晶圆识别结构制造技术

本实用新型专利技术提出了一种晶圆识别结构，用于识别不同的晶圆，所述晶圆识别结构为形成于所述晶圆上的3D结构；在晶圆的边缘表面形成3D结构的晶圆识别结构，由于3D结构的晶圆识别结构能够携带不同晶圆的信息，并且3D结构不容易被薄膜掩埋，因此在晶圆形成完生产之后，依然能够通过晶圆识别结构准确识别不同的晶圆。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提出了一种晶圆识别结构，用于识别不同的晶圆，所述晶圆识别结构为形成于所述晶圆上的3D结构；在晶圆的边缘表面形成3D结构的晶圆识别结构，由于3D结构的晶圆识别结构能够携带不同晶圆的信息，并且3D结构不容易被薄膜掩埋，因此在晶圆形成完生产之后，依然能够通过晶圆识别结构准确识别不同的晶圆。【专利说明】晶圆识别结构
本技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种晶圆识别结构。
技术介绍
在半导体集成电路批量制造的过程中，为了方便鉴别不同的晶圆，在晶圆形成集成电路之前均会在晶圆的边缘选择一块区域形成序列号。请参考图1，图1为现有技术中带有序列号的晶圆俯视图，所述晶圆10的边缘处形成有序列号11，所述序列号11采用激光切割方式形成，即使用激光在所述晶圆10的边缘形成带有字母或数字的序列号11，以方便区分不同的晶圆10。然而，形成的序列号11通常是平面的，即为2D字母或数字，在所述晶圆10进行集成电路制造时，需要在所述晶圆10的表面沉积许多层薄膜，并且还需要对形成在所述晶圆10表面的薄膜进行刻蚀工艺。沉积薄膜时，所述序列号11容易被薄膜掩埋，变得模糊不易被分辨出。那么如何解决准确的辨别出不同晶圆，便成为本领域技术人员急需解决的技术问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种晶圆识别结构能够准确的辨别出不同的晶圆。为了实现上述目的，本技术提出了一种晶圆识别结构，用于识别不同的晶圆，所述晶圆识别结构为形成于所述晶圆上的3D结构。进一步的，所述晶圆识别结构为两个，分别形成于所述晶圆直径的两端。进一步的，所述晶圆的边缘设有裸晶区，所述晶圆识别结构形成于裸晶区内。进一步的，所述裸晶区为矩形。进一步的,所述裸晶区的长范围是宽范围是进一步的，所述晶圆识别结构的为若干阵列的长方体，所述长方体具有非均一的高度。进一步的，所述晶圆识别结构的长范围是0.166mm-0.5mm。宽范围是0.166mm-Q.5mm。高范围是 I μ m_6 μ m。进一步的，所述晶圆的边缘形成有序列号，所述序列号与所述晶圆识别结构夹角是 30。或 120。。与现有技术相比，本技术的有益效果主要体现在:在晶圆的边缘表面形成3D结构的晶圆识别结构，由于3D结构的晶圆识别结构能够携带不同晶圆的信息，并且3D结构不容易被薄膜掩埋，也不容易被刻蚀工艺完全刻蚀，因此在晶圆形成完生产之后，依然能够通过晶圆识别结构准确识别不同的晶圆。【专利附图】【附图说明】图1为现有技术中带有序列号的晶圆俯视图；图2为本技术一实施例中晶圆的俯视图；图3为本技术一实施例中晶圆识别结构的结构示意图。【具体实施方式】下面将结合示意图对本技术的晶圆识别结构进行更详细的描述，其中表示了本技术的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本技术，而仍然实现本技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本技术的限制。为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本技术由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。 在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本技术。根据下面说明和权利要求书，本技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。请参考图2和图3，在本实施例中提出了一种晶圆识别结构，用于识别不同的晶圆，所述晶圆识别结构300为形成于所述晶圆100上的3D结构。其中，所述晶圆100的边缘设有裸晶区(Zero mark)200，所述裸晶区200为矩形，其长范围是例如是15mm,宽范围是例如是10mm。进行光刻工艺时,所述裸晶区200用于光刻设备对准所述裸晶区200，从而能够使光刻工艺更加精确。在本实施例中，所述晶圆识别结构300采用激光切割方式形成于所述裸晶区200内，即使用激光在所述晶圆100的表面形成高低不同的晶圆识别结构300，所述晶圆识别结构300能够携带某些特定的信息，并能够由激光读取出该信息的内容。所述裸晶区200和晶圆识别结构300均为两个，分别形成于所述晶圆100直径的两端，如图2所示。其中，所述晶圆识别结构300为长方体，所述长方体具有非均一的高度，所述长方体的长L范围是0.166mm-0.5mm,例如是0.25mm、0.35mm或者是0.45mm。宽W范围是0.166mm-Q.5mm,例如是 0.2mm、0.3mm 或者是 0.4mm。高 H 范围是 I μ m_6 μ m,例如是 2 μ m、3 μ m或者是4 μ m,如图3所示。在本实施例中，所述晶圆100的边缘形成有序列号110,所述序列号110用于辨别不同的晶圆110。其中，所述序列号110与所述晶圆识别结构300较小的夹角α?是30°，所述序列号110与所述晶圆识别结构300较大的夹角α 2是120°。综上，在本技术实施例提供的晶圆识别结构中，在晶圆的边缘表面形成3D结构的晶圆识别结构，由于3D结构的晶圆识别结构能够携带不同晶圆的信息，并且3D结构不容易被薄膜掩埋，也不容易被刻蚀工艺完全刻蚀，因此在晶圆形成完生产之后，依然能够通过晶圆识别结构准确识别不同的晶圆。上述仅为本技术的优选实施例而已，并不对本技术起到任何限制作用。任何所属
的技术人员，在不脱离本技术的技术方案的范围内，对本技术揭露的技术方案和
技术实现思路
做任何形式的等同替换或修改等变动，均属未脱离本技术的技术方案的内容，仍属于本技术的保护范围之内。【权利要求】1.一种晶圆识别结构，用于识别不同的晶圆，其特征在于，所述晶圆识别结构为形成于所述晶圆上的3D结构，所述晶圆识别结构为若干阵列的长方体，所述长方体具有非均一的高度。2.如权利要求1所述的晶圆识别结构，其特征在于，所述晶圆识别结构为两个，分别形成于所述晶圆直径的两端。3.如权利要求2所述的晶圆识别结构，其特征在于，所述晶圆的边缘设有裸晶区，所述晶圆识别结构形成于所述裸晶区内。4.如权利要求3所述的晶圆识别结构，其特征在于，所述裸晶区为矩形。5.如权利要求4所述的晶圆识别结构，其特征在于，所述裸晶区的长范围是1_-16_，宽范围是6.如权利要求1所述的晶圆识别结构，其特征在于，所述晶圆识别结构的长范围是0.166mm-Q.5mm，宽范围是 0.166mm-Q.5mm，高范围是 I μ m_6 μ m。7.如权利要求1所述的晶圆识别结构，其特征在于，所述晶圆的边缘形成有序列号，所述序列号与所述晶圆识别结构夹角是30°或120°。【文档编号】H01L23/544GK203774311SQ201320587902【公开日】2014年8月13日 申请日期:2013年9月23日 优先权日:2013年9月23日 【专利技术者】王伟, 郑超 申请人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆识别结构，用于识别不同的晶圆，其特征在于，所述晶圆识别结构为形成于所述晶圆上的3D结构，所述晶圆识别结构为若干阵列的长方体，所述长方体具有非均一的高度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王伟，郑超，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11