:本专利技术提供的阵列基板的制备方法，先在栅金属层的上表面上形成第一非金属氧化物绝缘材料层，再采用一次构图工艺形成包括所述第一电极和所述栅极的图形之后，在栅极的表面上形成有第一非氧化物绝缘层，该第一非氧化物绝缘层可以在后续的工艺(例如，对第一电极进行退火工艺)中防止采用诸如铜等的易氧化导电材料的栅极被氧化。由此可知，本专利技术提供的阵列基板的制备方法与现有技术相比，在保证栅极不被氧化的前提下可采用一次构图工艺形成不仅包括第一电极还包括栅极的图形，也就是说，将至少两次构图工艺整合成一次构图工艺，因而可以至少减少一次构图工艺，从而可以简化工艺步骤，进而可以提高产量和经济效益。本专利技术提供的阵列基板，其采用本专利技术另一技术方案提供的阵列基板的制备方法制备形成，因此，制备工艺简单，有利于阵列基板的产量化，提高经济效益。本专利技术提供的显示装置，其采用本专利技术另一技术方案提供的阵列基板，阵列基板的制备过程简单，从而有利于阵列基板的产量化，从而有利于实现显示装置的量产，提高经济效益。【附图说明】图1a为本专利技术实施例一提供的阵列基板的制备方法在采用一次构图工艺形成包括第一电极和栅极的图形之后的状态图；图1b为本专利技术实施例一提供的阵列基板的制备方法在采用一次构图工艺对应形成包括有源层、源电极和漏电极的图形之后的状态图；图1c为本专利技术实施例一提供的阵列基板的制备方法在采用一次构图工艺对应形成包括第二电极的图形之后的状态图；图2a为本专利技术实施例二提供的阵列基板的制备方法在采用一次构图工艺形成包括第一电极、栅极和有源层的图形之后的状态图；图2b为本专利技术实施例二提供的阵列基板的制备方法采用一次构图工艺形成包括过孔的图形之后的状态图；图2c为本专利技术实施例二提供的阵列基板的制备方法在采用一次构图工艺同时形成包括源电极、漏电极和第二电极的图形之后的状态图；图2d为本专利技术实施例二提供的阵列基板的制备方法在采用一次构图工艺同时形成包括源电极、漏电极和第二电极的图形之后的另一种状态图；图3a为本专利技术实施例三提供的阵列基板的制备方法在采用一次构图工艺形成包括第一电极、栅极、有源层、源电极和漏电极的图形之后的状态图；图3b为本专利技术实施例三提供的阵列基板的制备方法在采用一次构图工艺形成包括过孔的图形之后的状态图；以及图3c为本专利技术实施例三提供的阵列基板的制备方法在采用一次构图工艺形成包括第二电极的图形之后的状态图。【具体实施方式】为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图来对本专利技术提供的阵列基板及其制备方法、显示装置进行详细描述。实施例一本实施例提供的阵列基板的制备方法至少包括以下步骤:形成第一电极层、栅金属层和第一非氧化物绝缘材料层，第一非氧化物绝缘材料层形成于栅金属层的上表面上。采用一次构图工艺形成包括第一电极I和栅极2的图形，在该构图工艺完成之后，在栅极2的上表面上形成第一非氧化物绝缘层3以及在与栅极2下方还形成有属于第一电极层的第一子电极4，也就是说，第一电极层在该构图工艺之后形成包括第一子电极4和第一电极I的图形，如图1a所示。具体地，第一非氧化物绝缘材料层的材料包括氮化硅或者氮化铝。栅金属层和源漏金属层的材料包括铜，由于铜的电导率较高，因此，可以有利于数据信号和扫描信号传Q寸ο可以理解，本实施例提供的阵列基板的制备方法，借助采用诸如铜等的易氧化导电材料的栅极2上表面上形成的第一非氧化物绝缘层3，可以在执行后续工艺(例如:对第一电极I的退火工艺)时防止栅极2的表本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板的制备方法至少包括以下步骤：形成第一电极层、栅金属层和第一非氧化物绝缘材料层，所述第一非氧化物绝缘材料层形成于所述栅金属层的上表面上；采用一次构图工艺形成包括第一电极和栅极的图形，在该构图工艺完成后，在所述栅极上还形成有第一非氧化物绝缘层以及在所述栅极下方还形成有属于所述第一电极层的第一子电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：宁策，张方振，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11