用于显示装置的阵列基板及其制造方法制造方法及图纸

用于显示装置的阵列基板及其制造方法。一种用于显示装置的阵列基板包括：第一薄膜晶体管TFT，其包括第一半导体层、与该第一半导体层对应的第一栅电极、第一源电极和第一漏电极；第二TFT，其包括第二半导体层、与该第二半导体层对应的第二栅电极、第二源电极和第二漏电极；第一透明电容器电极，其连接至该第一漏电极；第一钝化层，其位于该第一透明电容器电极上；第二透明电容器电极，其位于该第一钝化层上并连接至该第二漏电极，该第二透明电容器电极与该第一透明电容器电极交叠；第二钝化层，其位于该第一钝化层和该第二透明电容器电极上或上方；以及第一电极，其位于该第二钝化层上并连接至该第二透明电容器电极。

【技术实现步骤摘要】
用于显示装置的阵列基板及其制造方法
本专利技术涉及显示装置，并且更具体地，涉及一种用于包括没有减小孔径比的存储电容器的显示装置的阵列基板和一种通过减少掩模工艺的数量来制造阵列基板的方法。
技术介绍
阴极射线管(CRT)已被广泛地用作显示装置。然而，近来，平板显示装置(例如，等离子体显示面板(PDP)装置、液晶显示(LCD)装置和有机发光二极管(OLED)显示装置)代替CRT被用作显示装置。在这些平板显示装置当中，OLED显示装置在厚度和重量方面具有优点，因为OLED显示装置不需要背光单元。OLED显示装置是自发射型显示装置。近来，OLED显示装置被用于大型显示装置。图1是用于现有技术的OLED显示装置的阵列基板的截面图。如图1所示，在用于OLED显示装置的阵列基板中，选通线(未示出)和数据线32形成在基板10上并在基板10上方。选通线和数据线32彼此交叉以限定基板10上的像素区域。另外，公共电压线(未示出)可以形成在各个像素区域中并且与数据线32平行。第一薄膜晶体管(TFT)TR1和第二TFTTR2形成在选通线和数据线32的交叉部分。第一TFTTR1和第二TFTTR2分别用作切换元件和驱动元件。第一TFTTR1包括第一半导体层17、第一栅电极11、第一源电极12和第一漏电极13。第一栅电极11通过栅绝缘层14与第一半导体层17间隔开。层间绝缘层31覆盖第一栅电极11并且包括暴露第一半导体层17的两端的接触孔。第一源电极12和第一漏电极13形成在层间绝缘层31上，并且通过层间绝缘层31中的接触孔分别连接至第一半导体层17。第二TFTTR2包括第一半导体层27、第二栅电极21、第二源电极22和第二漏电极23。第二栅电极21通过栅绝缘层14与第二半导体层27间隔开。层间绝缘层31覆盖第二栅电极21并且包括暴露第二半导体层27的两端的接触孔。第二源电极22和第二漏电极23形成在层间绝缘层31上，并且通过层间绝缘层31中的接触孔分别连接至第二半导体层27。第一源电极12连接至数据线32，并且第二源电极22连接至公共电压线。第一TFTTR1的第一漏电极13连接至第二电容器电极16，并且第二漏电极23连接至第一电容器电极15。第二电容器电极16与第一电容器电极15交叠以形成存储电容器Cst。阳电极19被形成为电连接至第二漏电极23。另外，有机发射层(未示出)和阴电极(未示出)层叠在阳电极(19)上，使得形成用于OLED显示装置的阵列基板。在OLED显示装置中，来自阳电极19的空穴和来自阴电极的电子在有机发射层中结合，使得从有机发射层发射光。当阴电极由不透明金属材料形成时，来自有机发射层的光通过包括第一TFTTR1和第二TFTTR2的基板10。用于控制像素的电流的电压被充电在存储电容器Cst中，使得电流的电平被维持到下一帧。当存储电容器Cst的区域被增大以改进驱动安全性时，孔径比减小，因为第一电容器电极15和第二电容器电极16由不透明金属材料形成。为了解决上述问题，存储电容器Cst的区域被优化成针对像素驱动具有最小电容量。然而，因为单位面积中的像素的数量根据高分辨率而增加，所以各个像素的面积减少。结果，非常难以在像素中形成存储电容器。另一方面，引入了多结构型存储电容器。然而，用于多结构型存储电容器的制造工艺是复杂的，使得生产产量减小。
