薄膜晶体管基板制造技术

本文涉及一种在同一基板上具备两种不同类型薄膜晶体管的薄膜晶体管基板和使用该薄膜晶体管基板的显示装置。本文提出一种薄膜晶体管基板，包括：基板；设置在基板上并包括多晶半导体层、多晶半导体层上方的第一栅极电极、第一源极电极和第一漏极电极的第一薄膜晶体管；设置在基板上并包括第二栅极电极、所述第二栅极电极上的氧化物半导体层、第二源极电极和第二漏极电极的第二薄膜晶体管；包括氮化物层并设置在第一栅极电极上的中间绝缘层；和覆盖第二栅极电极并设置在中间绝缘层上的氧化物层，其中氧化物半导体层设置在氧化物层上并与第二栅极电极重叠，第一源极电极、第一漏极电极和第二栅极电极设置于中间绝缘层与氧化物层之间，并且第二源极电极和第二漏极电极设置在氧化物半导体层上。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种薄膜晶体管基板，其特征在于，包括：基板；第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管设置在所述基板上并且包括多晶半导体层、所述多晶半导体层上方的第一栅极电极、第一源极电极和第一漏极电极；第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管设置在所述基板上并且包括第二栅极电极、所述第二栅极电极上的氧化物半导体层、第二源极电极和第二漏极电极；中间绝缘层，所述中间绝缘层包括氮化物层并且设置在所述第一栅极电极上；和氧化物层，所述氧化物层覆盖所述第二栅极电极并且设置在所述中间绝缘层上，其中所述氧化物半导体层设置在所述氧化物层上并且与所述第二栅极电极重叠，其中所述第一源极电极、所述第一漏极电极和所述第二栅极电极设置于所述中间绝缘层与所述氧化物层之间，并且其中所述第二源极电极和所述第二漏极电极设置在所述氧化物半导体层上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：赵圣弼，金容一，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：新型
国别省市：韩国;KR