阵列基板及其制造方法、显示装置制造方法及图纸

技术编号:13829864 阅读:57 留言:0更新日期:2016-10-13 16:37
本发明专利技术公开一种阵列基板及其制造方法、显示装置,属于显示技术领域。阵列基板包括:衬底基板,衬底基板上形成有相互绝缘的多个金属层,多个金属层中存在至少两个金属层中的每个金属层包括公共电极线,且至少两个金属层中的公共电极线相互连接。本发明专利技术解决了阵列基板的开口率较低的问题,达到了提高阵列基板的开口率的效果。本发明专利技术用于阵列基板。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
,特别涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置
技术介绍
液晶显示器(英文:Liquid Crystal Display;简称:LCD)包括对盒成形的阵列基板和彩膜基板,以及充填在阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。请参考图1,其示出了相关技术提供的一种阵列基板00的俯视图,参见图1,阵列基板00包括:衬底基板(图1中未示出),衬底基板上形成有多根栅线001和多根数据线002,各个数据线002与各个栅线001交叉且绝缘,相邻的两根栅线001与相邻的两根数据线002围成像素区,每个像素区内形成有相互绝缘的公共电极线003和像素电极004,像素电极004位于公共电极线003的上方,公共电极线003与栅线001位于同一层,且为了避免公共电极线003与栅线001接触导致短路,通常会在公共电极线003与栅线001之间设置一定的间距。在实现本专利技术的过程中,专利技术人发现相关技术至少存在以下问题:由于公共电极线与栅线位于同一层,且公共电极线与栅线之间具有一定的间距,阵列基板上该公共电极线、栅线以及该间距对应的区域均无法实现图像显示,因此,阵列基板的开口率较低。
技术实现思路
为了解决阵列基板的开口率较低的问题,本专利技术提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置。所述技术方案如下:第一方面,提供一种阵列基板,所述阵列基板包括:衬底基板,所述衬底基板上形成有相互绝缘的多个金属层,所述多个金属层中存在至少两个金属层中的每个金属层包括公共电极线,且所述至少两个金属层中的公共电极线相互连接。可选地,所述至少两个金属层中每两个相邻的金属层之间形成有绝缘层,所述绝缘层上形成有过孔,所述至少两个金属层中的公共电极线通过过孔相互连接。可选地,所述至少两个金属层包括:栅极金属层和源漏极金属层,所述衬底基板上形成有所述栅极金属层,所述栅极金属层包括第一公共电极线;形成有所述栅极金属层的衬底基板上形成有栅绝缘层,所述栅绝缘层上形成有第一过孔;形成有所述栅绝缘层的衬底基板上形成有所述源漏极金属层,所述源漏极金属层包括第二公共电极线,所述第二公共电极线通过所述第一过孔与所述第一公共电极线连接。可选地,所述至少两个金属层还包括:像素电极层,形成有所述源漏极金属层的衬底基板上形成有中间绝缘层,所述中间绝缘层上形成有第二过孔;形成有所述中间绝缘层的衬底基板上形成有所述像素电极层,所述像素电极层包括第三公共电极线,所述第三公共电极线通过所述第二过孔与所述第二公共电极线连接。可选地,所述至少两个金属层包括:栅极金属层、源漏极金属层和像素电极层,所述衬底基板上形成有所述栅极金属层,所述栅极金属层包括第一公共电极线;形成有所述栅极金属层的衬底基板上形成有栅绝缘层,所述栅绝缘层上形成有第一过孔;形成有所述栅绝缘层的衬底基板上形成有所述源漏极金属层,所述源漏极金属层包括第二公共电极线;形成有所述源漏极金属层的衬底基板上形成有中间绝缘层,所述中间绝缘层上形成有第二过孔,所述第二过孔与所述第一过孔连通,且所述第二过孔的开口面的面积大于所述第一过孔的开口面的面积;形成有所述中间绝缘层的衬底基板上形成有所述像素电极层,所述像素电极层包括第三公共电极线,所述第三公共电极线通过所述第二过孔与所述第二
