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本实用新型提供了一种芯片保护结构，包括：环状结构区，围绕集成电路区；金属结构区，被切割道围绕，且所述金属结构区围绕所述环状结构区，其中所述金属结构区包括多层金属层，所述金属层从底层金属层开始沿一斜面向上排列。通过倾斜排列的金属层，用来释放切...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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