元件基板及其制造方法技术

一种元件基板及其制造方法。元件基板包含基底以及图案化遮光层。图案化遮光层位于基底上，图案化遮光层具有多个像素开口以及多个第一曝光开口，且每一第一曝光开口与每一像素开口的面积或/且形状不同。

【技术实现步骤摘要】
元件基板及其制造方法
本专利技术涉及一种元件基板及其制造方法，且特别涉及一种具有曝光开口的元件基板及其制造方法。
技术介绍
近年来，随着信息技术、无线移动通讯和信息家电的快速发展与应用，为了达到更便利、体积更轻巧化以及更人性化的目的，许多信息产品已由传统的键盘或鼠标等输入装置，转变为使用触控显示面板作为输入装置，其中触控显示面板更为现今最流行的产品。现有的触控显示面板主要是由主动元件阵列基板、对向基板(例如彩色滤光基板)以及配置于上述二基板之间的显示介质所组成。再者，多个主间隙物以及多个次间隙物位于主动元件阵列基板与对向基板之间，且例如是可配置于对向基板或主动元件阵列基板上。在现有的触控显示面板的元件基板(例如对向基板、彩色滤光基板或主动元件阵列基板等)的制造方法中，需要藉由相转移光罩(phaseshiftmask)、半调式光罩(halftonemask)或灰阶光罩(graytonemask)来制作出高度不同的主间隙物及次间隙物。然而，间隙物的材料一般为透明材料且UV透光率高，因此曝光量要很低才能达到高段差(即高度差大)的需求，但此段差的控制能力受限于相转移光罩、半调式光罩或灰阶光罩在低穿透时的稳定度。再者，由于相转移光罩、半调式光罩或灰阶光罩在出厂后透光率已为固定值，因此会使得曝光量的可调整范围亦受限。此外，相转移光罩、半调式光罩或灰阶光罩还具有成本昂贵以及备料时间较长等问题。因此，如何可用一般的光罩(亦即，不使用相转移光罩、半调式光罩或灰阶光罩)来制作出高度不同的主间隙物及次间隙物且具有良好的段差(即高度差)控制能力，实为目前显示面板的生产技术上亟待克服的课题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种元件基板及其制造方法，可用一般的光罩来制作出高度不同的主间隙物及次间隙物且具有良好的段差控制能力。本专利技术提出一种元件基板，包含基底以及图案化遮光层。图案化遮光层位于基底上，图案化遮光层具有多个像素开口以及多个第一曝光开口，且每一第一曝光开口与每一像素开口的面积或/且形状不同。本专利技术另提出一种元件基板，具有多个次像素区，且元件基板包含基底以及多个间隙物。多个间隙物配置于基底上，间隙物的材料包含光敏材料。各间隙物具有顶部、连接部以及底部，连接部位于顶部与底部之间，其中连接部的光敏材料的交联密度小于或等于顶部及底部中至少一个的光敏材料的交联密度，或者是连接部的光敏材料的分解强度大于或等于顶部及底部中至少一个的光敏材料的分解强度。本专利技术又提出一种元件基板的制造方法，其包含以下步骤。提供基底。形成图案化遮光层于基底上，图案化遮光层具有多个像素开口以及多个第一曝光开口，且每一第一曝光开口与每一像素开口的面积或/且形状不同。形成光阻材料层于图案化遮光层上。对光阻材料层进行曝光工艺与显影工艺，以形成多个第一间隙物于基底上，其中第一间隙物的垂直投影分别与第一曝光开口重叠。基于上述，除了可用一般的光罩为遮罩对光阻材料层进行正曝之外，还可以图案化遮光层为遮罩对光阻材料层进行背曝，其中光阻材料层可为负型光阻或正型光阻。如此一来，可藉由正曝、背曝、不曝光及显影等步骤的搭配使用不同曝光剂量(饱和曝光/非饱和曝光)或不同波长组成的控制，以制作出高度不同的主间隙物及次间隙物且具有良好的段差(即高度差)控制能力，故根据本专利技术的元件基板及其制造方法具有成本较低以及工艺简易等优点。以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。附图说明图1A为依照本专利技术的第一实施例的元件基板的俯视示意图；图1B为图1A的元件基板沿线I-I’的剖视示意图；图2A至图2D为图1B的元件基板的制造方法的剖视示意图；图3A为依照本专利技术的第二实施例的元件基板的俯视示意图；图3B为图3A的元件基板沿线I-I’的剖视示意图；图4A至图4D为图3B的元件基板的制造方法的剖视示意图；图5A及图5B为依照本专利技术的其他实施例的元件基板的剖视示意图；图6A为依照本专利技术的第三实施例的元件基板的俯视示意图；图6B为图6A的元件基板沿线I-I’的剖视示意图；图7A至图7D为图6B的元件基板的制造方法的剖视示意图；图8A为依照本专利技术的第四实