薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置制造方法及图纸

技术编号:11945946 阅读:71 留言:0更新日期:2015-08-26 16:22
本申请涉及一种在相同基板上具有两种不同类型的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置。本申请提出了一种显示装置,包括:第一区域和第二区域;设置在第一区域的第一薄膜晶体管,包括多晶半导体层、在多晶半导体层上的第一栅极电极、第一源极电极以及第一漏极电极;设置在第二区域的第二薄膜晶体管,包括第二栅极电极、在第二栅极电极上的氧化物半导体层、第二源极电极以及第二漏极电极;氮化物层,位于所述显示装置除第二区域外的区域上,并覆盖第一栅极电极;以及氧化物层,设置在第一栅极电极和第二栅极电极之上。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及一种在相同基板上具有两种不同类型的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置
技术介绍
如今,随着信息化社会的发展,针对用以显示信息的显示装置的需求正在增加。因此,开发了多种平板显示装置(或FPD)以克服阴极射线管(或CRT)的缺点,例如重量高及体积大。平板显示装置包括液晶显示装置(或LCD)、等离子显示面板(或PDP)、有机发光显示装置(或OLED)以及电泳显示装置(或ED)。平板显示装置的显示面板可以包括在以矩阵方式排列的像素区域内设置有薄膜晶体管的薄膜晶体管基板。例如,液晶显示装置(或LCD)通过利用电场控制液晶层的光透射率以表现视频数据。有机发光二极管显示装置的以矩阵方式设置的每一像素中形成了有机发光二极管,因此有机发光二极管显示装置通过产生正确受控的光以表现视频数据。作为自发光显示装置,有机发光二极管显示装置具有响应速度非常快、亮度非常高及视角大的优点。利用了能量效率优异的有机发光二极管的有机发光二极管显示装置(或OLED)可分为无源矩阵型的有机发光二极管显示装置(或PMOLED)和有源矩阵型的有机发光二极管显示装置(或AMOLED)。随着个人用电子装置更为普遍,正在积极开发携带性及/或穿戴性的装置。为了将显示装置应用于携带用和/或可穿戴装置中,所述装置具有低消耗功率的特性。然而,利用目前为止开发的技术,在获得低消耗功率特性优异的装置方面存在有限制。<br>
技术实现思路
为了克服上述缺陷,本申请的目的在于提供一种用于平板显示装置的薄膜晶体管基板,该薄膜晶体管基板在相同的基板上具有至少两种特性彼此不同的薄膜晶体管。本申请的另一目的在于提供一种用于平板显示装置的薄膜晶体管基板,该薄膜晶体管基板具有通过最优化的制造工艺及最少化的掩模工艺来形成的两种不同类型的薄膜晶体管。为了实现所述目的,本申请提出一种显示装置,包括:第一区域和第二区域;设置在第一区域的第一薄膜晶体管,包括多晶半导体层、在多晶半导体层上的第一栅极电极、第一源极电极以及第一漏极电极;设置在第二区域的第二薄膜晶体管,包括第二栅极电极、在第二栅极电极上的氧化物半导体层、第二源极电极以及第二漏极电极;氮化物层,位于所述显示装置除第二区域外的区域上,并覆盖第一栅极电极;以及氧化物层,设置在第一栅极电极和第二栅极电极之上。在一实施例中,所述显示装置还包括驱动器,其中所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管中的至少一个设置在像素中,其中所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管中的至少一个设置在所述驱动器。在一实施例中,所述显示装置还包括覆盖所述多晶半导体层的栅极绝缘层。在一实施例中,所述第一栅极电极和第二栅极电极形成在所述栅极绝缘层上的同一层上。在一实施例中,所述第二薄膜晶体管是用于选择像素的开关元件,所述第一薄膜晶体管是用于驱动由第二薄膜晶体管选择的像素的有机发光二极管的驱动元件。在一实施例中,所述驱动器包括:输出数据电压的数据驱动器;分配数据驱动器的数据电压给数据线的多工器;以及输出扫描脉冲给栅极线的栅极驱动器;其中所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管中的至少一个设置在多工器和栅极驱动器中的任何一个。在一实施例中,所述第一源极电极设置在氧化物层上,并通过贯穿氧化物层、氮化物层和栅极绝缘层的源极接触孔连接到多晶半导体层的一部分,所述第一漏极电极设置在氧化物层上,并通过贯穿氧化物层、氮化物层和栅极绝缘层的漏极接触孔连接到多晶半导体层的另一部分,所述第二源极电极接触所述氧化物层上的氧化物半导体层的一部分,所述第二漏极电极接触所述氧化物层上的氧化物半导体层的另一部分。在一实施例中,所述氮化物层和氧化物层的每一个都具有至的厚度。在一实施例中,所述氮化物层设置在氧化物层之下。在一实施例中,所述显示装置还包括在第一区域中设置在氮化物层和第一栅极电极之间的下氧化物层。在一实施例中,所述氮化物层设置在氧化物层上。而且,本申请提出一种显示装置,包括:第一区域和第二区域;设置在第一区域中且包括多晶半导体材料的第一半导体层;覆盖第一半导体层的栅极绝缘层;设置在栅极绝缘层上并与第一半导体层重叠的第一栅极电极;在第二区域中设置在栅极绝缘层上的第二栅极电极;氮化物层,设置在所述显示装置除第二区域外的区域上,并覆盖第一栅极电极;覆盖第一栅极电极和第二栅极电极的氧化物层;在第二区域中设置在氧化物层上的第二半导体层,所述第二半导体层包括氧化物半导体材料并与第二栅极电极重叠;设置在氧化物层上的第一源极电极和第一漏极电极;以及设置在第二半导体层上的第二源极电极和第二漏极电极。在一实施例中,所述第一半导体层、第一栅极电极、第一源极电极和第一漏极电极构成第一薄膜晶体管;所述第二半导体层、第二栅极电极、第二源极电极和第二漏极电极构成第二薄膜晶体管。在一实施例中,所述显示装置还包括驱动器,其中所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管中的至少一个设置在像素中,所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管中的至少一个设置在所述驱动器。在一实施例中,所述第二薄膜晶体管是用于选择像素的开关元件,所述第一薄膜晶体管是用于驱动由第二薄膜晶体管选择的像素的有机发光二极管的驱动元件。在一实施例中,所述驱动器包括:输出数据电压的数据驱动器;分配数据驱动器的数据电压给数据线的多工器;以及输出扫描脉冲给栅极线的栅极驱动器;其中所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管中的至少一个设置在多工器和栅极驱动器中的任何一个。在一实施例中,所述第一源极电极通过贯穿氧化物层、氮化物层和栅极绝缘层的源极接触孔连接到第一半导体层的一部分,所述第一漏极电极通过贯穿氧化物层、氮化物层和栅极绝缘层的漏极接触孔连接到第一半导体层的另一部分,所述第二源极电极接触第二半导体层的一部分,所述第二漏极电极接触第二半导体层的另一部分。在一实施例中,所述氮化物层和氧化物层的每一个都具有至的厚度。在一实施例中,所述氮化物层设置在氧化物层之下。在一实施例中,所述显示装置还包括在第一区域中设置在氮化物层和第一栅极电极之间的下氧化物层。在一实施例中,所述氮化物层设置在氧化物层上。根据本申请的薄膜晶体管基板包括位于相同基板上的两种不同类型的薄膜晶体管,因此任意一种类型薄膜晶体管的缺点可以由另一类型的薄膜晶体管来弥补。特别是,由于包括具有低频驱动特性的薄膜晶体管,显示装置具有较少消耗功率的本文档来自技高网
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薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置

