一种熔丝测试结构及硅片制造技术

技术编号:10363280 阅读:177 留言:0更新日期:2014-08-27 19:17
本实用新型专利技术提供了一种熔丝测试结构及硅片,涉及半导体器件制造领域,为解决现有技术中无法在线监控产品上熔丝相关性能的问题而设计;其中,熔丝测试结构包括:用于测试熔丝电阻的测试结构和熔丝,所述测试结构与所述熔丝通过金属线相连。本实用新型专利技术提供的方案能够轻易测出产品上熔丝的电阻,还可以模拟客户端熔丝烧熔的情况,进而实现在线监控产品上熔丝的相关性能的目的。(*该技术在2024年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
—种熔丝测试结构及硅片
本技术涉及半导体器件制造领域,特别是涉及一种熔丝测试结构及硅片。
技术介绍
在集成电路制造工艺中通常用到Fuse (熔丝)结构来调节产品振荡器的频率、输出电压等。Fuse本质上就是一个电阻,其材料通常是易于熔融的导电金属(Metal Fuse:金属熔丝)或多晶硅(Poly Fuse:多晶硅熔丝)。通过施加高压、大电流或激光等方式可以使Fuse烧断,改变电路结构中的电阻值,进而起到调节某项电路参数(电压、频率等)作用。正常情况下,针对产品各关键参数都会设计相应的测试模块儿用于监控在线工艺参数的波动情况。但Fuse主要是客户端用来调节频率或电压等参数的,它有别于其它工艺参数,通常Wafer (硅片)产品上都没有设计专门的监控fuse的测试模块儿,并且Fuse结构使用较广泛,经常会碰到一些Fuse烧不断或烧不不干净之类的问题。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种熔丝测试结构及硅片,解决现有技术中无法在线监控产品上熔丝相关性能的问题。为解决上述技术问题,本技术的实施例提供一种熔丝测试结构,包括:用于测试熔丝电阻的测试结构和熔丝,所述测试结构与所述熔丝通过金本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种熔丝测试结构,其特征在于,包括:用于测试熔丝电阻的测试结构和熔丝,所述测试结构与所述熔丝通过金属线相连;其中,所述测试结构由第一预设数量的测试端口和金属线连接而成。

【技术特征摘要】
1.一种熔丝测试结构,其特征在于,包括:用于测试熔丝电阻的测试结构和熔丝,所述测试结构与所述熔丝通过金属线相连;其中,所述测试结构由第一预设数量的测试端口和金属线连接而成。2.根据权利要求1所述的熔丝测试结构,其特征在于,所述第一预设数量为8。3.根据权利要求2所述的熔丝测试结构,其特征在于,所述测试端口包括:第一、二、三、四、五、六、七、八测试端口,所述第八测试端口作为公共端口,其余七个所述测试端口分别通过一个所述熔丝与所述第八测试端口相连。4.根据权利要求1所述的熔丝测试结构,...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈金园黎智谭志辉
申请(专利权)人:北大方正集团有限公司深圳方正微电子有限公司
类型:新型
国别省市:北京;11

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