【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件封装引线框架
本技术涉及作为半导体芯片载体的封装引线框架，是一种借助于键合材料实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接并形成电气回路的结构件，是电子信息产业的基础材料。
技术介绍
封装引线框架是封装半导体芯片时提供机械支撑、电学通路和散热通道的一种金属框架，它通常包括框架本体区、载片基岛区和引脚区三个部分，其中载片基岛区是粘附装载芯片的平台，并提供芯片到线路板的电及热通道，引脚区是连接芯片到PCB电路板的电学通路，引脚区内的每支引脚都会对应连接于芯片的输入端与输出端。当需要较大电流和功率的MOSFET分立器件时，目前普遍采用的封装种类包括T0-247、T0-3P、T0-220、T0-263等这类具有较小热阻的封装外形，由于MOSFET是三端器件，因此又多以三支引脚的T0-220-3L、T0-263-3L为主。如图1所示，为现有传统的T0-220-3L单个引线框架，所述引线框架包含框架本体区、载片基岛区和引脚区，所述引脚区包括第一引脚、第二引脚和第三引脚，所述第二引脚位于第一引脚和第三引脚中间并且顶端连接于载片基岛区，所述第二引脚在竖直方向位于...
【技术保护点】
一种半导体器件封装引线框架，包括框架本体区、载片基岛区和引脚区，所述框架本体区与载片基岛区相连，所述引脚区包括第一引脚、第二引脚和第三引脚，所述第二引脚位于第一引脚和第三引脚中间，并且顶端与载片基岛区相连，所述第一引脚顶部设置有第一键合区，所述第三引脚顶部设置有第二键合区，其特征在于：所述第二引脚顶部设置有第二引脚包封区，所述第二引脚包封区在沿着第二引脚竖直向下的方向上具有第二垂直高度，所述第一键合区在第一引脚竖直向下的方向上具有第一垂直高度，所述第二键合区在第三引脚竖直向下的方向上具有第三垂直高度，所述第二垂直高度与第三垂直高度的比值范围为0.5至2.0；所述第二引脚包封...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件封装引线框架，包括框架本体区、载片基岛区和引脚区，所述框架本体区与载片基岛区相连，所述引脚区包括第一引脚、第二引脚和第三引脚，所述第二引脚位于第一引脚和第三引脚中间，并且顶端与载片基岛区相连，所述第一引脚顶部设置有第一键合区，所述第三引脚顶部设置有第二键合区，其特征在于: 所述第二引脚顶部设置有第二引脚包封区，所述第二引脚包封区在沿着第二引脚竖直向下的方向上具有第二垂直高度，所述第一键合区在第一引脚竖直向下的方向上具有第一垂直高度，所述第二键合区在第三引脚竖直向下的方向上具有第三垂直高度，所述第二垂直高度与第三垂直高度的比值范围为0.5至2.0 ; 所述第二引脚包封区具有第二引脚第一侧边和第二引脚第二侧边，第二引脚第一侧边靠近第一键合区，第二引脚第二侧边靠近第二键合区；所述载片基岛区具有基岛区第一侧边和基岛区第二侧...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱袁正，叶鹏，朱久桃，
申请(专利权)人：无锡新洁能股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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