半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种半导体装置，其使导通工作时电流所流通的路径分散，从而能够抑制局部发热。在半导体基板的半导体层内设置有n型的源极区、p型的体区、n型的漏极区以及n型的漂移区。漂移区具有第一漂移区、第二漂移区、第三漂移区以及低浓度漂移区。第一漂移区形成在体区与漏极区之间的半导体层的面临上表面的范围内。第二漂移区与第一漂移区相比n型杂质浓度较高，并与第一漂移区相接。第三漂移区与第二漂移区相比n型杂质浓度较高，并与第二漂移区相接。第一漂移区与第二漂移区相比向体区侧突出。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体装置。
技术介绍
例如，专利文献I中公开了一种具备横向型的MISFET的半导体装置。在该半导体装置中，在η型活性区的上表面侧具备η-型漂移区，所述η-型漂移区形成在半导体基板的面临上表面的范围内，且与η型活性区相比η型杂质浓度较低。由此，实现了对在导通工作时电流在半导体基板的上表面区域内集中并流通的情况的抑制。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2012-209459号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题可是，在专利文献I的半导体装置中，存在当导通工作时电流在η型活性区的上表面附近集中流通的倾向。由于电流在η型活性区的上表面附近集中并流通，从而半导体装置容易局部发热。本专利技术提供一种能够抑制局部发热的半导体装置。用于解决课题的方法本专利技术的第一方式所涉及的半导体装置具有:源极电极、栅电极、漏极电极、第一导电型的第一区域、第二导电型的第二区域、第一导电型的第三区域以及第一导电型的第四区域。第一区域形成在半导体基板中的面临上表面的范围内，并与源极电极连接。第二区域形成在面临上表面的范围内，并与第一区域相接，且隔着栅极绝缘膜而与栅电极对置。第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，具有：源极电极；栅电极；漏极电极；第一导电型的第一区域，其形成在半导体基板中的面临上表面的范围内，并与所述源极电极连接；第二导电型的第二区域，其形成在面临所述上表面的范围内，并与所述第一区域相接，且隔着栅极绝缘膜而与所述栅电极对置；第一导电型的第三区域，其形成在面临所述上表面的范围内，并与所述漏极电极连接；第一导电型的第四区域，其形成在面临所述上表面的范围内，并形成在所述第二区域与所述第三区域之间，且具有：第一漂移区，该第一漂移区形成在所述第二区域与所述第三区域之间的面临所述上表面的范围内；第二漂移区，该第二漂移区与所述第一漂移区相比第一导电型杂质浓度较高，并与所述第二区域与所...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：大川峰司，江口博臣，金原啓道，池田智史，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP