非挥发性嵌入存储器抗干扰的改善方法技术

本发明专利技术公开了一种非挥发性嵌入存储器抗干扰的改善方法，包括：1）利用光刻胶，通过光罩定义公用源层次图形；2）注入公用源；3）去除公用源层次光刻胶；4）在950℃以上的温度下进行快速热处理，其中，热处理的时间5秒以上。本发明专利技术能有效地改善非挥发性存储器写入操作过程中的抗干扰能力。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种，包括：1）利用光刻胶，通过光罩定义公用源层次图形；2）注入公用源；3）去除公用源层次光刻胶；4）在950℃以上的温度下进行快速热处理，其中，热处理的时间5秒以上。本专利技术能有效地改善非挥发性存储器写入操作过程中的抗干扰能力。【专利说明】
本专利技术涉及一种半导体领域中的存储器抗干扰的改善方法，特别是涉及一种。
技术介绍
非挥发性存储器在系统关闭或无电源供应时，仍能继续保持数据信息，其中，该非挥发性存储器可分为两类:电荷阱型存储器和浮栅型存储器。在浮栅型的非挥发性存储器中，电荷被存储在浮栅中，它们在无电源供应的情况下仍然可以保持。 然而，一般的非挥发性存储器的写入操作是通过在存储器的公用源端加高压实现的，原有的工艺(如图1所示)是通过在公用源区的注入工艺来形成公用源端的，其中，单个存储单元结构示意图如图2所示。在写的过程中被选中单元公用源端加高压，对应的字线和位线也加适当电压，原有工艺下被执行写操作单元邻近的单元也易被写，这就是非挥发性存储器的干扰过程，如图3所示。 因此，对于非挥发性存储器的写入操作的原有工艺，有必要进行进一步的改善干扰研究。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种。通过该方法，能有效地改善非挥发性存储器写入过程中的干扰。 为解决上述技术问题，本专利技术的，包括步骤: I)利用光刻胶，通过光罩定义公用源层次图形； 2)注入公用源； 3)去除公用源层次光刻胶； 4)在950°C以上的温度下进行快速热处理，其中，热处理的时间5秒以上。 所述步骤2)中，注入公用源中，一般利用N型杂质、注入浓度约为I X 114CnT2进行公用源注入。 所述步骤3)中，去除公用源层次光刻胶的方法，包括:采用灰化和湿法去胶的方式去除公用源层次光刻胶。 本专利技术中，在原有的公用源端的制造流程后，增加一步温度高于950°C、时间超过5秒的快速热处理，从而能改善非挥发性存储器写入操作过程中的抗干扰能力。 另外，对于浮栅型的嵌入式非挥发性存储器来说，在写入操作时的干扰是影响芯片正常工作的主要原因，而通过本专利技术的方法，在制造工艺中增加一步快速热处理，就能改善存储器写入操作过程中的干扰。其中，干扰从机理上说是存在一定的漏电路径，通过快速热处理可以掐断这些漏电路径，从而改善非挥发性存储器写入操作过程中的抗干扰能力。 【专利附图】【附图说明】 下面结合附图与【具体实施方式】对本专利技术作进一步详细的说明: 图1是原有的非挥发性存储器的写入操作的制作工艺流程示意图； 图2是单个存储单元示意图； 图3是一个字节的示意图； 图4是本专利技术的非挥发性存储器的写入操作的制作工艺流程示意图； 图5是本专利技术的一个良率测试程序中的干扰测试结果； 图6是本专利技术的另一个良率测试程序中的干扰测试结果。 其中，图2-3中的附图标记说明如下: I 为公用源(Common source), 2 为浮栅(Floating gate), 3 为字线(Word line),4为位线(Bit line), a为被选择单元，b与c为邻近单元。 【具体实施方式】 本专利技术的(如图4所示)，包括步骤: I)利用光刻胶，通过光罩定义公用源层次图形； 2)注入公用源；该步骤中，一般利用N型杂质、注入浓度约为I X 114CnT2进行公用源注入； 3)采用常规的灰化和湿法去胶，去除公用源层次光刻胶； 4)在950°C以上的温度下进行快速热处理，其中，热处理的时间5秒以上。 其中，步骤1-3)中，可按照原有的非挥发性存储器的写入操作的制作工艺进行。 根据上述步骤的工艺流程，与原有的非挥发性存储器的写入操作的制作工艺经试验比较发现:在生产线上的分片试验及后续的良率测试结果可以看到，增加一步快速热过程的处理确实可以改善非挥发性存储器写入操作时的抗干扰能力(如图5-6所示)。其中，图5-6为两种不同的抗干扰测试，并且图中所显示的数值越大，说明抗干扰能力越弱。【权利要求】1.一种，其特征在于，包括步骤: 1)利用光刻胶，通过光罩定义公用源层次图形； 2)注入公用源； 3)去除公用源层次光刻胶； 4)在950°C以上的温度下进行快速热处理，其中，热处理的时间5秒以上。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于:所述步骤2)的注入公用源中，利用N型杂质、注入浓度为I X 114CnT2进行公用源注入。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于:所述步骤3)中，去除公用源层次光刻胶的方法，包括:采用灰化和湿法去胶的方式去除公用源层次光刻胶。【文档编号】H01L21/324GK104241290SQ201310250223【公开日】2014年12月24日 申请日期:2013年6月21日 优先权日:2013年6月21日 【专利技术者】陆涵蔚, 曹俊 申请人:上海华虹宏力半导体制造有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非挥发性嵌入存储器抗干扰的改善方法，其特征在于，包括步骤：1）利用光刻胶，通过光罩定义公用源层次图形；2）注入公用源；3）去除公用源层次光刻胶；4）在950℃以上的温度下进行快速热处理，其中，热处理的时间5秒以上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陆涵蔚，曹俊，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31