公共电极线连接,所述第三公共电极线通过所述第一过孔与所述第一公共电极线连接。可选地,所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影与所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域。可选地,所述栅极金属层还包括栅线,所述栅线与所述第一公共电极线不接触;所述源漏极金属层还包括数据线,所述数据线与所述第二公共电极线不接触。可选地,所述栅极金属层还包括栅极,所述栅极与所述栅线连接;所述源漏极金属层还包括源极和漏极,所述源极与所述漏极不接触,且所述源极与所述数据线连接;所述像素电极层还包括像素电极,所述像素电极与所述第三公共电极线不接触,所述中间绝缘层上还形成有漏极过孔,所述像素电极通过所述漏极过孔与所述漏极连接。第二方面,提供一种阵列基板的制造方法,所述方法包括:在衬底基板上形成相互绝缘的多个金属层,所述多个金属层中存在至少两个金属层中的每个金属层包括公共电极线,且所述至少两个金属层中的公共电极线相互连接。可选地,所述在衬底基板上形成相互绝缘的多个金属层,所述多个金属层中存在至少两个金属层中的每个金属层包括公共电极线,且所述至少两个金属层中的公共电极线相互连接,包括:在所述衬底基板上形成相互绝缘的多个金属层,所述多个金属层中存在至少两个金属层中的每个金属层包括公共电极线,且所述至少两个金属层中每两个相邻的金属层之间形成有绝缘层,所述绝缘层上形成有过孔,所述至少两个金属层中的公共电极线通过过孔相互连接。可选地,所述至少两个金属层包括:栅极金属层和源漏极金属层,所述在所述衬底基板上形成相互绝缘的多个金属层,所述多个金属层中存在至少两个金属层中的每个金属层包括公共电极线,且所述至少两个金属层中每两个相邻的金属层之间形成有绝缘层,所述绝缘层上形成有过孔,所述至少两个金属层中的公共电极线通过过孔相互连接,包括:在所述衬底基板上形成所述栅极金属层,所述栅极金属层包括第一公共电极线;在形成有所述栅极金属层的衬底基板上形成栅绝缘层;在所述栅绝缘层上形成第一过孔;在形成有所述栅绝缘层的衬底基板上形成所述源漏极金属层,所述源漏极金属层包括第二公共电极线,所述第二公共电极线通过所述第一过孔与所述第一公共电极线连接。可选地,所述至少两个金属层还包括:像素电极层,所述在所述衬底基板上形成相互绝缘的多个金属层,所述多个金属层中存在至少两个金属层中的每个金属层包括公共电极线,且所述至少两个金属层中每两个相邻的金属层之间形成有绝缘层,所述绝缘层上形成有过孔,所述至少两个金属层中的公共电极线通过过孔相互连接,还包括:在形成有所述源漏极金属层的衬底基板上形成中间绝缘层;在所述中间绝缘层上形成第二过孔;在形成有所述中间绝缘层的衬底基板上形成所述像素电极层,所述像素电极层包括第三公共电极线,所述第三公共电极线通过所述第二过孔与所述第二公共电极线连接。可选地,所述至少两个金属层包括:栅极金属层、源漏极金属层和像素电极层,所述在所述衬底基板上形成相互绝缘的多个金属层,所述多个金属层中存在至少两个金属层中的每个金属层包括公共电极线,且所述至少两个金属层中每两个相邻的金属层之间形成有绝缘层,所述绝缘层上形成有过孔,所述至少两个金属层中的公共电极线通过过孔相互连接,包括:在所述衬底基板上形成所述栅极金属层,所述栅极金属层包括第一公共电极线;在形成有所述栅极金属层的衬底基板上形成栅绝缘层;在形成有所述栅绝缘层的衬底基板上形成所述源漏极金属层,所述源漏极金属层包括第二公共电极线;在形成有所述源漏极金属层的衬底基板上形成中间绝缘层;通过一次构图工艺在所述中间绝缘层上形成第二过孔,在所述栅绝缘层上
形成第一过孔,所述第二过孔与所述第一过孔连通,且所述第二过孔的开口面的面积大于所述第一过孔的开口面的面积;在形成有所述中间绝缘层的衬底基板上形成所述像素电极层,所述像素电极层包括第三公共电极线,所述第三公共电极线通过所述第二过孔与所述第二公共电极线连接,所述第三公共电极线通过所述第一过孔与所述第一公共电极线连接。可本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:衬底基板,所述衬底基板上形成有相互绝缘的多个金属层,所述多个金属层中存在至少两个金属层中的每个金属层包括公共电极线,且所述至少两个金属层中的公共电极线相互连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:衬底基板,所述衬底基板上形成有相互绝缘的多个金属层,所述多个金属层中存在至少两个金属层中的每个金属层包括公共电极线,且所述至少两个金属层中的公共电极线相互连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述至少两个金属层中每两个相邻的金属层之间形成有绝缘层,所述绝缘层上形成有过孔,所述至少两个金属层中的公共电极线通过过孔相互连接。