一种阵列基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，有利于实现显示装置的窄边框设计。该阵列基板的周边区域上设置有栅极驱动电路，所述栅极驱动电路包括至少一个电容，每个所述电容均包括相对设置的第一电极、第二电极，以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的介电层，所述第一电极和所述第二电极均为透明导电层，所述介电层为透明的绝缘层。本发明专利技术用于实现显示装置的窄边框设计。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
目前，通常将显示装置中的栅极驱动电路集成在阵列基板的周边区域上，以降低显示装置的生产成本、产能和功耗，并且有利于提高产品良率和实现窄边框。现有技术中，栅极驱动电路中的信号线、电容以及薄膜晶体管等元件均是使用阵列基板上不透光的膜层制作。然而，本申请的专利技术人发现，由于后续在栅极驱动电路所在区域上涂覆的封框胶后，需要对封框胶进行紫外光照，以使封框胶固化，因此，要求栅极驱动电路所在区域具有较高的光透过率。但从上述可知栅极驱动电路中的各元件均不透光，使得只有当栅极驱动电路所在区域的面积较大时，且栅极驱动电路所在区域的开口率较大，才能够使得栅极驱动电路所在区域具有较高的光透过率，然而会导致阵列基板的周边区域的面积较大，不利于显示装置的窄边框设计。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，有利于实现显示装置的窄边框设计。为达到上述目的，本专利技术提供了一种阵列基板，采用如下技术方案:所述阵列基板的周边区域上设置有栅极驱动电路，所述栅极驱动电路包括至少一个电容，每个所述电容均包括相对设置的第一电极、第二电极，以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的介电层，所述第一电极和所述第二电极均为透明导电层，所述介电层为透明的绝缘层。可选地，所述第一电极连接至少两个信号输入端；所述第二电极连接至少两个信号输入端。进一步地，所述第一电极的相对的两侧各自连接一个信号输入端；所述第二电极的相对的两侧各自连接一个信号输入端。可选地，所述栅极驱动电路还包括至少一个薄膜晶体管，至少一个所述电容位于所述薄膜晶体管上方。进一步地，所述薄膜晶体管包括依次层叠设置的栅极、栅极绝缘层、有源层、同层设置的源极和漏极，所述源极和所述漏极所在层上设置有树脂绝缘层，所述电容位于所述树脂绝缘层上。进一步地，所述阵列基板还包括位于所述源极和所述漏极所在层和所述树脂绝缘层之间的无机绝缘层，所述无机绝缘层的材料为硅的氧化物和/或硅的氮化物。可选地，所述阵列基板的显示区域内设置有像素电极和公共电极，所述第一电极与所述公共电极同层设置且材料相同，所述第二电极与所述像素电极同层设置且材料相同，所述像素电极所在层和所述公共电极所在层之间设置有钝化层，位于阵列基板的周边区域的钝化层作为所述介电层。本专利技术实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板的周边区域上设置有栅极驱动电路，栅极驱动电路包括至少一个电容，每个电容均包括相对设置的第一电极、第二电极，以及位于第一电极和第二电极之间的介电层，由于第一电极和第二电极均为透明导电层，且介质层为透明的绝缘层，从而使得电容所在区域透光，从而提高了栅极驱动电路所在区域的光透过率，从而使得栅极驱动电路所在区域的面积较小时即可使得后续涂覆的封框胶固化，进而有利于减小阵列基板的周边区域的面积，有利于实现显示装置的窄边框设计。此外，本专利技术还提供了一种显示装置，该显示装置包括以上任一项所述的阵列基板。为了进一步达到上述目的，本专利技术提供了一种阵列基板的制作方法，采用如下技术方案:一种阵列基板的制作方法包括:形成第一透明导电层，经过构图工艺，在阵列基板的周边区域上形成包括第一电极的图形；在阵列基板的周边区域上形成透明的绝缘层，以作为介电层；形成第二透明导电层，经过构图工艺，在阵列基板的周边区域上形成包括第二电极的图形；所述第一电极和所述第二电极相对设置，所述介电层位于所述第一电极和所述第二电极之间，所述第一电极、所述介电层和所述第二电极形成位于阵列基板的周边区域上的栅极驱动电路中的电容。