【技术保护点】
一种显示装置,包括:第一区域和第二区域;设置在第一区域的第一薄膜晶体管,包括多晶半导体层、在多晶半导体层上的第一栅极电极、第一源极电极以及第一漏极电极;设置在第二区域的第二薄膜晶体管,包括第二栅极电极、在第二栅极电极上的氧化物半导体层、第二源极电极以及第二漏极电极;氮化物层,位于所述显示装置除第二区域外的区域上,并覆盖第一栅极电极;以及氧化物层,设置在第一栅极电极和第二栅极电极之上。

【技术特征摘要】
2014.02.24 KR 10-2014-0021455;2014.02.24 KR 10-2011.一种显示装置,包括:
第一区域和第二区域;
设置在第一区域的第一薄膜晶体管,包括多晶半导体层、在多晶半导体层
上的第一栅极电极、第一源极电极以及第一漏极电极;
设置在第二区域的第二薄膜晶体管,包括第二栅极电极、在第二栅极电极
上的氧化物半导体层、第二源极电极以及第二漏极电极;
氮化物层,位于所述显示装置除第二区域外的区域上,并覆盖第一栅极电
极;以及
氧化物层,设置在第一栅极电极和第二栅极电极之上。
2.根据权利要求1所述的显示装置,还包括驱动器,
其中所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管中的至少一个设置在像素中,
以及
其中所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管中的至少一个设置在所述驱
动器。
3.根据权利要求1所述的显示装置,还包括覆盖所述多晶半导体层的栅
极绝缘层。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中所述第一栅极电极和第二栅极
电极形成在所述栅极绝缘层上的同一层上。
5.根据权利要求1所述的显示装置,
其中所述第二薄膜晶体管是用于选择像素的开关元件,
其中所述第一薄膜晶体管是用于驱动由第二薄膜晶体管选择的像素的有
机发光二极管的驱动元件。
6.根据权利要求2所述的显示装置,其中所述驱动器包括:
输出数据电压的数据驱动器;
分配数据驱动器的数据电压给数据线的多工器;以及
输出扫描脉冲给栅极线的栅极驱动器;
其中所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管中的至少一个设置在多工器
和栅极驱动器中的任何一个。
7.根据权利要求3所述的显示装置,
其中所述第一源极电极设置在氧化物层上,并通过贯穿氧化物层、氮化物
层和栅极绝缘层的源极接触孔连接到多晶半导体层的一部分,
其中所述第一漏极电极设置在氧化物层上,并通过贯穿氧化物层、氮化物
层和栅极绝缘层的漏极接触孔连接到多晶半导体层的另一部分,
其中所述第二源极电极接触所述氧化物层上的氧化物半导体层的一部分,
以及
其中所述第二漏极电极接触所述氧化物层上的氧化物半导体层的另一部
分。
8.根据权利要求1所述的显示装置,
其中所述氮化物层和氧化物层的每一个都具有至的厚度。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述氮化物层设置在氧化物层
之下。
10.根据权利要求9所述的显示装置,还包括在第一区域中设置在氮化物
层和第一栅极电极之间的下氧化物层。
11.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述氮化物层设置在氧...

【专利技术属性】
技术研发人员:李瑛长孙庚模赵圣弼朴帝薰李昭珩盧相淳朴文镐李成秦高承孝郑美真
申请(专利权)人:乐金显示有限公司
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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