阵列基板及其制造方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，其中，该阵列基板包括：第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管形成于衬底基板的上方，第一薄膜晶体管为多晶硅薄膜晶体管，第二薄膜晶体管为金属氧化物薄膜晶硅管或非晶硅薄膜晶体管，第一薄膜晶体管位于阵列基板的周边区域，第二薄膜晶体管位于阵列基板的显示区域。本发明专利技术的技术方案可有效的解决多晶硅薄膜晶体管无法应用于6G以上的大尺寸显示面板的生产的问题，彻底突破准分子激光晶化工艺瓶颈的限制，有非常高的应用价值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别涉及阵列基板及其制造方法、显示装置。
技术介绍
随着显示面板的尺寸不断地增大，驱动电路的频率不断地提高，显示面板的周边区域的集成度也会相应提高，现有的非晶硅薄膜晶体管电子迀移率很难满足工作要求。为此，生产厂商将显示面板中的非晶硅薄膜晶体管替换为电子迀移率较高的多晶硅薄膜晶体管。现有技术在制备多晶硅层时，往往采用如下三种技术进行制备:固相晶化(Solid Phase Crystallizat1n，简称 SPC)、金属诱导横向晶化(Metal-1nduced LateralCrystallizat1n，简称MILC)和准分子激光退火(Excimer Laser Anneal，简称准分子激光晶化)。其中，在利用准分子激光退火工艺制备多晶硅的过程中，由于熔化结晶过程非常短，对衬底的热冲击很小，可使用不耐高温的廉价玻璃甚至塑料衬底等特点，从而受到了广大面板生产厂商的青睐。然而，在进行6G以上的大尺寸显示面板加工时，受到激光脉冲宽幅的限制，会使得制备出的多晶硅层的均一性较差，从而直接影响到了薄膜晶体管的均一性，进而影响到显示面板的画面显示。因此，多晶硅薄膜晶体管不再适合于6G以上的大尺寸显示面板的生产。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，可有效地解决多晶硅薄膜晶体管无法应用于6G以上的大尺寸显示面板的生产的问题。为实现上述目的，本专利技术提供了一种阵列基板的制造方法，包括:在衬底基板的上方形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管为多晶硅薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管为金属氧化物薄膜晶体管或非晶硅薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管位于所述阵列基板的周边区域，所述第二薄膜晶体管位于所述阵列基板的显示区域。可选地，所述第二薄膜晶体管为金属氧化物薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括:多晶硅半导体层，所述第二薄膜晶体管包括:金属氧化半导体层，所述金属氧化物半导体层的材料为非晶金属氧化物；所述在所述衬底基板的上方形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的步骤具体包括:在所述衬底基板的上方沉积一层非晶硅薄膜；对所述非晶硅薄膜进行构图工艺，以在所述阵列基板的边缘区域形成非晶硅图形；对所述非晶硅图形进行结晶工艺处理，以使所述非晶硅图形转化为多晶硅图形，所述多晶硅图形构成所述多晶硅半导体层；在所述多晶硅半导体层和所述衬底基板的上方形成所述第一绝缘层；在所述第一绝缘层的上方沉积一层非晶金属氧化物薄膜；对所述非晶金属氧化物薄膜进行构图工艺，以在所述阵列基板的显示区域形成非晶金属氧化物图形，所述非晶金属氧化物图形构成所述金属氧化半导体层。可选地，所述第二薄膜晶体管为金属氧化物薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括:多晶硅半导体层，所述第二薄膜晶体管包括:金属氧化半导体层，所述金属氧化物半导体层的材料为结晶金属氧化物；所述在所述衬底基板的上方形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的步骤具体包括:在所述衬底基板的上方沉积一层非晶硅薄膜；对所述非晶硅薄膜进行构图工艺，以在所述阵列基板的边缘区域形成非晶硅图形；在所述非晶硅图形和所述衬底基板的上方形成所述第一绝缘层；在所述第一绝缘层的上方沉积一层非晶金属氧化物薄膜；对所述非晶金属氧化物薄膜进行构图工艺，以在所述阵列基板的显示区域形成非晶金属氧化物图形；对所述非晶硅图形和所述非晶金属氧化物图形进行结晶工艺处理，以使所述非晶硅图形转化为多晶硅图形，所述非晶金属氧化物图形转化为结晶金属氧化物图形，所述多晶硅图形构成所述多晶硅半导体层，所述结晶金属氧化物图形构成所述金属氧化物半导体层O可选地，所述第一薄膜晶体管还包括:第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第二薄膜晶体管还包括:第二栅极、第二源极和第二漏极；形成金