一种嵌入式存储器的数据保护方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术适用于存储器技术领域，提供了一种嵌入式存储器的数据保护方法及装置。所述方法包括：在嵌入式存储器上电后，选取所述嵌入式存储器中有效数据量大于或等于第一阈值的存储块作为校验块，并对所述校验块进行ECC校验；将校验后错误比特数大于或等于第二阈值的校验块或者出现重读的校验块标记为问题块，并对所述问题块上的有效数据进行预替换。本发明专利技术通过对错误比特数达到第二阈值的存储块上的数据或者出现重读的闪存块上的数据进行预替换，能大大减少嵌入式存储器中存储块上数据出错的概率，从而有效提高嵌入式存储器性能的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于存储器
，尤其涉及一种嵌入式存储器的数据保护方法及装置。
技术介绍
现有的嵌入式存储器，如eMMC等，在经过表面组装技术(Surface MountTechnology, SMT)之后，由于回流炉的高温，会造成嵌入式存储器中某些写入有数据的存储块的错误比特数显著上升，从而使得预先写入所述嵌入式存储器的数据变得不稳定，进而影响嵌入式存储器性能的稳定性。
技术实现思路
鉴于此，本专利技术实施例提供一种嵌入式存储器的数据保护方法及装置，以解决预先写有数据的嵌入式存储器在经过SMT工艺过炉之后错误比特数上升造成预先写入嵌入式存储器的数据不稳定，从而使得嵌入式存储器的性能不稳定的问题。第一方面，本专利技术实施例提供了一种嵌入式存储器的数据保护方法，所述嵌入式存储器至少包括一多层单元闪存，所述方法包括:在嵌入式存储器上电后，选取所述嵌入式存储器中有效数据量大于或等于第一阈值的存储块作为校验块，并对所述校验块进行ECC校验；将校验后错误比特数大于或等于第二阈值的校验块或者出现重读的校验块标记为问题块，并对所述问题块上的有效数据进行预替换。第二方面，本专利技术实施例提供了一种嵌入式存储器的数据保护装置，所述嵌入式存储器至少包括一多层单元闪存，所述装置包括:校验单元，用于在嵌入式存储器上电后，选取所述嵌入式存储器中有效数据量大于或等于第一阈值的存储块作为校验块，并对所述校验块进行ECC校验；替换单元，用于将校验后错误比特数大于或等于第二阈值的校验块或者出现重读的校验块标记为问题块，并对所述问题块上的有效数据进行预替换。本专利技术实施例与现有技术相比存在的有益效果是:本专利技术实施例通过对错误比特数达到第二阈值的存储块上的数据或者出现重读的闪存块上的数据进行预替换，能大大减少嵌入式存储器中存储块上数据出错的概率，从而有效提高嵌入式存储器性能的稳定性，具有较强的易用性和实用性。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的嵌入式存储器的数据保护方法的实现流程示意图；图2是本专利技术实施例提供的嵌入式存储器的数据保护装置的结构示意图。【具体实施方式】以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透切理解本专利技术实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本专利技术。在其它情况中，省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本专利技术的描述。为了说明本专利技术所述的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明。图1为本专利技术实施例提供的嵌入式存储器的数据保护方法的实现流程，其主要包括以下步骤:在步骤SlOl中，在嵌入式存储器上电后，选取所述嵌入式存储器中有效数据量大于或等于第一阈值的存储块作为校验块，并对所述校验块进行ECC校验。示例性的，本专利技术实施例可以选取有效数据量大于或等于50%的存储块作为校验块，并对所述校验块进行错误检查和纠正(Error Correcting Code，ECC)校验。其中50%只是举例说明，在此并不用以限定本专利技术。需要说明的是，本专利技术实施例所述有效数据是相对无效数据而言的，本领域技术人员可以理解的，由于闪存的特性，某些存储块在写入一定数据量之后才会更稳定，所以在写入一些有效数据之后，会填充一些无效的数据；还有一些闪存页上面的数据因为重新写过之后，闪存只能整块擦除，所以无效数据还会继续留在闪存页上。