施例的元件基板的俯视示意图；图8B为图8A的元件基板沿线I-I’的剖视示意图；图9A至图9D为图8B的元件基板的制造方法的剖视示意图；图10A为依照本专利技术的第五实施例的元件基板的俯视示意图；图10B为图10A的元件基板沿线I-I’的剖视示意图；图11A至图11D为图10B的元件基板的制造方法的剖视示意图；图12A为依照本专利技术的第六实施例的元件基板的俯视示意图；图12B为图12A的元件基板沿线I-I’的剖视示意图；图13A至图13D为图12B的元件基板的制造方法的剖视示意图；图14A为依照本专利技术的第七实施例的元件基板的俯视示意图；图14B为图14A的元件基板沿线I-I’的剖视示意图；图15A至图15D为图14B的元件基板的制造方法的剖视示意图；图16A为依照本专利技术的第八实施例的元件基板的俯视示意图；图16B为图16A的元件基板沿线I-I’的剖视示意图；图17A至图17D为图16B的元件基板的制造方法的剖视示意图。其中，附图标记100A～100D、200A～200D：元件基板110：基底110a：第一侧110b：第二侧120：图案化遮光层122：像素开口124：第一曝光开口126：第二曝光开口128：透光图案130：彩色滤光图案140：透明层150、150’、250、250’、250”、250’”：光阻材料层160、260、360、460、560、660、760、860：光罩170、270：第一间隙物170a、280a：第一部分170b、280b：第二部分172、172a、172b、182、192、272、282、282a、282b、292：顶部174、174a、174b、184、194、274、284、284a、284b、294：连接部176、176a、176b、186、196、276、286、286a、286b、296：底部180、280：第二间隙物190、290：第三间隙物H1、H1’、H2、H2’、H3：高度I-I’：线PR：次像素区UV1、UV2：曝光W1、W2、W3：宽度具体实施方式下面结合附图对本专利技术的结构原理和工作原理作具体的描述：图1A为依照本专利技术的第一实施例的元件基板的俯视示意图，而图1B为图1A的元件基板沿线I-I’的剖视示意图。在本实施例中，元件基板100A例如是彩色滤光基板、对向基板、主动元件阵列基板或其他合适的元件基板。在下文中，本专利技术的实施例将以元件基板100A为触控显示面板的彩色滤光基板为例来说明，但并非用以限定本专利技术，其中所述触控显示面板的显示面板例如是液晶显示面板、有机发光二极管显示面板、电泳显示面板或等离子显示面板等。请同时参照图1A及图1B，元件基板100A具有多个次像素区PR，且所述次像素区PR以矩阵方式排列。再者，元件基板100A包括基底110、图案化遮光层120、多个彩色滤光图案130、透明层140、多个第一间隙物170以及多个第二间隙物180。基底110具有相对设置的第一侧110a以及第二侧110b，其中第一侧110a例如是朝向主动元件阵列基板(未绘示)的一侧。基底110的材料例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种元件基板，其特征在于，包含：一基底；以及一图案化遮光层，位于该基底上，该图案化遮光层具有多个像素开口以及多个第一曝光开口，且每一第一曝光开口与每一像素开口的面积或/且形状为不同。

【技术特征摘要】
2014.04.10 TW 1031132061.一种元件基板的制造方法，其特征在于，包含：提供一基底；形成一图案化遮光层于该基底上，该图案化遮光层具有多个像素开口以及多个第一曝光开口，且每一第一曝光开口与每一像素开口的面积或/且形状为不同；形成一光阻材料层于该图案化遮光层上；以及对该光阻材料层进行正曝的曝光工艺与显影工艺以及背曝的曝光工艺，以形成多个第一间隙物与多个第二间隙物于该基底上，其中该些第一间隙物的垂直投影分别与该些第一曝光开口重叠，该些第二间隙物的垂直投影分别位于该些第一曝光开口之外。2.根据权利要求1所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该光阻材料层为负型光阻，所述对该光阻材料层进行曝光工艺与显影工艺的步骤包含：(a)提供一光罩于该光阻材料层上，以该光罩为遮罩对该光阻材料层进行曝光；(b)对该曝光后的光阻材料层进行显影；以及(c)以该图案化遮光层为遮罩对该光阻材料层进行曝光；其中藉由步骤(a)与(b)形成多个第二间隙物，并且藉由步骤(a)、(b)、(c)形成该些第一间隙物，该些第二间隙物的垂直投影分别位于该些第一曝光开口之外，该些第一间隙物的高度大于该些第二间隙物的高度，其中步骤(a)与(c)中的曝光具有不同的曝光剂量或具有不同的波长。