进一步地，形成第一透明导电层，经过构图工艺，在阵列基板的周边区域上形成包括第一电极的图形的步骤具体为:在阵列基板上形成所述第一透明导电层，经过构图工艺，在阵列基板的周边区域上形成包括所述第一电极的图形，同时，在阵列基板的显示区域上形成包括公共电极的图形；在阵列基板的周边区域上形成透明的绝缘层，以作为介电层的步骤具体为:在阵列基板上形成钝化层，位于阵列基板的周边区域上的钝化层作为所述介电层；形成第二透明导电层，经过构图工艺，在阵列基板的周边区域上形成包括第二电极的图形的步骤具体为:在阵列基板上形成所述第二透明导电层，经过构图工艺，在阵列基板的周边区域上形成包括所述第二电极的图形，同时，在阵列基板的显示区域上形成包括像素电极的图形。本专利技术实施例提供了一种如上所述的阵列基板的制作方法，由于采用该制作方法制作的第一电极和第二电极相对设置，介电层位于第一电极和第二电极之间，第一电极、介电层和第二电极形成位于阵列基板的周边区域上的栅极驱动电路中的电容，由于第一电极和第二电极均为透明导电层，且介质层为透明的绝缘层，从而使得电容所在区域透光，从而提高了栅极驱动电路所在区域的光透过率，从而使得栅极驱动电路所在区域的面积较小时即可使得后续涂覆的封框胶固化，进而有利于减小阵列基板的周边区域的面积，有利于实现显示装置的窄边框设计。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例中的阵列基板的周边区域的平面示意图；图2为本专利技术实施例中图1沿A-A’方向的截面示意图一；图3为本专利技术实施例中图1沿A-A’方向的截面示意图二 ；图4为本专利技术实施例中图1沿A-A’方向的截面示意图三；图5为本专利技术实施例中的阵列基板的制作方法流程图。附图标记说明:I一电容；11一第一电极；12—第二电极；13一介电层；2—?目号输入端；3—薄膜晶体管；31一栅极；32—栅极绝缘层；33—有源层；34一源极；35—漏极；4一树脂绝缘层；5一无机绝缘层；6—纯化层。【具体实施方式】下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例一本专利技术实施例提供了一种阵列基板，具体地，如图1和图2所示，该阵列基板的周边区域上设置有栅极驱动电路，栅极驱动电路包括至少一个电容1，每个电容I均包括相对设置的第一电极11、第二电极12，以及位于第一电极11和第二电极12之间的介电层13，其中，第一电极11和第二电极12均为透明导电层，介电层13为透明的绝缘层。示例性地，第一电极11和第二电极13的材质为氧化铟锡(ITO)或者氧化铟锌(IZO)。本专利技术实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板的周边区域上设置有栅极驱动电路，栅极驱动电路包括至少一个电容，每个电容均包括相对设置的第一电极、第二电极，以及位于第一电极和第二电极之间的介电层，由于第一电极和第二电极均为透明导电层，且介质层为透明的绝缘层，从而使得电容所在区域透光，从而提高了栅极驱动电路所在区域的光透过率，从而使得栅极驱动电路所在区域的面积较小时即可使得后续涂覆的封框胶固化，进而有利于减小阵列基板的周边区域的面积，有利于实现显示装置的窄边框设计。通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，所述阵列基板的周边区域上设置有栅极驱动电路，所述栅极驱动电路包括至少一个电容，其特征在于，每个所述电容均包括相对设置的第一电极、第二电极，以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的介电层，所述第一电极和所述第二电极均为透明的导电层，所述介电层为透明的绝缘层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姚星，崔贤植，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11