一种源漏极漏电流测试结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种源漏极漏电流测试结构，包括：形成于一半导体衬底中的若干隔离沟槽、形成于所述隔离沟槽中的填充层、形成于所述隔离沟槽之间的第一掺杂区、以及第二掺杂区，所述填充层为弯折结构。弯折结构的转角处最容易产生位错，当产生位错时，就能测到有源区和衬底的源漏极漏电流，进而通过所述测试结构判断器件区中源漏极是否漏电及漏电的严重程度。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
一种源漏极漏电流测试结构
本技术涉及集成电路制造领域，特别涉及一种源漏极漏电流测试结构。
技术介绍
在晶圆制造过程中，由于晶体生长条件、晶体里晶格应力变化、以及制造过程中的物理损坏都可能产生位错。有源区(Active Area, AA)硅晶体的位错是集成电路制造中常见的问题。具体地说，晶圆制作过程中，在半导体衬底中刻蚀形成隔离沟槽，由于制造工艺所限，经常导致隔离沟槽的转角处不够圆滑，因此在后续向隔离沟槽中生长氧化物形成填充层时不能形成一个很好的形貌，导致隔离沟槽转角处容易出现位错，即，缺陷常常发生在靠近硅-氧化硅(S1-Si02)交界的地方，如隔离沟槽靠近有源区的拐角处，这些缺陷可以吸附重金属杂质，这些杂质将起复合中心的作用，引起器件中的过度漏电。实践中发现，正是由于在有源区边缘存在着大量的晶格位错，产生了漏电的路径，最终导致了静态源漏极漏电流的增大，导致不良品的出现。为了能挑选出不良品，半导体行业中，进行晶圆可接受测试(wafer acceptancetest, WAT)，所述晶圆可接受测试是制程上测试晶圆内器件是否拥有正常工作能力的一项测试。它的测量对象为单一的器件，如单本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种源漏极漏电流测试结构，其特征在于，包括：形成于一半导体衬底中的若干隔离沟槽、形成于所述隔离沟槽中的填充层、形成于所述隔离沟槽之间的第一掺杂区、以及第二掺杂区，其中所述填充层为弯折结构。

【技术特征摘要】
1.一种源漏极漏电流测试结构，其特征在于，包括:形成于一半导体衬底中的若干隔离沟槽、形成于所述隔离沟槽中的填充层、形成于所述隔离沟槽之间的第一掺杂区、以及第二掺杂区，其中所述填充层为弯折结构。2.如权利要求1所述的源漏极漏电流测试结构，其特征在于，所述填充层为条形弯折结构。3.如权利要求2所述的源漏极漏电流测试结构，其特征在于，所述条形弯折结构的弯折角度为30?100度。4.如权利要求3所述的源漏极漏电流测试结构，其特征在于，所述条形弯折结构的弯折角度为70?90度。5.如权利要求2所述的源漏极漏电流测试结构，其特征在于，相邻的填充层镜像对称。6.如权利要求1所述的源漏极漏电流测试结构，其特征在于，还包括形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵丽丽，吴方锐，周俊，刘丽丽，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11