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本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。所述器件还可包括：第一电极，其连接至第一导电类型半导体层；和第二电极，其连接至第二导电类型半导体...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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