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本实用新型提供一种芯片保护结构，所述芯片保护结构至少包括：具有至少两层金属层的堆叠结构，相邻的金属层之间通过通孔金属连接；所述堆叠结构中靠近划片槽一侧的金属层边缘形成斜面；所述斜面与所述金属层所在平面的夹角为θ，其中45°＜θ＜90°。本实...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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