垂直双极结型晶体管及其制造方法技术

本公开涉及一种垂直双极结型晶体管及其制造方法。所述垂直双极结型晶体管包括：高浓度掺杂区发射极引出端，设置在半导体基板上；高浓度掺杂区集电极引出端，设置在半导体基板上；高浓度掺杂区基极引出端，设置在发射极引出端和集电极引出端之间；具有第一掺杂浓度的漂移区，围绕发射极引出端并且比基极引出端或集电极引出端的任何一个深；基极层，设置在漂移区下方；集电极层，与基极层接触，集电极层具有比第一掺杂浓度高的第二掺杂浓度。使用低成本BCD工艺，可降低垂直双极结型晶体管的制造成本并且可提高电流增益。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】本申请要求于2014年2月21日在韩国知识产权局提交的第10-2014-0020851号韩国专利申请的权益，出于所有目的，将该申请的全部公开内容通过引用包含于此。
下面的描述涉及一种垂直双极结型晶体管器件及其制造方法。下面的描述涉及一种垂直双极结型晶体管的结构，该结构通过使用低成本的双极型-CMOS(互补金属氧化物半导体)-DMOS (双扩散金属氧化物半导体)(BCD)工艺来降低制造成本并可提高电流增益。
技术介绍
具有高电流增益的双极结型晶体管在诸如放大器、比较器和带隙基准电路的多种类型的模拟电路中广泛使用。在制造双极结型晶体管时，其优点不仅在于提高电流增益而且在于减少制造成本。在下面的描述中，也已经开发了使用双极型-CMOS-DMOS(Bra)工艺的方法来满足这些需求。B⑶工艺是构造成在一个半导体基板上同时包含诸如例如η沟道横向DMOS (nLDMOS)、P 沟道横向双扩散 MOS (pLDMOS)、隔离 CMOS、η 沟道 DMOS (nDMOS)、p 沟道DMOS(pDMOS)、垂直NPN、横向PNP以及肖特基二极管的多个器件的技术。然而，使用目前的B⑶工艺，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种垂直双极结型晶体管，所述垂直双极结型晶体管包括：高浓度掺杂区发射极引出端，设置在半导体基板上；高浓度掺杂区集电极引出端，设置在半导体基板上；高浓度掺杂区基极引出端，设置在发射极引出端和集电极引出端之间；漂移区，具有第一掺杂浓度，围绕发射极引出端并且比基极引出端或集电极引出端的任何一个深；基极层，设置在漂移区下方；以及集电极层，与基极层接触，集电极层具有比第一掺杂浓度高的第二掺杂浓度。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：弗朗索瓦·赫伯特，方演燮，赵城敏，金胄浩，
申请(专利权)人：美格纳半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR