薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
本申请涉及一种在相同基板上具有两种不同类型的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置。
技术介绍
如今，随着信息化社会的发展，针对用以显示信息的显示装置的需求正在增加。因此，开发了多种平板显示装置(或FPD)以克服阴极射线管(或CRT)的缺点，例如重量高及体积大。平板显示装置包括液晶显示装置(或LCD)、等离子显示面板(或PDP)、有机发光显示装置(或OLED)以及电泳显示装置(或ED)。平板显示装置的显示面板可以包括在以矩阵方式排列的像素区域内设置有薄膜晶体管的薄膜晶体管基板。例如，液晶显示装置(或LCD)通过利用电场控制液晶层的光透射率以表现视频数据。有机发光二极管显示装置的以矩阵方式设置的每一像素中形成了有机发光二极管，因此有机发光二极管显示装置通过产生正确受控的光以表现视频数据。作为自发光显示装置，有机发光二极管显示装置具有响应速度非常快、亮度非常高及视角大的优点。利用了能量效率优异的有机发光二极管的有机发光二...
【技术保护点】
一种显示装置，包括：第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括多晶半导体层、所述多晶半导体层上的第一栅极电极、第一源极电极以及第一漏极电极；第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极电极、所述第二栅极电极上的氧化物半导体层、第二源极电极以及第二漏极电极；包括氮化物层及在所述氮化物层上的氧化物层的中间绝缘层，所述中间绝缘层设置在第一栅极电极和第二栅极电极之上并在所述氧化物半导体层之下；以及设置在氧化物半导体层上的蚀刻阻挡层。
【技术特征摘要】
2014.02.24 KR 10-2014-0021500;2014.02.24 KR 10-2011.一种显示装置，包括：
第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括多晶半导体层、所述多晶半导
体层上的第一栅极电极、第一源极电极以及第一漏极电极；
第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极电极、所述第二栅极
电极上的氧化物半导体层、第二源极电极以及第二漏极电极；
包括氮化物层及在所述氮化物层上的氧化物层的中间绝缘层，所述中间绝
缘层设置在第一栅极电极和第二栅极电极之上并在所述氧化物半导体层之下；
以及
设置在氧化物半导体层上的蚀刻阻挡层。
2.根据权利要求1所述的显示装置，还包括驱动器，
其中所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管中的至少一个设置在像素中，
以及
其中所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管中的至少一个设置在所述驱
动器。
3.根据权利要求1所述的显示装置，还包括覆盖所述多晶半导体层的栅
极绝缘层。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中所述第一栅极电极和第二栅极
电极形成在所述栅极绝缘层上。
5.根据权利要求1所述的显示装置，
其中所述第二薄膜晶体管是用于选择像素的开关元件，
其中所述第一薄膜晶体管是用于驱动由第二薄膜晶体管选择的像素的有
机发光二极管的驱动元件。
6.根据权利要求2所述的显示装置，其中所述驱动器包括：
输出数据电压的数据驱动器；
分配数据驱动器的数据电压给数据线的多工器；以及
输出扫描脉冲给栅极线的栅极驱动器；
其中所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管中的至少一个设置在多工器
和栅极驱动器中的任何一个。
7.根据权利要求3所述的显示装置，
其中所述第一源极电极设置在蚀刻阻挡层上，并通过贯穿蚀刻阻挡层、中
间绝缘层和栅极绝缘层的第一源极接触孔连接到多晶半导体层的一部分，
其中所述第一漏极电极设置在蚀刻阻挡层上，并通过贯穿蚀刻阻挡层、中
间绝缘层和栅极绝缘层的第一漏极接触孔连接到多晶半导体层的另一部分，
其中所述第二源极电极设置在蚀刻阻挡层上，并通过贯穿蚀刻阻挡层的第
二源极接触孔连接到氧化物半导体层的一部分，以及
其中所述第二漏极电极设置在蚀刻阻挡层上，并通过贯穿蚀刻阻挡层的第
二漏极接触孔连接到氧化物半导体层的另一部分。
8.根据权利要求1所述的显示装置，
其中所述第二源极电极设置在蚀刻阻挡层上，并接触氧化物半导体层的一
部分，以及
其中所述第二漏极电极设置在蚀刻阻挡层上，并接触氧化物半导体层的另
一部分。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述中间绝缘层还包括在氮化
物层之下以及在第一及第二栅极电极之上的下氧化物层。
10.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：李瑛长，孙庚模，李昭珩，郑昊暎，朴文镐，李成秦，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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