属氧化物半导体层的步骤之后还包括:在所述金属氧化物半导体层和所述第一绝缘层的上方形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层的上方形成第一栅极和第二栅极，所述第一栅极位于所述阵列基板的周边区域，所述第二栅极位于所述阵列基板的显示区域；在所述第一栅极、所述第二栅极和所述第二绝缘层的上方形成第三绝缘层；在所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层上对应所述多晶硅半导体层的区域形成第一过孔，以及在所述第二绝缘层和所述第三绝缘层上对应所述金属氧化物半导体层的区域形成第二过孔；在所述第三绝缘层的上方形成第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极，所述第一源极和所述第一漏极通过所述第一过孔与所述多晶硅半导体层连接，所述第二源极和所述第二漏极通过所述第二过孔与所述金属氧化物半导体层连接；在所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极、所述第二漏极和所述第三绝缘层的上方形成第四绝缘层，所述第四绝缘层上对应所述第一漏极的区域形成有第三过孔，所述第四绝缘层上对应所述第二漏极的区域形成有第四过孔；在所述第四绝缘层的上方形成第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极通过所述第三过孔与所述第一漏极连接，所述第二像素电极通过所述第四过孔与所述第二漏极连接。可选地，所述第二薄膜晶体管为非晶硅薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括:多晶硅半导体层，所述第二薄膜晶体管包括:非晶硅半导体层；所述在所述衬底基板的上方形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的步骤具体包括:在所述衬底基板的上方沉积一层非晶硅薄膜；对所述非晶硅材料进行构图工艺，以在所述阵列基板的边缘区域和显示区域均形成非晶硅图形，位于所述衬底基板的显示区域的非晶硅图形构成非晶硅半导体层；对位于所述衬底基板的周边区域的非晶硅图形进行结晶工艺处理，以使位于所述衬底基板的周边区域的非晶硅图形转化为多晶硅图形，位于所述衬底基板的周边区域的多晶硅图形构成所述多晶硅半导体层。可选地，所述第一薄膜晶体管还包括:第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第二薄膜晶体管还包括:第二栅极、第二源极和第二漏极；形成多晶硅半导体层的步骤之后还包括:在所述非晶硅半导体层、所述多晶硅半导体层和所述衬底基板的上方形成第五绝缘层；在所述第五绝缘层的上方形成第一栅极和第二栅极，所述第一栅极位于所述阵列基板的周边区域，所述第二栅极位于所述阵列基板的显示区域；在所述第一栅极、所述第二栅极和所述第五绝缘层的上方形成第六绝缘层；在所述第五绝缘层和所述第六绝缘层上对应所述多晶硅半导体层的区域形成第五过孔，以及在所述第五绝缘层和第六绝缘层上对应所述非晶硅半导体层的区域形成第六过孔；在所述第六绝缘层的上方形成第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极，所述第一源极和所述第一漏极通过所述第五过孔与所述多晶硅半导体层连接，所述第二源极和所述第二漏极通过所述第六过孔与所述非晶硅半导体层连接；在所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极、所述第二漏极和所述第六绝缘层的上方形成第七绝缘层，所述第七绝缘层上对应所述第一漏极的区域形成有第七过孔，所述第七绝缘层上对应所述第二漏极的区域形成有第八过孔；在所述第七绝缘层的上方形成第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极通过所述第七过孔与所述第一漏极连接，所述第二像素电极通过所述第八过孔与所述第二漏极连接。可选地，所述结晶工艺处理包括:固相晶化处理、激光晶化工艺或者热退火工艺。为实现上述目的，本专利技术还提供一种阵列基板，包括:第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：在衬底基板的上方形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管为多晶硅薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管为金属氧化物薄膜晶体管或非晶硅薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管位于所述阵列基板的周边区域，所述第二薄膜晶体管位于所述阵列基板的显示区域。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘翔，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11