【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提出了一种晶圆识别结构，用于识别不同的晶圆，所述晶圆识别结构为形成于所述晶圆上的3D结构；在晶圆的边缘表面形成3D结构的晶圆识别结构，由于3D结构的晶圆识别结构能够携带不同晶圆的信息，并且3D结构不容易被薄膜掩埋，因此在晶圆形成完生产之后，依然能够通过晶圆识别结构准确识别不同的晶圆。【专利说明】晶圆识别结构
本技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种晶圆识别结构。
技术介绍
在半导体集成电路批量制造的过程中，为了方便鉴别不同的晶圆，在晶圆形成集成电路之前均会在晶圆的边缘选择一块区域形成序列号。请参考图1，图1为现有技术中带有序列号的晶圆俯视图，所述晶圆10的边缘处形成有序列号11，所述序列号11采用激光切割方式形成，即使用激光在所述晶圆10的边缘形成带有字母或数字的序列号11，以方便区分不同的晶圆10。然而，形成的序列号11通常是平面的，即为2D字母或数字，在所述晶圆10进行集成电路制造时，需要在所述晶圆10的表面沉积许多层薄膜，并且还需要对形成在所述晶圆10表面的薄膜进行刻蚀工艺。沉积薄膜时，所述序列号11容易被薄膜掩埋，变得模糊不易被分辨...
【技术保护点】
一种晶圆识别结构，用于识别不同的晶圆，其特征在于，所述晶圆识别结构为形成于所述晶圆上的3D结构，所述晶圆识别结构为若干阵列的长方体，所述长方体具有非均一的高度。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王伟，郑超，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11
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