技术实现思路
因此，本专利技术致力于基本上消除了由于现有技术的局限和缺点而导致的一个或更多个问题的用于OLED显示装置的阵列基板及其制造方法。本专利技术的附加的特征和优点将在以下的描述中阐述，并且将部分地从本说明书变得显而易见，或者可以通过本专利技术的实践学习到。本专利技术的目标和其它优点将通过在所撰写的说明书及其权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。为了实现这些和其它优点并且根据本专利技术的目的，如本文所具体实现和广义描述的，本专利技术提供了一种用于显示装置的阵列基板，该阵列基板包括：第一薄膜晶体管(TFT)，该第一TFT包括第一半导体层、与该第一半导体层对应的第一栅电极、第一源电极和第一漏电极；第二TFT，该第二TFT包括第二半导体层、与该第二半导体层对应的第二栅电极、第二源电极和第二漏电极；第一透明电容器电极，该第一透明电容器电极连接至所述第一漏电极；第一钝化层，该第一钝化层位于所述第一透明电容器电极上；第二透明电容器电极，该第二透明电容器电极位于所述第一钝化层上并且连接至所述第二漏电极，该第二透明电容器电极与所述第一透明电容器电极交叠；第二钝化层，该第二钝化层位于所述第一钝化层和所述第二透明电容器电极上或上方；以及第一电极，该第一电极位于所述第二钝化层上并且连接至所述第二透明电容器电极。在另一方面中，本专利技术提供了一种用于显示装置的阵列基板，该阵列基板包括：第一薄膜晶体管(TFT)，该第一TFT包括第一半导体层、与该第一半导体层对应的第一栅电极、第一源电极和第一漏电极；第二TFT，该第二TFT包括第二半导体层、与该第二半导体层对应的第二栅电极、第二源电极和第二漏电极；第一透明电容器电极，该第一透明电容器电极连接至所述第一漏电极或所述第二半导体层；层间绝缘层，该层间绝缘层位于所述第一透明电容器电极上；第二透明电容器电极，该第二透明电容器电极位于所述层间绝缘层上并且连接至所述第二漏电极，该第二透明电容器电极与所述第一透明电容器电极交叠；第一钝化层，该第一钝化层位于所述第一TFT和所述第二TFT以及所述第二透明电容器电极上方；以及第一电极，该第一电极位于所述第一钝化层上并且连接至所述第二漏电极。在另一方面中，本专利技术提供了一种制造用于显示装置的阵列基板的方法，该方法包括以下步骤：形成第一半导体层和第二半导体层；分别在所述第一半导体层和所述第二半导体层上形成第一栅绝缘图案和第二栅绝缘图案；分别在所述第一栅绝缘图案和所述第二栅绝缘图案上形成第一栅电极和第二栅电极；在所述第一栅电极和所述第二栅电极上形成层间绝缘层；在所述层间绝缘层上形成第一源电极和第一漏电极、第二源电极和第二漏电极以及第一透明电容器电极，该第一透明电容器电极连接至所述第一漏电极；在所述第一透明电容器电极上形成第一钝化层；在所述第一钝化层上形成第二透明电容器电极并且该第二透明电容器电极连接至所述第二漏电极，所述第二透明电容器电极与所述第一透明电容器电极交叠；形成覆盖所述第一钝化层和所述第二透明电容器电极的第二钝化层；以及在所述第二钝化层上形成第一电极并且该第一电极连接至所述第二透明电容器电极。