一种芯片保护结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种芯片保护结构，包括：环状结构区，围绕集成电路区；金属结构区，被切割道围绕，且所述金属结构区围绕所述环状结构区，其中所述金属结构区包括多层金属层，所述金属层从底层金属层开始沿一斜面向上排列。通过倾斜排列的金属层，用来释放切割过程中的应力，并且在裂痕到达芯片环状结构之前将其导流至芯片表面，进而阻挡裂痕向芯片内部延伸，保护芯片不会失效，降低芯片切割失效率。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
一种芯片保护结构
本技术涉及半导体
，具体涉及一种芯片保护结构。
技术介绍
集成电路通常都是在硅片或其它半导体材料基板上制造，然后进行封装与测试。当封装时，必须先对集成电路进行切割(saw)。切割的机械力可能导致边缘处形成微小裂痕，尤其是接近边角处。所形成的裂痕可能会朝向集成电路的中心电路区域推进而造成其中的电路区域损坏。为了保护集成电路中心的电路区域，一般会在集成电路芯片上介于电路区域以及其切割道之间，配置密封环(seal ring)。密封环可以防止任何裂痕(例如，因为切割集成电路时的应力(stress)所导致的裂痕)侵入集成电路内部的电路区域。此外，密封环亦可避免湿气渗入，或是避免其它化学物质进入而损坏集成电路内部的电路区域。图1为现有技术中芯片保护结构的截面示意图，如图1所示，在半导体衬底10上形成有密封环11，所述密封环11包含横向排列与竖向排列的金属连接线12，在其余区域形成有介质层13，在所述密封环11的左侧为集成电路的中心电路区域(图中未示出)，右侧还形成有虚拟金属(du_y metal)区域14,在du_y metal区域14的右侧是切割道15。所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片保护结构，其特征在于，包括： 环状结构区，围绕集成电路区； 金属结构区，被切割道围绕，且所述金属结构区围绕所述环状结构区，其中所述金属结构区包括多层金属层,所述金属层从底层金属层开始沿一斜面向上排列。

【技术特征摘要】
1.一种芯片保护结构，其特征在于，包括: 环状结构区，围绕集成电路区； 金属结构区，被切割道围绕，且所述金属结构区围绕所述环状结构区，其中所述金属结构区包括多层金属层，所述金属层从底层金属层开始沿一斜面向上排列。2.如权利要求1所述的芯片保护结构，其特征在于，所述底层金属层位于半导体衬底上。3.如权利要求1所述的芯片保护结构，其特征在于，所述金属结构区中还包括保护层，包围所述金属层。4.如权利要求3所述的芯片保护结构，其特征在于，所述保护层暴露所述金属层中的顶层金...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵耀斌，戴海波，李日鑫，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11