另外，所述嵌入式存储器包括控制器和闪存，所述闪存至少包括一多层单元闪存。由于单层单元闪存(Single-Level Cell，SLC)(每个单元(cell)存储一个位(bit)的信息)中所有的页均稳定可靠，多层单元闪存(Mult1-Level Cell，MLC)(每个单元(cell)至少存储两个位(bit)的信息)中部分页稳定可靠。这里称多层单元闪存中稳定可靠的页为最低有效位页，其他页为非最低有效位页。在本专利技术实施例中，为了便于理解，把单层单元闪存中的存储块以及多层单元闪存中只在最低有效位页中写入数据的存储块称为SLC块；多层单元闪存中既在最低有效位页写入数据也在非最低有效位页上写入数据的存储块称为MLC块。为了提高效率，由于SLC块中的数据稳定可靠，即使所述SLC块中的有效数据量达到第一阈值也不作为校验块，因此本专利技术实施例可以只选取所述多层单元闪存中有效数据量大于或等于第一阈值的存储块作为校验块。在步骤S102中，将校验后错误比特数大于或等于第二阈值的校验块或者出现重读的校验块标记为问题块，并对所述问题块上的有效数据进行预替换。其中，所述重读是指在ECC校验失败后，通过预设的闪存指令调整参考电压，重新读取存储块中的有效数据。示例性的，本专利技术实施例所述第二阈值可以设定为ECC最大值的1/2。其中1/2只是举例说明，在此并不用以限定本专利技术。另外，在本专利技术实施例中，所述对所述问题块上的有效数据进行预替换可以包括:选取所述嵌入式存储器中空的存储块作为替换块；将所述问题块上的有效数据搬移到所述替换块。其中，所述空的存储块指的是未写入任何数据的存储块或者写入数据后又擦除为空的存储块。优选的是，本专利技术实施例可以在所述嵌入式存储器空闲时对所述问题块上的有效数据进行预替换；所述嵌入式存储器空闲是指所述嵌入式存储器不需要执行所述主机的命令。进一步的，本专利技术实施例在将校验后错误比特数大于或等于第二阈值的校验块或者出现重读的校验块标记为问题块之后，还包括:检测连续出现问题块的个数；在连续出现问题块的个数大于或等于第三阈值时，将所述嵌入式存储器中所有写入有效数据的MLC块标记为问题块，所述MLC块是指多层单元闪存中既在最低有效位页写入数据也在非最低有效位页上写入数据的存储块。例如，可以设定在所述嵌入式存储器上电后连续检测到3个或3个以上的问题块时，将所述嵌入式存储器中所有写入有效数据的MLC块标记为问题块，并对所述问题块上的有效数据进行预替换。作为本专利技术的另一较佳实施例，本专利技术实施例在将所述问题块上的有效数据搬移到所述替换块之后，还可以包括:对搬移到所述替换块上的有效数据进行ECC校验，判断搬移到所述替换块上的有效数据的错误比特数是否小于第二阈值，若是，则擦除该问题块；若否，将该替换块标记为坏块，并将该问题块上的有效数据搬移到新的替换块。重复执行上述步骤，直到搬移到所述替换块上的有效数据的错误比特数小于第二阈值或者全部空的存储块都替换完。进一步的，由于频繁的读写、擦除会影响存储块的使用寿命，从而影响嵌入式存储器的使用寿命，为了减少预替换对嵌入式存储器使用寿命的影响，本专利技术实施例还包括:在嵌入式存储器上电后，检测所述嵌入式存储器的上电次数，当所述嵌入式存储器的上电次数小于第四阈值(例如100次)时，执行上述步骤SlOl和步骤S102;当检测到所述嵌入式存储器上电次数大于或等于第四阈值时，不执行上述步骤SlOl和步骤S102。进一步的，本专利技术实施例还可以包括:当所述嵌入式存储器中所有写入有有效数据的MLC本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种嵌入式存储器的数据保护方法，其特征在于，所述嵌入式存储器至少包括一多层单元闪存，所述方法包括：在嵌入式存储器上电后，选取所述嵌入式存储器中有效数据量大于或等于第一阈值的存储块作为校验块，并对所述校验块进行ECC校验；将校验后错误比特数大于或等于第二阈值的校验块或者出现重读的校验块标记为问题块，并对所述问题块上的有效数据进行预替换。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李志雄，邓恩华，郭丹，
申请(专利权)人：深圳市江波龙电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44