温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开涉及一种垂直双极结型晶体管及其制造方法。所述垂直双极结型晶体管包括：高浓度掺杂区发射极引出端，设置在半导体基板上；高浓度掺杂区集电极引出端，设置在半导体基板上；高浓度掺杂区基极引出端，设置在发射极引出端和集电极引出端之间；具有第一掺杂...
该专利属于美格纳半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过美格纳半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。