一种芯片保护结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种芯片保护结构，所述芯片保护结构至少包括：具有至少两层金属层的堆叠结构，相邻的金属层之间通过通孔金属连接；所述堆叠结构中靠近划片槽一侧的金属层边缘形成斜面；所述斜面与所述金属层所在平面的夹角为θ，其中45°＜θ＜90°。本实用新型专利技术铜的芯片保护结构通过将靠近划片槽一侧的金属层边缘形成的斜面与所述金属层所在平面的夹角设置成45°＜θ＜90°的锐角，从而将外部应力的方向从到芯片内部引导到芯片的侧面，避免芯片内部发生分层，提高芯片制造的成功率。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供一种芯片保护结构，所述芯片保护结构至少包括：具有至少两层金属层的堆叠结构，相邻的金属层之间通过通孔金属连接；所述堆叠结构中靠近划片槽一侧的金属层边缘形成斜面；所述斜面与所述金属层所在平面的夹角为θ，其中45°＜θ＜90°。本技术铜的芯片保护结构通过将靠近划片槽一侧的金属层边缘形成的斜面与所述金属层所在平面的夹角设置成45°＜θ＜90°的锐角，从而将外部应力的方向从到芯片内部引导到芯片的侧面，避免芯片内部发生分层，提高芯片制造的成功率。【专利说明】一种芯片保护结构
本技术涉及半导体制造
，特别是涉及一种芯片保护结构。
技术介绍
在半导体集成电路的制造工艺中，集成电路形成在半导体衬底上，所述衬底通常主要有硅构成，也可使用诸如砷化镓等其他材料。随着半导体工艺及集成电路产业的发展，芯片的特征尺寸不断减小，单个半导体衬底所包含的芯片单元越来越多。因此，采用划片处理将衬底切割成可被封装的微电子器件芯片，并有效提高划片质量以降低小尺寸芯片单元由于划片过程而带来的损伤，成为集成电路生产过程中至关重要的环节。近年来，为了提高芯片的工作性能，低介电常数的材料越来越多的被用作介电层，然而，相对于传统的高介电常数材质，低介电常数的介质层机械强度也相对较低，这就使得成品衬底在后期切割过程中极易出现分层和裂纹现象。低介电常数材料在新一代半导体工艺中的使用，大大降低了半导体衬底材料的断裂韧度和不同介质层间的粘附力，在划片切割过程中各介质层裂纹的影响范围因此扩大了。切割引起的裂纹通常产生在芯片边缘处，并向中间延伸，严重威胁到芯片上功能器件的完整性和成品率。为了防止芯片在切割时受到损伤，在芯片的外围还具有保护结构，使芯片免受来自外界(例如，应力、潮气、污染等因素)的损伤。现有技术中的芯片保护结构IA如图1所示，包括由通孔金属12A连接的多层金属层11A，靠近划片槽一侧的金属层IlA边缘所成的面与所述金属层IlA成一直角。在切割形成划片槽的过程中，这种直角型的芯片保护结构IA不能很好的防止切割划片槽时产生的应力进入到芯片的核心区域，使芯片内部发生互连结构的分层，影响芯片的制造质量。因此，提供一种改进的芯片保护结构，使芯片核心区域免受应力损伤是本领域技术人员需要解决的课题。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种芯片保护结构，用于解决现有技术中芯片保护结构不能很好的防止应力进入芯片内部的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种芯片保护结构，形成在芯片的外围，处于芯片和划片槽之间，其特征在于，所述芯片保护结构至少包括:具有至少两层金属层的堆叠结构，相邻的金属层之间通过通孔金属连接；所述堆叠结构中靠近划片槽一侧的金属层边缘形成斜面；所述斜面与所述金属层所在平面的夹角为 Θ，其中，45° < Θ < 90°。作为本技术的芯片保护结构的一种优化的结构，相邻金属层上的通孔金属在垂直方向上交叉排列。作为本技术的芯片保护结构的一种优化的结构，所述通孔金属为铝金属或铜金属。作为本技术的芯片保护结构的一种优化的结构，所述斜面为直线面或弧线面。作为本技术的芯片保护结构的一种优化的结构，所述芯片保护结构形成在绝缘介质层中。