3.根据权利要求2所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该步骤(a)先于该步骤(c)。4.根据权利要求2所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该步骤(c)先于该步骤(a)。5.根据权利要求1所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该光阻材料层为正型光阻，所述对该光阻材料层进行曝光工艺与显影工艺的步骤包含：(a)提供一光罩于该光阻材料层上，以该光罩为遮罩对该光阻材料层进行曝光；(b)以该图案化遮光层为遮罩对该光阻材料层进行曝光；以及(c)对该曝光后的光阻材料层进行显影；其中藉由步骤(a)与(c)形成多个第二间隙物，并且藉由步骤(a)、(b)、(c)形成该些第一间隙物，该些第二间隙物的垂直投影分别位于该些第一曝光开口之外，该些第二间隙物的高度大于该些第一间隙物的高度。6.根据权利要求5所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该步骤(a)先于该步骤(b)，且该步骤(c)位于该步骤(a)以及(b)之后。7.根据权利要求5所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该步骤(b)先于该步骤(a)，且该步骤(c)位于该步骤(a)以及(b)之后。8.根据权利要求1所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该光阻材料层为负型光阻，所述对该光阻材料层进行曝光工艺与显影工艺的步骤包含：(a)提供一光罩于该光阻材料层上，以该光罩为遮罩对该光阻材料层进行曝光；(b)对该曝光后的光阻材料层进行显影；以及(c)以该图案化遮光层为遮罩对该光阻材料层进行曝光；其中藉由步骤(a)与(b)形成多个第二间隙物，并且藉由步骤(a)、(b)、(c)形成该些第一间隙物，该些第二间隙物的垂直投影分别位于该些第一曝光开口之外，其中各该第一间隙物具有一第一部分以及连接于该第一部分外围的一第二部分，该第一部分在该图案化遮光层上的垂直投影与相应的该第一曝光开口重叠，该第二部分在该图案化遮光层上的垂直投影位于相应的该第一曝光开口的外，该些第一间隙物的高度大于该些第二间隙物的高度，且该第一部分的高度大于该第二部分的高度。9.根据权利要求8所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该步骤(a)先于该步骤(c)。10.根据权利要求8所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该步骤(c)先于该步骤(a)。11.根据权利要求1所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该图案化遮光层更具有多个第二曝光开口，该光阻材料层为正型光阻，所述对该光阻材料层进行曝光工艺与显影工艺的步骤包含：(a)提供一光罩于该光阻材料层上，以该光罩为遮罩对该光阻材料层进行曝光；(b)以该图案化遮光层为遮罩对该光阻材料层进行曝光；以及(c)对该曝光后的光阻材料层进行显影；其中藉由步骤(a)、(b)、(c)形成该些第一间隙物以及多个第二间隙物，该些第二间隙物的垂直投影分别位于该些第一曝光开口之外，各该第二间隙物具有一第一部分以及连接于该第一部分外围的一第二部分，该第二部分在该图案化遮光层上的垂直投影与相应的该第二曝光开口重叠，该些第二间隙物的高度大于该些第一间隙物的高度，且该第一部分的高度大于该第二部分的高度。12.根据权利要求11所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该步骤(a)先于该步骤(b)，且该步骤(c)位于该步骤(a)以及(b)之后。13.根据权利要求11所述的元件基板的制造方法，其特征在于，该步骤(b)先于该步...

【专利技术属性】
技术研发人员：裴锴，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71