具有硅片刻号读取及硅片存储装置的双曝光平台之曝光机制造方法及图纸

一种具有硅片刻号读取及硅片存储装置的双曝光平台之曝光机，包括：硅片刻号读取装置，设置在硅片入端和具有硅片刻号读取及硅片存储装置的双曝光平台之曝光机的第一曝光平台和第二曝光平台之间；硅片存储装置，用于存储前层曝光机台与当前闲置机台不一致之硅片；第一曝光平台和第二曝光平台，第一曝光平台用于曝光前层曝光机台为第一曝光平台的硅片，第二曝光平台用于曝光前层曝光机台为第二曝光平台的硅片。本发明专利技术通过在硅片入端和第一曝光平台和第二曝光平台之间设置硅片刻号读取装置，并根据硅片之刻号信息获得硅片之前层曝光机台信息，以保证后层曝光机台与前层曝光机台一致，不仅提高硅片前后层堆叠对准度，而且改善产品质量，提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】
具有硅片刻号读取及硅片存储装置的双曝光平台之曝光机
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种具有硅片刻号读取及硅片存储装置的双曝光平台之曝光机。
技术介绍
众所周知，在半导体领域现有的双曝光平台曝光机对所述待曝光之晶圆未作识另IJ，并随机的将所述晶圆送至任一曝光平台进行曝光。明显地，同一晶圆之不同功能层势必出现不在同一曝光平台上曝光的情形，进而导致所述晶圆之前后层的堆叠对准误差不可控。 故针对现有技术存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的经验，积极研究改良，于是有了本专利技术一种具有硅片刻号读取及硅片存储装置的双曝光平台之曝光机。
技术实现思路
本专利技术是针对现有技术中，传统的曝光机导致同一晶圆之不同功能层势必出现不在同一曝光平台上曝光的情形，进而导致所述晶圆之前后层的堆叠对准误差不可控等缺陷提供一种具有硅片刻号读取及硅片存储装置的双曝光平台之曝光机。 本专利技术之又一目的是针对现有技术中，传统的曝光机导致同一晶圆之不同功能层势必出现不在同一曝光平台上曝光的情形，进而导致所述晶圆之前后层的堆叠对准误差不可控等缺陷提供一种具有硅片刻号读取及硅片存储装置的双曝光平台之曝光机的工作方法。 为了解决上述问题，本专利技术提供一种具有硅片刻号读取及硅片存储装置的双曝光平台之曝光机，所述曝光机包括:硅片刻号读取装置，设置在硅片入端和具有硅片刻号读取及硅片存储装置的双曝光平台之曝光机的第一曝光平台和第二曝光平台之间；硅片存储装置，用于存储前层曝光机台与当前闲置机台不一致之硅片；第一曝光平台和第二曝光平台，所述第一曝光平台用于曝光前层曝光机台为第一曝光平台的硅片，所述第二曝光平台用于曝光前层曝光机台为第二曝光平台的硅片。 可选地，所述硅片之刻号与所述硅片之前层曝光机台对应，根据所述硅片之刻号获取所述硅片之前层曝光机台信息。 可选地，所述闲置机台为在所述硅片完成刻号读取，并即将输入至所述曝光机台时，所述第一曝光平台或所述第二曝光平台未进行曝光工艺的机台。 为实现本专利技术之又一目的，本专利技术提供一种具有硅片刻号读取及硅片存储装置的双曝光平台之曝光机的工作方法，所述工作方法，包括以下步骤: 执行步骤S1:所述硅片从所述硅片入端进入所述具有硅片刻号读取及硅片存储的双曝光平台之曝光机，并在所述硅片刻号读取装置处读取所述硅片之刻号，进而根据所述硅片之刻号获取所述硅片之前层曝光机台信息； 执行步骤S2:若所述硅片之前层曝光机台与当前闲置机台一致，则将所述硅片传送至所述闲置机台曝光；若所述硅片之前层曝光机台与当前闲置机台不一致，则所述硅片存储在所述硅片存储装置，待异于所述闲置机台的第一曝光平台或第二曝光平台完成曝光后，所述硅片传输之所述第一曝光平台或第二曝光平台进行曝光。 可选地，所述曝光机在工作时，进一步包括以下步骤: 执行步骤S3:在所述硅片之前层曝光机台与当前闲置机台不一致，所述硅片存储在所述硅片存储装置上，且所述硅片入端同时进行下一硅片处理。 综上所述，本专利技术所述具有硅片刻号读取及硅片存储装置的双曝光平台之曝光机通过在所述硅片入端和所述第一曝光平台和所述第二曝光平台之间设置所述硅片刻号读取装置，并根据所述硅片之刻号信息获得所述硅片之前层曝光机台信息，以保证后层曝光机台与所述前层曝光机台一致，不仅提高所述硅片前后层堆叠对准度，而且改善产品质量，提闻广品良率。 【附图说明】 图1所示为本专利技术具有硅片刻号读取及硅片存储装置的双曝光平台之曝光机的结构示意图。 【具体实施方式】 为详细说明本专利技术创造的
技术实现思路
、构造特征、所达成目的及功效，下面将结合实施例并配合附图予以详细说明。 请参阅图1，图1所示为本专利技术具有硅片刻号读取及硅片存储装置的双曝光平台之曝光机的结构示意图。所述具有硅片刻号读取及硅片存储装置的双曝光平台之曝光机1，包括:硅片刻号读取装置11，所述硅片刻号读取装置11设置在所述硅片入端12和所述具有硅片刻号读取及硅片存储装置的双曝光平台之曝光机I的第一曝光平台13a和第二曝光平台13b之间，用于读取所述硅片2之刻号，并根据所述硅片2之刻号获取所述硅片2之前层曝光机台信息；硅片存储装置14，所述硅片存储装置14用于存储前层曝光机台与当前闲置机台13不一致之娃片2 ;第一曝光平台13a和第二曝光平台13b,所述第一曝光平台13a用于曝光前层曝光机台为第一曝光平台13a的娃片2,所述第二曝光平台13b用于曝光前层曝光机台为第二曝光平台13b的娃片2。 其中，所述硅片2之刻号与所述硅片2之前层曝光机台对应，故可以根据所述硅片2之刻号获取所述硅片2之前层曝光机台信息。在本专利技术中，所述闲置机台13定义为在所述硅片2完成刻号读取，并即将输入至所述曝光机台时，所述第一曝光平台13a或所述第二曝光平台13b未进行曝光工艺的机台。 为更直观的揭露本专利技术之技术方案，凸显本专利技术之有益效果，现结合具体的实施方式为例对所述具有硅片刻号读取及硅片存储的双曝光平台之曝光机的工作原理进行阐述。所述具有硅片刻号读取及硅片存储的双曝光平台之曝光机I在工作时，包括以下步骤: 执行步骤S1:所述硅片2从所述硅片入端12进入所述具有硅片刻号读取及硅片存储的双曝光平台之曝光机1，并在所述硅片刻号读取装置11处读取所述硅片2之刻号，进而根据所述硅片2之刻号获取所述硅片2之前层曝光机台信息； 执行步骤S2:若所述硅片2之前层曝光机台与当前闲置机台13 —致，则将所述硅片2传送至所述闲置机台13曝光；若所述硅片2之前层曝光机台与当前闲置机台13不一致，则所述硅片2存储在所述硅片存储装置14，待异于所述闲置机台13的第一曝光平台13a或第二曝光平台13b完成曝光后，所述硅片2传输之所述第一曝光平台13a或第二曝光平台13b进行曝光。 具体地，例如所述第一曝光平台13a为当前闲置机台13，所述第二曝光平台13b为当前曝光机台，且从所述硅片2之刻号获取所述硅片2的前层曝光机台为所述第二曝光平台13b，则所述硅片2暂存在所述硅片存储装置14内，待所述第二曝光平台13b完成曝光后，将所述硅片2输入至所述第二曝光平台13b进行曝光工艺，以确保所述硅片2之前层曝光机台和所述硅片2之后层曝光机台一致。 作为本领域技术人员，容易理解地，为提高生产效率，所述具有硅片刻号读取及硅片存储装置的双曝光平台之曝光机I在工作时，还包括以下步骤: 执行步骤S3:在所述硅片2之前层曝光机台与当前闲置机台13不一致，所述硅片2存储在所述硅片存储装置14上，且所述硅片入端12同时进行下一硅片2处理。 显然地，本专利技术所述具有硅片刻号读取及硅片存储装置的双曝光平台之曝光机I通过在所述硅片入端12和所述第一曝光平台13a和所述第二曝光平台13b之间设置所述硅片刻号读取装置11，并根据所述硅片2之刻号信息获得所述硅片2之前层曝光机台信息，以保证后层曝光机台与所述前层曝光机台一致，不仅提高所述硅片前后层堆叠对准度，而且改善广品质量，提闻广品良率。 综上所述，本专利技术所述具有硅片刻号读取及硅片存储装置的双曝光平台之曝光机通过在所述硅片入端和所述第一曝光平台和所述第二曝光平台之间设置所述硅片刻号读取装置，并根据所述硅片之刻号信息获得所述硅片之前层曝本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有硅片刻号读取及硅片存储装置的双曝光平台之曝光机，其特征在于，所述曝光机包括： 硅片刻号读取装置，设置在硅片入端和具有硅片刻号读取及硅片存储装置的双曝光平台之曝光机的第一曝光平台和第二曝光平台之间； 硅片存储装置，用于存储前层曝光机台与当前闲置机台不一致之硅片； 第一曝光平台和第二曝光平台，所述第一曝光平台用于曝光前层曝光机台为第一曝光平台的硅片，所述第二曝光平台用于曝光前层曝光机台为第二曝光平台的硅片。

【技术特征摘要】
1.一种具有硅片刻号读取及硅片存储装置的双曝光平台之曝光机，其特征在于，所述曝光机包括: 硅片刻号读取装置，设置在硅片入端和具有硅片刻号读取及硅片存储装置的双曝光平台之曝光机的第一曝光平台和第二曝光平台之间； 硅片存储装置，用于存储前层曝光机台与当前闲置机台不一致之硅片； 第一曝光平台和第二曝光平台，所述第一曝光平台用于曝光前层曝光机台为第一曝光平台的硅片，所述第二曝光平台用于曝光前层曝光机台为第二曝光平台的硅片。2.如权利要求1所述的具有硅片刻号读取及硅片存储装置的双曝光平台之曝光机，其特征在于，所述硅片之刻号与所述硅片之前层曝光机台对应，根据所述硅片之刻号获取所述硅片之前层曝光机台信息。3.如权利要求1所述的具有硅片刻号读取及硅片存储装置的双曝光平台之曝光机，其特征在于，所述闲置机台为在所述硅片完成刻号读取，并即将输入至所述曝光机台时，所述第一曝光平台或所述第二曝光平台未进行曝光工艺的机台。4.一种如权利要求1所述的具有...

【专利技术属性】
技术研发人员：童立峰，戴韫青，王剑，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31