薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法，该薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、有源层以及源漏极，其中，所述栅极、所述有源层以及所述源漏极中的至少一者由透明导电的纳米碳材料形成。本发明专利技术实施方式提供的薄膜晶体管采用透明导电的纳米碳材料形成，相比现有工艺所采用的金属或合金材料，纳米碳材料不但电阻率更小，而且透明度以及柔韧性更好，因此所得到的薄膜晶体管不但具有更好的信号传输性能，能够有效减小信号延迟，而且还有更好的透光性和柔韧性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示领域，尤其涉及一种。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。近年来TFT-LCD获得了飞速的发展，尤其是液晶电视发展的更为迅速，液晶电视成为TFT-1XD发展的一个主流。目前世界上最大的液晶电视已经超过100英寸。随着TFTL-LCD尺寸的不断增大、分辨率的不断提高，为了提高显示质量，采用了更高频率的驱动电路，图像信号的延迟变的更为严重，信号延迟成为制约大尺寸、高分辨率TFT-LCD显示效果的关键因素之一。TFTL-1XD信号的延迟主要由T = RC决定的，其中R为信号电阻，C为相关电容。在栅电极扫描线打开时，像素开始充电，由于信号延迟，使某些像素得不到充分的充电，造成亮度不均匀，使TFT-LCD的对比度下降，严重地影响了图像的显示质量。目前，制作TFT-LCD中的导电结构(如栅极、数据线)一般采用化学性质比较稳定的金属(如铜或银)或是其合金，由于TFT-LCD器件的尺寸较小、分辨率比本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括栅极、栅极绝缘层、有源层以及源漏极，其特征在于，所述栅极、所述有源层以及所述源漏极中的至少一者由透明导电的纳米碳材料形成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘翔，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11