作为本技术的芯片保护结构的一种优化的结构，所述绝缘介质层为二氧化硅或氮化硅。作为本技术的芯片保护结构的一种优化的结构，所述金属层中处于最顶层的金属层上还设置有焊垫金属层。作为本技术的芯片保护结构的一种优化的结构，所述焊垫金属层为铝焊垫。作为本技术的芯片保护结构的一种优化的结构，所述焊垫金属层上覆盖有钝化层。如上所述，本技术的芯片保护结构，具有以下有益效果:该芯片保护结构至少包括:具有至少两层金属层的堆叠结构，相邻的金属层之间通过通孔金属连接；所述堆叠结构中靠近划片槽一侧的金属层边缘形成斜面；所述斜面与所述金属层所在平面的夹角为Θ，其中45° < Θ <90°。本技术铜的芯片保护结构通过将靠近划片槽一侧的金属层边缘形成的斜面与所述金属层所在平面的夹角设置成45° < Θ <90°的锐角，从而将外部应力的方向从到芯片内部改变到芯片的侧面，避免芯片内部发生分层，提高芯片制造的成功率。【专利附图】【附图说明】图1为现有技术中的芯片保护结构的不意图。图2为本技术的具有芯片保护结构的芯片示意图。图3为本技术的芯片保护结构实施例一中呈现的示意图。图4为本技术的芯片保护结构实施例二中呈现的示意图。元件标号说明I, IA芯片保护结构11，IlA金属层12，12A通孔金属2芯片3划片槽【具体实施方式】以下由特定的具体实施例说明本技术的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点及功效。请参阅图2至图4。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本技术可实施的范畴。实施例一如图2和图3所示，本技术提供一种芯片保护结构1，所述芯片保护结构I至少包括:具有至少两层金属层11的堆叠结构，相邻的金属层11之间通过通孔金属12连接；所述堆叠结构中靠近划片槽3 —侧的金属层11边缘形成斜面；所述斜面与所述金属层11所在平面的夹角为Θ，其中，45° < Θ <90°。如图2所示，所述芯片保护结构I形成在芯片的外围，处于芯片2和划片槽3之间。所述芯片2为方体(长方体或正方体)，包括器件结构以及位于器件结构上方的互连结构。所述芯片保护结构I位于芯片2的外围,形成封闭的保护环(seal ring),以在纵向保护所述芯片2免受外部环境的损伤。所述划片槽3用于将各个芯片隔开，为后续芯片2分离做准备。所述通孔金属12用来连接相邻的金属层11，所述通孔金属12可以是铜金属，但并不限于此，还可以是钨、铝以及铜铝合金等等，本实施例中所述通孔金属12优选为铜金属。需要说明的是，从左视或右视方向看图3，所述通孔金属呈条状墙体结构。传统的芯片保护结构中不同金属层之间的通孔金属在垂直方向上为直线排列，如图1所示。与这种传统的结构相比，本技术的芯片保护结构中所述相邻金属层11上的通孔金属12在垂直方向上交叉排列，交叉排列的通孔金属12可以保证整个芯片保护结构I更加坚固和稳定，不易崩塌。所述芯片保护结构I由至少两层金属层11组成，所述金属层11可以是铝金属，但并不限于此，还可以是钨、铜以及铜铝合金等等。靠近划片槽一侧的所有的金属层11的边缘形成斜面，如图3所示，所述斜面与所述金属层所在平面的夹角45° < Θ <90°范围内。本实施例中，所述斜面为直线面，所述夹本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片保护结构，形成在芯片的外围，处于芯片和划片槽之间，其特征在于，所述芯片保护结构至少包括：具有至少两层金属层的堆叠结构，相邻的金属层之间通过通孔金属连接；所述堆叠结构中靠近划片槽一侧的金属层边缘形成斜面；所述斜面与所述金属层所在平面的夹角为θ，其中，45°＜θ＜90°。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张贺丰，侯大维，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11