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本实用新型涉及一种源漏极漏电流测试结构，包括：形成于一半导体衬底中的若干隔离沟槽、形成于所述隔离沟槽中的填充层、形成于所述隔离沟槽之间的第一掺杂区、以及第二掺杂区，所述填充层为弯折结构。弯折结构的转角处最容易产生位错，当产生位错时，就能测到...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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