定向自组装工艺/邻近校正的方法技术

本发明专利技术涉及一种定向自组装工艺/邻近校正的方法，其是一种制造集成电路的方法，包含下列步骤：设计光学光罩用于形成预图案开口于在半导体基板上的光阻层中，其中，该光阻层及该预图案开口涂上经受定向自组装DSA以形成DSA图案的自组装材料。设计该光学光罩的步骤包括：使用计算系统，输入DSA目标图案，以及使用该计算系统，应用DSA模型于该DSA目标图案以产生第一DSA定向图案。此外，设计该光学光罩的步骤包括：使用该计算系统，计算该DSA目标图案与该DSA定向图案之间的残差，以及使用该计算系统，应用该DSA模型于该第一DSA定向图案及该残差以产生第二更新DSA定向图案。产生该第二更新DSA定向图案的步骤包括线性化自洽场理论方程式。

【技术实现步骤摘要】
定向自组装工艺/邻近校正的方法相关申请案的交互参照本申请案为申请于2012年10月24日、标题为“定向自组装工艺/邻近校正的方法(METHODSFORDIRECTEDSELF-ASSEMBLYPROCESS/PROXIMITYCORRECTION)”的美国专利申请案第13/659,453号的部份延续案，其内容全部并入本文作为参考资料。
本揭示内容的具体实施例皆涉及制造集成电路的方法。更特别的是，本揭示内容的具体实施例是涉及在设计集成电路(IC)时用以定向自组装工艺/邻近校正(DSAPC)的方法。
技术介绍
半导体装置通常包含形成于基板(substrate)上方的电路网。该装置可包含数层的电路配线，以及用来使这些层互相连接及连接至底下任何晶体管的各种互连。一般而言，作为制造工艺的一部份，形成通孔或接触孔，其转移至另一层然后填满金属以形成互连，使得各层的电路相互电气通讯。形成互连的
技术介绍
方法大致依赖一系列的微影及蚀刻步骤以定义通孔的位置及尺寸，接着定义对应互连的位置及尺寸。为此目的，可使用光阻及硬掩模。不过，用习知用于量产的光学微影技术(例如，193纳米干式及浸润式微影技术)所形成的特本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造集成电路的方法，其包含：设计光学光罩用于形成预图案开口于半导体基板上的光阻层中，其中，该光阻层及该预图案开口涂上经受定向自组装(DSA)的自组装材料以形成DSA图案，以及其中，设计该光学光罩的该步骤包括：使用计算系统，输入DSA目标图案；使用该计算系统，应用DSA模型于该DSA目标图案以产生第一DSA定向图案；使用该计算系统，计算该DSA目标图案与该DSA定向图案之间的残差；以及使用该计算系统，应用该DSA模型于该第一DSA定向图案及该残差以产生第二更新DSA定向图案，其中，产生该第二更新DSA定向图案包括线性化自洽场理论方程式。

【技术特征摘要】
2013.02.22 US 13/774,8221.一种制造集成电路的方法，其包含：设计光学光罩用于形成预图案开口于半导体基板上的光阻层中，其中，该光阻层及该预图案开口涂上经受定向自组装(DSA)的自组装材料以形成DSA图案，以及其中，设计该光学光罩的步骤包括：使用计算系统，输入DSA目标图案；使用该计算系统，应用DSA模型于该DSA目标图案以产生第一DSA定向图案；使用该计算系统，计算该DSA目标图案与该DSA定向图案之间的残差；以及使用该计算系统，应用该DSA模型于该第一DSA定向图案及该残差以产生第二更新DSA定向图案，其中，产生该第二更新DSA定向图案包括线性化自洽场理论方程式。2.根据权利要求1所述的方法，其中，输入该DSA目标图案包括：输入线条及空间图案、孤立线条图案或接触孔图案中之一或更多。3.根据权利要求1所述的方法，其中，线性化该自洽场理论方程式包括：线性化两个联立非线性、非局部方程式。4.根据权利要求3所述的方法，其中，线性化该自洽场理论方程式包括线性化下列两个方程式：在此wA＝wA(x)与wB＝wB(x)为各自作用于嵌段共聚物的相A及B的未知自洽场，ρ0为恒定总密度参数，κ为压缩率参数，ρw＝ρw(x,d)为局限壁的密度或化学外延预图案刷子或垫子的密度，且是空间坐标x与定向图案参数d的函数，ρA(x)及ρB(x)各自为嵌段共聚物相的密度，且是wA与wB的函数，而χAB为以该嵌段共聚物相的相互作用为特征的弗洛里参数。5.根据权利要求4所述的方法，其中，以求解佛客-普朗克反应扩散偏微分方程式来算出ρA与ρB的值。6.根据权利要求4所述的方法，其中，将密度向量ρ线性近似成：ρ≈ρ(0)+Kw，在此为密度的组合向量，为未知自洽场理论SCFT场wA＝wA(x)及wB＝wB(x)的组合向量，为作用于场的向...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·拉特波夫，
申请(专利权)人：格罗方德半导体公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛;KY