在另一方面中，本专利技术提供了一种制造用于显示装置的阵列基板的方法，该方法包括以下步骤：形成第一半导体层和第二半导体层以及第一透明电容器电极；分别在所述第一半导体层和所述第二半导体层上形成第一栅绝缘图案和第二栅绝缘图案；在所述第一栅绝缘图案和所述第二栅绝缘图案上形成第一栅电极和第二栅电极；在所述第一栅电极和所述第二栅电极以及所述第一透明电容器电极上形成层间绝缘层；在所述层间绝缘层上形成第一源电极和第一漏电极、第二源电极和第二漏电极以及第二透明电容器电极，该第二透明电容器电极与所述第一透明电容器电极交叠并且连接至所述第二漏电极；形成覆盖所述第一源电极和所述第一漏电极、所述第二源电极和所述第二漏电极以及所述第二透明电容器电极的钝化层；以及在所述钝化层上形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于显示装置的阵列基板，该阵列基板包括：第一薄膜晶体管TFT，该第一TFT包括第一半导体层、与该第一半导体层对应的第一栅电极、第一源电极和第一漏电极；第二TFT，该第二TFT包括第二半导体层、与该第二半导体层对应的第二栅电极、第二源电极和第二漏电极；第一透明电容器电极，该第一透明电容器电极连接至所述第一漏电极；第一钝化层，该第一钝化层位于所述第一透明电容器电极上；第二透明电容器电极，该第二透明电容器电极位于所述第一钝化层上并且连接至所述第二漏电极，该第二透明电容器电极与所述第一透明电容器电极交叠；第二钝化层，该第二钝化层位于所述第一钝化层和所述第二透明电容器电极上或者位于所述第一钝化层和所述第二透明电容器电极上方；以及第一电极，该第一电极位于所述第二钝化层上并且连接至所述第二透明电容器电极。

【技术特征摘要】
2013.11.27 KR 10-2013-0145631;2014.05.28 KR 10-2011.一种用于显示装置的阵列基板，该阵列基板包括：第一薄膜晶体管TFT，该第一TFT包括第一半导体层、与该第一半导体层对应的第一栅电极、第一源电极和第一漏电极；第二TFT，该第二TFT包括第二半导体层、与该第二半导体层对应的第二栅电极、第二源电极和第二漏电极；第一透明电容器电极，该第一透明电容器电极连接至所述第一漏电极；第一钝化层，该第一钝化层位于所述第一透明电容器电极上；第二透明电容器电极，该第二透明电容器电极位于所述第一钝化层上并且连接至所述第二漏电极，该第二透明电容器电极与所述第一透明电容器电极交叠；第二钝化层，该第二钝化层位于所述第二透明电容器电极上或者位于所述第二透明电容器电极上方；第一电极，该第一电极位于所述第二钝化层上并且连接至所述第二透明电容器电极；有机发射层，该有机发射层位于所述第一电极上；以及第二电极，该第二电极位于所述有机发射层上，其中，所述第一漏电极包括透明层和该透明层上的金属层，并且所述第一透明电容器电极从所述第一漏电极的透明层延伸。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述透明层包括铟锡氧化物。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第一源电极、所述第二源电极和所述第二漏电极中的每一个包括所述透明层和所述金属层。4.根据权利要求1所述的阵列基板，该阵列基板还包括位于所述第一钝化层与所述第二钝化层之间的滤色器。5.一种用于显示装置的阵列基板，该阵列基板包括：第一薄膜晶体管TFT，该第一TFT包括第一半导体层、与该第一半导体层对应的第一栅电极、第一源电极和第一漏电极；第二TFT，该第二TFT包括第二半导体层、与该第二半导体层对应的第二栅电极、第二源电极和第二漏电极；第一透明电容器电极，该第一透明电容器电极连接至所述第一漏电极或所述第一半导体层；层间绝缘层，该层间绝缘层位于所述第一透明电容器电极上；第二透明电容器电极，该第二透明电容器电极位于所述层间绝缘层上并且连接至所述第二漏电极，该第二透明电容器电极与所述第一透明电容...

【专利技术属性】
技术研发人员：白正善，金珉朱，金正五，尹净基，金容玟，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR