非易失性存储装置的擦除方法及应用该方法的存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种非易失性存储装置的擦除方法及应用该方法的存储装置。一种擦除包括多个存储块的非易失性存储装置的方法包括下述步骤：接收擦除命令；响应于擦除命令，擦除所述多个存储块中的选择的存储块；在执行用于检测选择的存储块是否被正常擦除的擦除确认操作的同时，执行检测连接到用于选择包括在选择的存储块中的串的至少一条选择线的选择晶体管的阈值电压是否改变的操作。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】非易失性存储装置的擦除方法及应用该方法的存储装置本专利申请要求于2013年12月19日提交的第10-2013-0159559号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的主题通过引用包含于此。
本专利技术构思大体上涉及一种非易失性存储装置的擦除方法和一种包括该擦除方法的存储装置。
技术介绍
半导体存储装置可以被分为易失性半导体存储装置或非易失性半导体存储装置。非易失性半导体存储装置即使在断电时也可以保留存储在其中的数据。根据使用的制造技术，存储在非易失性半导体存储装置中的数据可以是永久的或者可再编程的。非易失性半导体存储装置可以用于存储在计算机、航空电子设备、电信以及消费电子行业中的多种多样的应用中的用户数据、程序和微代码。
技术实现思路
本专利技术构思的实施例的一方面致力于提供一种擦除包括多个存储块的非易失性存储装置的方法。该方法包括下述步骤:接收擦除命令；响应于擦除命令，擦除存储块中的选择的存储块；在执行用于检测选择的存储块是否被正常擦除的擦除确认操作的同时，执行检测连接到用于选择包括在选择的存储块中的串的至少一条选择线的选择晶体管的阈值电压是否改变的操作。本专利技术构思的实施例的另一方面致力于提供一种存储装置，所述存储装置包括:至少一个非易失性存储装置，包括多个存储块，每个存储块具有连接到位线的多个串，每个串具有至少一条串选择线、多个存储单元以及串选择晶体管和接地选择晶体管中的至少一个；存储器控制器，被构造为控制所述至少一个非易失性存储装置，其中，存储器控制器包括坏标管理单元，所述坏标管理单元被构造为控制所述至少一个非易失性存储装置，以在执行对存储块中的选择的存储块的擦除过程的同时，检测在多个存储块中的选择的存储块的串选择晶体管和一个接地选择晶体管中的至少一个的阈值电压是否改变，来根据检测的结果对选择的存储块分配坏标，并且在所述至少一个非易失性存储装置的分配区域中存储坏标。本专利技术构思的实施例的又一方面致力于提供一种操作包括多个存储块的非易失性存储装置的方法。该方法包括下述步骤:在非易失性存储装置中接收用于非易失性存储装置的命令，以对多个存储块中的选择的存储块执行操作；响应于所述命令，执行检测连接到包括在选择的存储块中的用于选择串的至少一条选择线的选择晶体管的阈值电压是否改变的操作。利用本专利技术构思的实施例，能够通过在擦除操作时执行检测连接到选择线的选择晶体管的阈值电压的操作来改善数据的可靠性。【附图说明】在附图中示出了本专利技术构思的特定实施例的示例。图1示出了存储装置。图2是示意性地示出图1中示出的非易失性存储装置的框图。图3是图1中示出的存储块BLK的透视图。图4是示意性地示出存储块的透视图。图5是示意性地示出图4中示出的存储块的等效电路的电路图。图6是用于描述在擦除验证操作的同时检测连接到选择线的选择晶体管的阈值电压的图。图7是示意性地示出用于在擦除验证操作中检测连接到选择线的选择晶体管的阈值电压的偏置窗口的图。图8是示意性地示出根据第一实施例的擦除过程的流程图。图9是示意性地示出在擦除验证操作之前检测连接到选择线的选择晶体管的阈值电压的操作的图。图10是示意性地示出根据第二实施例的擦除过程的流程图。图11是示意性地示出在擦除操作之前检测连接到选择线的选择晶体管的阈值电压的操作以及在擦除验证操作的同时检测连接到选择线的选择晶体管的阈值电压的操作的图。图12是示意性地示出根据第三实施例的擦除过程的流程图。图13是示意性地示出驱动存储装置的方法的流程图。图14是示意性地示出固态驱动器的框图。图15是示意性地示出eMMC的框图。图16是示意性地示出UFS系统的框图。图17是示意性地示出移动装置的框图。【具体实施方式】将参照附图详细地描述实施例。然而，本专利技术构思可以以各种不同的形式实施，而不应被解释为仅局限于示出的实施例。相反，提供这些实施例作为示例，使得本公开将是彻底的和完整的，这些实施例将把本专利技术构思充分地传达给本领域技术人员。因此，未参照本专利技术构思的一些实施例描述已知的工艺、元件和技术。除非另外指出，否则相同的标号在附图和说明书中始终表示相同的元件，因此将不会重复说明。在附图中，为了清楚起见，可以夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。将理解的是，虽然在这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述不同的元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一区域、层或部分区分开来。因此，在不脱离本专利技术构思的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可以被命名为第二元件、组件、区域、层或部分。为了方便描述，在这里可使用空间相对术语，如“在…之下”、“在…下方”、“下面的”、“在……下”、“在…上方”、“上面的”等，来描述在附图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应该理解的是，空间相对术语意在包含除了在附图中描绘的方位之外的装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”或“下”的元件随后将被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因而，示例性术语“在…下方”和“在……下”可包括“在…上方”和“在…下方”两种方位。所述装置可被另外定位(旋转90度或者在其它方位)，并对在这里使用的空间相对描述符做出相应的解释。另外，还将理解的是，当层被称作“在”两个层“之间”时，该层可以是所述两个层之间的唯一层，或者也可以存在一个或更多个中间层。这里使用的术语仅为了描述特定实施例的目的，而不意图限制本专利技术构思。如这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式。还应理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意组合和全部组合。另外，术语“示例性”意图表示示例或说明。应该理解的是，当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”、“连接到” “结合到”或“邻近于”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接或直接结合到另一元件或层、或直接邻近于另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。相反，当元件被称作“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”、“直接结合到”或“直接邻近于”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本专利技术构思所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，除非这里明确这样定义，否则术语(例如在通用的字典中定义的术语)应该被解释为具有与相关领域和/或本说明书的环境中它们的意思一致的意思，而不将理想的或者过于正式的含义解释它们的意思。图1示出了存储装置10。存储装置10包括至少一个非易失性存储装置100和存储器控制器200，以控制所述至少一个非易失性存储装置100。非易失性存储装置100可以是NAND闪存、垂直NAND闪存(VNAND)、NOR闪存、电阻RAM(RRAM)、相变RAM(PRAM)、磁阻RAM(MRA本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种擦除包括多个存储块的非易失性存储装置的方法，该方法包括下述步骤：在非易失性存储装置中接收擦除命令；响应于擦除命令，擦除所述多个存储块中的选择的存储块；在执行用于检测选择的存储块是否被正常擦除的擦除确认操作的同时，执行检测连接到用于选择包括在选择的存储块中的串的至少一条选择线的选择晶体管的阈值电压是否改变的操作。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：南尚完，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR