引线框架和使用该引线框架制造的半导体封装件制造技术

本发明专利技术提供了一种引线框架和使用该引线框架制造的半导体封装件，所述引线框架具有优异的焊料润湿性和可焊性，该引线框架与铜线良好地接合，并且制造成本低。所述引线框架包括：基体材料；第一金属层，形成在基体材料的至少一个表面上，第一金属层包括镍；第二金属层，形成在第一金属层的表面上，第二金属层包括钯；以及第三金属层，形成在第二金属层的表面上，第三金属层包括银。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】引线框架和使用该引线框架制造的半导体封装件
本专利技术涉及一种电子装置，更具体地讲，涉及一种引线框架和使用该引线框架制造的半导体封装件。
技术介绍
引线框架用于将半导体芯片电连接到外部装置且还支撑半导体芯片。通过将半导体芯片附着到引线框架，使用接合线将半导体芯片接合到引线框架，然后用成型树脂(moldresin)密封获得的结构来制造半导体封装件。
技术实现思路
技术问题近来，为了在半导体封装件的制造工艺过程中不使用铅，已经广泛地使用预镀钯(PPF)的引线框架。根据PPF引线框架，钯镀层形成在镍镀层上。在组装工艺的施加热的过程中，钯被氧化，或者镍扩散到钯镀层中而在钯镀层的表面上形成氧化镍，从而使引线接合特性和焊料润湿性/可焊性降低。为了克服这种限制，第2010-0103015号韩国专利申请公开公布公开了一种金(Au)镀层形成在钯镀层上的结构。然而，按重量计金(Au)比其它金属材料贵几倍至几百倍。因此，制造引线框架的成本变得太高，由此削弱了引线框架的价格竞争力。为了降低引线框架的制造成本，第1999-111909号日本专利申请公开公布公开了一种在镍镀层上形成钯合金镀层而不使用金(Au)的结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种引线框架，所述引线框架包括：基体材料；第一金属层，形成在基体材料的至少一个表面上，第一金属层包括镍；第二金属层，形成在第一金属层的表面上，第二金属层包括钯；以及第三金属层，形成在第二金属层的表面上，第三金属层包括银。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.12.12 KR 10-2011-0133051;2012.10.29 KR 10-2011.一种引线框架，所述引线框架包括：基体材料；第一金属层，形成在基体材料的至少一个表面上，第一金属层包括镍；第二金属层，形成在第一金属层的表面上，第二金属层包括钯；以及第三金属层，形成在第二金属层的表面上，第三金属层包括银，其中，第三金属层的厚度比第二金属层的厚度薄，其中，第三金属层还包括从第二金属层扩散到第三金属层的钯。2.根据权利要求1所述的引线框架，其中，第三金属层包括银钯合金。3.根据权利要求1所述的引线框架，其中，基体材料的表面被改性为粗糙的。4.根据权利要求1所述的引线框架，所述引线框架还包括位于基体材料与第一金属层之间的改性层，所述改性层的表面被改性为粗糙的。5.根据权利要求1所述的引线框架，其中，第一金属层包括镍合金。6.根据权利要求1所述的引线框架，其中，第二金属层包括钯合金。7.根据权利要求6所述的引线框架，其中，第二金属层由镍、铜、钴、钼、钌、锡和铟中的至少一种与钯合金构成。8.根据权利要求1所述的引线框架，所述引线框架还包括形成在最外面的金属层的表面上的有机膜层。9.根据权利要求2所述的引线框架，其中，金、镍、铜、钴、钼、钌、锡和铟中的至少一种被添加到所述银钯合金中。10.一种引线框架，所述引线框架包括：基体材料；第一金属层，形成在基体材料的至少一个表面上，第一金属层包括镍；第二金属层，形成在第一金属层的表面上，第二金属层包括钯；第三金属层，形成在第二金属层的表面上，第三金属层包括银；以及第四金属层，形成在第三金属层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：白城官，申东逸，朴世喆，
申请(专利权)人：MDS株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR