半导体发光器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。所述器件还可包括：第一电极，其连接至第一导电类型半导体层；和第二电极，其连接至第二导电类型半导体层并具有焊盘区和在一个方向上从焊盘区延伸的指区。第二电极可包括：透明电极部件，其布置在第二导电类型半导体层上，并在其中包括至少一个开口；至少一个反射部件，其在所述开口中与透明电极部件分隔开，并且设置在焊盘区和指区中；以及接合部件，其布置在反射部件的至少一部分上，并包括在指区中彼此分隔开的多个接合指部件和设置在焊盘区中的接合焊盘部件。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用 本申请要求于2013年6月17日提交于韩国知识产权局的韩国专利申请 No. 10_2〇13-0069192的优先权，该申请的公开以引用方式并入本文中。
与示例性实施例一致的器件和方法涉及。
技术介绍
半导体发光器件是这样一种半导体器件，由于当电流施加至该半导体器件时电子 和空穴在其P型半导体层和η型半导体层之间的接合部分处复合，该半导体器件能够发射 各种颜色的光。与基于灯丝的发光器件相比，半导体发光器件具有各种优点，诸如相对长的 寿命、低功耗、卓越的初始驱动特征和高抗振性。因此，对半导体发光器件的需求持续增加。 具体地说，能够发射单波长区的蓝光的第III族氮化物半导体近来尤为突出。 通过在衬底上生长包括η型氮化物半导体层和ρ型氮化物半导体层以及形成在它 们之间的有源层的发光结构来获得利用这种第III族氮化物半导体的发光器件。在这种情 况下，可在发光结构的表面上形成电极，以便将外部电信号施加至所述结构。随着对大功率 和高效率半导体发光器件的需求增加，需要能够防止光反射率劣化并显著减小电流浓度的 电极结构。
技术实现思路
示例性实施例提供了一种，所述半导体发光器件通 过显著减小光吸收和有效地分布电流而具有改进的亮度。 根据示例性实施例的一方面，提供了一种半导体发光器件，其包括：发光结构，其 包括第一导电类型半导体层、设置在第一导电类型半导体层上的有源层和设置在有源层上 的第二导电类型半导体层；第一电极，其设置在第一导电类型半导体层上；以及第二电极， 其具有焊盘区和从焊盘区延伸的指区，其中，第二电极包括：透明电极部件，其设置在第二 导电类型半导体层上，并具有设置在焊盘区和指区中的开口；反射部件，其设置在焊盘区和 指区中的透明电极部件的开口中的第二导电类型半导体层上，并在开口中与透明电极部件 分隔开；以及接合部件，其包括：多个接合指部件，其设置在指区中的反射部件上并彼此分 隔开；以及接合焊盘部件，其设置在焊盘区中的反射部件上。 接合焊盘部件可覆盖焊盘区中的透明电极部件的开口，并延伸至透明电极部件 上。 接合焊盘部件在焊盘区中的透明电极部件的开口中可介于透明电极部件与反射 部件之间。 所述多个接合指部件可延伸跨过指区中的透明电极部件的开口并延伸至透明电 极部件上。 所述多个接合指部件在指区中的透明电极部件的开口中可介于透明电极部件与 反射部件之间。 所述多个接合指部件中的每一个接合指部件可与所述多个接合指部件中的相邻 接合指部件分隔开预定距离。 接合部件还可包括连接部件，其从接合焊盘部件延伸，并连接接合指部件。 接合指部件在指区从焊盘区延伸的第一方向上可具有第一宽度，并且在垂直于第 一方向的第二方向上可具有第二宽度，并且其中，第二宽度大于第一宽度。 接合焊盘部件的面积可大于接合指部件中的每一个接合指部件的面积，并且接合 焊盘部件可具有圆形形状，该圆形形状具有大于接合指部件的第二宽度的第三宽度。 半导体发光器件还可包括电流阻挡层，其在焊盘区中的透明电极部件的开口中介 于反射部件与第二导电类型半导体层之间。 第一电极可包括：第一反射部件，其设置在第一导电类型半导体层上；以及第一 接合部件，其设置在第一反射部件上。 第一电极可具有第一焊盘区和从第一焊盘区延伸的第一指区，并且第一电极可包 括：第一反射部件，其设置在第一导电类型半导体层上，第一反射部件包括布置在第一焊盘 区中的反射焊盘部件和布置在第一指区中并彼此分隔开的多个反射指部件；以及第一接合 部件，其设置在第一焊盘区和第一指区中的第一反射部件上。 第一接合部件可设置在所述多个反射指部件之间的第一导电类型半导体层上。 半导体发光器件还可包括光漫射层，其设置在第一导电类型半导体层上，并暴露 出第一导电类型半导体层的一部分，其中，第一电极包括：第一反射部件，其设置在光漫射 层和第一导电类型半导体层的暴露部分上；以及第一接合部件，其设置在第一反射部件上。 第一电极可具有第一焊盘区和从第一焊盘区延伸的多个第一指区，其中，第二电 极的指区可包括从第二电极的焊盘区延伸的多个第二指区，并且第一电极的第一指区和第 二电极的第二指区可交替地布置以形成电流分散网。 【附图说明】 通过以下结合附图的详细描述，将更加清楚地理解以上和其它方面，其中： 图1是根据示例性实施例的半导体发光器件的示意性平面图； 图2是沿着线ΙΙ-ΙΓ截取的图1的半导体发光器件的示意性剖视图； 图3是沿着线ΠΙΑ-IIIA'和线IIIB-IIIB'截取的图1的半导体发光器件的示意 性剖视图； 图4是示出根据示例性实施例的半导体发光器件的第二电极的另一示例的局部 切除的透视图； 图5是根据示例性实施例的半导体发光器件的示意性平面图； 图6是沿着线VIA-VIA'和线VIB-VIB'截取的图5的半导体发光器件的示意性剖 视图； 图7是根据示例性实施例的半导体发光器件的示意性平面图； 图8是沿着线VIIIA-VIIIA'和线VIIIB-VIIIB'截取的图7的半导体发光器件的 示意性剖视图； 图9A至图9F是示出制造根据示例性实施例的半导体发光器件的方法中的各主要 工艺的剖视图； 图10是根据示例性实施例的半导体发光器件的示意性平面图； 图11是沿着线)QA-XIA'和线ΠΒ-XIB'截取的图1〇的半导体发光器件的示意性 剖视图； 图12是根据示例性实施例的半导体发光器件的示意性平面图； 图13是沿着线ΧΠΙ-ΧΙΙΓ截取的图12的半导体发光器件的示意性剖视图； 图14是根据示例性实施例的半导体发光器件的示意性平面图； 图15是沿着线XIV-XIV'截取的图14的半导体发光器件的示意性剖视图； 图16是根据示例性实施例的半导体发光器件的示意性平面图； 图17是示出根据示例性实施例的布置第二接合部件的方法的示图； 图18和图19是分别示出将根据示例性实施例的半导体发光器件应用于封装件的 示例的示图； 图20和图21是分别示出将根据示例性实施例的半导体发光器件应用于背光部件 的示例的示图； 图22是示出将根据示例性实施例的半导体发光器件应用于发光装置的示例的示 图；以及 图23是示出将根据示例性实施例的半导体发光器件应用于前灯的示例的示图。 【具体实施方式】 下文中，将参照附图详细描述示例性实施例。然而，本申请的专利技术构思可按照许多 不同的形式实现，并且不应理解为限于本文阐述的示例性实施例。此外，提供这些示例性实 施例以使得本公开将是彻底和完整的，并且将把本专利技术构思的范围完全传递给本领域技术 人员。在图中，为了清楚起见，可夸大元件的形状和尺寸，并且相同的附图标记将始终指代 相同或相似的元件。 图1是根据示例性实施例的半导体发光器件的示意性平面图。 图2是沿着线Π -ΙΓ截取的图1的半导体发光器件的示意性剖视图。 图3是沿着线ΙΠΑ-ΙΙΙΑ'和线IIIB-IIIB'截取的图1的半导体发光器件的示意 性剖视图。 参照图1至图3,半导体发光器件100可包括衬底101、设置在衬底1〇1上的缓冲 层110和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光器件，包括：发光结构，其包括第一导电类型半导体层、设置在所述第一导电类型半导体层上的有源层和设置在所述有源层上的第二导电类型半导体层；第一电极，其设置在所述第一导电类型半导体层上；以及第二电极，其具有焊盘区和从所述焊盘区延伸的指区，其中，所述第二电极包括：透明电极部件，其设置在所述第二导电类型半导体层上，并具有设置在所述焊盘区和所述指区中的开口；反射部件，其设置在所述焊盘区和所述指区中的透明电极部件的开口中的第二导电类型半导体层上，并在所述开口中与所述透明电极部件分隔开；以及接合部件，其包括：多个接合指部件，其设置在所述指区中的反射部件上并彼此分隔开；以及接合焊盘部件，其设置在所述焊盘区中的反射部件上。

【技术特征摘要】
2013.06.17 KR 10-2013-00691921. 一种半导体发光器件，包括： 发光结构，其包括第一导电类型半导体层、设置在所述第一导电类型半导体层上的有 源层和设置在所述有源层上的第二导电类型半导体层； 第一电极，其设置在所述第一导电类型半导体层上；以及 第二电极，其具有焊盘区和从所述焊盘区延伸的指区，其中，所述第二电极包括： 透明电极部件，其设置在所述第二导电类型半导体层上，并具有设置在所述焊盘区和 所述指区中的开口； 反射部件，其设置在所述焊盘区和所述指区中的透明电极部件的开口中的第二导电类 型半导体层上，并在所述开口中与所述透明电极部件分隔开；以及 接合部件，其包括：多个接合指部件，其设置在所述指区中的反射部件上并彼此分隔 开；以及接合焊盘部件，其设置在所述焊盘区中的反射部件上。2. 根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述接合焊盘部件覆盖所述焊盘区 中的透明电极部件的开口，并延伸至所述透明电极部件上，并且 所述接合焊盘部件在所述焊盘区中的透明电极部件的开口中介于所述透明电极部件 与所述反射部件之间。3. 根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述多个接合指部件延伸跨过所述 指区中的透明电极部件的开口并延伸至所述透明电极部件上，并且 所述多个接合指部件在所述指区中的透明电极部件的开口中介于所述透明电极部件 与所述反射部件之间。4. 根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述多个接合指部件中的每一个接 合指部件与所述多个接合指部件中的相邻接合指部件分隔开预定距离。5. 根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述接合部件还包括连接部件，其从 所述接合焊盘部件延伸，并连接所述接合指部件。6. 根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述接合指部件在所述指区从所述 焊盘区延伸的第一方向上具有第一宽度，并且在垂直于所述第一方向的第二方向上具有第 二宽度，并且 其中，所述第二宽度大于所述第一宽度。7. 根据权利要求6所述的半导体发光器件，其中，所述接合焊盘部件的面积大于所述 接合指部件中的每一个接合指部件的面积，并且所述接合焊盘部件具有圆形形状，该圆形 形状具有大于所述接合指部件的第二宽度的第三宽度。8. 根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括电流阻挡层，其在所述焊盘区中的 透明电极部件的开口中介于所述反射部件与所述第二导电类型半导体层之间。9. 根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述第一电极包括： 第一反射部件，其设置在所述第一导电类型半导体层上；以及 第一接合部件，其设置在所述第一反射部件上。10. 根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述第一电极具有第一焊盘区和从 所述第一焊盘区延伸的第一指区，并且 所述第一电极包括： 第一反射部件，其设置在所述第一导电类型半导体层上，所述第一反射部件包括布置 在所述第一焊盘区中的反射焊盘部件和布置在所述第一指区中并彼此分隔开的多个反射 指部件；以及 第一接合部件，其设置在所述第一焊盘区和所述第一指区中的第一反射部件上。11. 根据权利要求10所述的半导体发光器件，其中，所述第一接合部件设置在所述多 个反射指部件之间的第一导电类型半导体层上。12. 根据权利要求1所述的半导体发光器件，还...

【专利技术属性】
技术研发人员：金基石，李相奭，李守烈，林璨默，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR