一种半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在其上依次形成蚀刻停止层和第一超低k介电层，在第一超低k介电层中形成铜金属互连层；回蚀刻第一超低k介电层，在铜金属互连层的两侧形成凹槽；沉积具有压应力的覆盖层，覆盖铜金属互连层和凹槽；在覆盖层上沉积第二超低k介电层，并执行化学机械研磨直至露出位于铜金属互连层顶部的覆盖层；沉积第三超低k介电层，覆盖第二超低k介电层和覆盖层；对第三超低k介电层和第二超低k介电层实施紫外光固化处理，以使覆盖层位于铜金属互连层的顶部和上部侧壁上的部分具有张应力。根据本发明专利技术，可以形成具有双应力的覆盖层，有效抑制铜的扩散行为，提高紫外光固化的效率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成蚀刻停止层和第一超低k介电层，并在所述第一超低k介电层中形成铜金属互连层；回蚀刻所述第一超低k介电层，以在所述铜金属互连层的两侧形成凹槽；沉积具有压应力的覆盖层，以覆盖所述铜金属互连层的顶部以及所述凹槽的底部和侧壁；在所述覆盖层上沉积第二超低k介电层，并执行化学机械研磨直至露出位于所述铜金属互连层顶部的覆盖层；沉积第三超低k介电层，以覆盖所述第二超低k介电层和位于所述铜金属互连层顶部的覆盖层；对所述第三超低k介电层和所述第二超低k介电层实施紫外光固化处理，以使所述覆盖层位于所述铜金属互连层的顶部和上部侧壁上的部分具有张应力。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邓浩，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31