3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述至少两个金属层包括:栅极金属层和源漏极金属层,所述衬底基板上形成有所述栅极金属层,所述栅极金属层包括第一公共电极线;形成有所述栅极金属层的衬底基板上形成有栅绝缘层,所述栅绝缘层上形成有第一过孔;形成有所述栅绝缘层的衬底基板上形成有所述源漏极金属层,所述源漏极金属层包括第二公共电极线,所述第二公共电极线通过所述第一过孔与所述第一公共电极线连接。4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述至少两个金属层还包括:像素电极层,形成有所述源漏极金属层的衬底基板上形成有中间绝缘层,所述中间绝缘层上形成有第二过孔;形成有所述中间绝缘层的衬底基板上形成有所述像素电极层,所述像素电极层包括第三公共电极线,所述第三公共电极线通过所述第二过孔与所述第二公共电极线连接。5.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述至少两个金属层包
\t括:栅极金属层、源漏极金属层和像素电极层,所述衬底基板上形成有所述栅极金属层,所述栅极金属层包括第一公共电极线;形成有所述栅极金属层的衬底基板上形成有栅绝缘层,所述栅绝缘层上形成有第一过孔;形成有所述栅绝缘层的衬底基板上形成有所述源漏极金属层,所述源漏极金属层包括第二公共电极线;形成有所述源漏极金属层的衬底基板上形成有中间绝缘层,所述中间绝缘层上形成有第二过孔,所述第二过孔与所述第一过孔连通,且所述第二过孔的开口面的面积大于所述第一过孔的开口面的面积;形成有所述中间绝缘层的衬底基板上形成有所述像素电极层,所述像素电极层包括第三公共电极线,所述第三公共电极线通过所述第二过孔与所述第二公共电极线连接,所述第三公共电极线通过所述第一过孔与所述第一公共电极线连接。6.根据权利要求4或5所述的阵列基板,其特征在于,所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影与所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域。7.根据权利要求4或5所述的阵列基板,其特征在于,所述栅极金属层还包括栅线,所述栅线与所述第一公共电极线不接触;所述源漏极金属层还包括数据线,所述数据线与所述第二公共电极线不接触。8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述栅极金属层还包括栅极,所述栅极与所述栅线连接;所述源漏极金属层还包括源极和漏极,所述源极与所述漏极不接触,且所述源极与所述数据线连接;所述像素电极层还包括像素电极,所述像素电极与所述第三公共电极线不接触,所述中间绝缘层上还形成有漏极过孔,所述像素电极通过所述漏极过孔
\t与所述漏极连接。9.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,所述方法包括:在衬底基板上形成相互绝缘的多个金属层,所述多个金属层中存在至少两个金属层中的每个金属层包括公共电极线,且所述至少两个金属层中的公共电极线相互连接。10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述在衬底基板上形成相互绝缘的多个金属层,所述多个金属层中存在至少两个金属层中的每个金属层包括公共电极线,且所述至少两个金属层中的公共电极线相互连接,包括:在所述衬底基板上形成相互绝缘的多个金属层,所述多个金属层中存在至少两个金属层中的每个金属层包括公共电极线,且所述至少两个金属层中每两个相邻的金属...

【专利技术属性】
技术研发人员:杜国琛
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司北京京东方显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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