一种应用于SOD323半导体封装的高密度框架制造技术

本实用新型专利技术公开一种应用于SOD323半导体封装的高密度框架，其包括搭载芯片的框架片本体，该框架片本体上设有20组横向相互连接的框架列，所述框架列设有纵向两列、横向10排的呈矩阵排列的功能单元；所述功能单元包括芯片岛、一个正引脚和两个侧引脚，相邻两个侧引脚之间通过筋片连接固定。本实用新型专利技术通过采用了在框架宽度不变、长度减少4.86mm的基础上由4排增至5排、每组数量由8个功能单元增至20个功能单元的方法，实现了共400个功能单元的高密度SOD323框架，从而实现将原设计的每片长220.86和宽28.08内的216个功能单元增至400个功能单元，而片尺寸改变只为216.00长。

【技术实现步骤摘要】
—种应用于S0D323半导体封装的高密度框架
本技术涉及贴片二极管，具体涉及贴片二极管中S0D323半导体封装，尤其是应用于S0D323半导体封装的高密度框架。
技术介绍
贴片(SMT) 二极管具有多种封装方式，其中，S0D323半导体封装主要应用于整流电路、开关电路、限幅电路、续流电路、检波电路、稳压电路等等，是一种重要的封装型式。现有的S0D323半导体封装的框架结构，因加工条件(例如框架带料的加工条件，包封模具，电镀前的去溢料设备及自动化冲切分离模具等技术条件)以及其他技术限制，每片框架一般为27组，每组可封装8粒，一共216粒，具体的，每片框架设计为每片长220.86mm,宽28.08mm,分为216个功能单元。而随着用户的需求的不断提高，如果需要增加装配粒数，则需要增大其框架的装配密度，而现有技术尚无解决方案。
技术实现思路
因此，针对上述的问题，本技术提出一种应用于S0D323半导体封装的高密度框架，增加其框架的装配密度，提高加工效率，以解决现有技术之不足。为了解决上述技术问题，本技术所采用的技术方案是，一种应用于S0D323半导体封装的高密度框架，包括搭载芯片的框架片本体，该框架片本体上设有20组横向相互连接的框架列，所述框架列设有纵向两列、横向10排的呈矩阵排列的功能单元；所述功能单元包括芯片岛、一个正引脚和两个侧引脚，相邻两个侧引脚之间通过筋片连接固定。改进后，本技术的每片高密度框架分为20组，每组封装20粒，共400粒。另外，通过上述筋片的设置，使得在后续的切割步骤中，只需对高密度框架进行横向或者纵向切割，而无需分别进行横向和纵向切割，有效节省了加工时间，提高了生产效率。进一步的，所述相邻的框架列之间通过连接片连接，该连接片可以是加强筋。另夕卜，所述框架片本体的一侧的表面贴敷了固定膜(例如UV膜)，有效增强了后续的切割过程中稳定性，同时考虑到了因切筋而导致的引线框架韧性降低、较易在切割过程中断裂的情况，也可采用保留中间部分的加强筋，而仅仅切除两边最邻近塑封条的加强筋，以加强引线框架的韧性。新框架的设计是从原设计的每片长220.86mm和宽28.08mm内的216个功能单元增至400个功能单元，而尺寸没有增加，反而长度减小至216.0Omm长。其中要实现新框架的设计，除了上述的结构排列分布改善以外，还要考虑框架带料的加工条件，以及配合包封模具，电镀前的去溢料设备及自动化冲切分离模具的技术条件。本技术通过上述结构，采用了在框架宽度不变、长度减少4.86mm的基础上由4排增至5排、每组数量由8个功能单元增至20个功能单元的方法，实现了共400个功能单元的高密度S0D323框架，从而实现将原设计的每片长220.86和宽28.08内的216个功能单元增至400个功能单元，而片尺寸改变只为216.00长。本技术在同一个面积(I片)做出接近2倍的功能单元数量，不但节省一半的材料成本，在包封以后的连续化生产线中是以每片为单位，也就是说这段产线可做出翻倍的产出，因此，本技术具有很好的经济效益和实用性。同时，筋片和加强筋的设置还为后续的切割过程做了加强工作。【附图说明】图1为本技术的实施例的框架结构图；图2为本技术的实施例中的框架列的示意图；图3为本技术的实施例中的功能单元示意图。【具体实施方式】现结合附图和【具体实施方式】对本技术进一步说明。如图1-图3所示，本技术的一种应用于S0D323半导体封装的高密度框架，包括搭载芯片的框架片本体10，该框架片本体10上设有20组横向相互连接的框架列11，所述框架列11设有纵向两列、横向10排的呈矩阵排列的功能单元111 ;所述功能单元111包括芯片岛、一个正引脚和两个侧引脚，相邻两个侧引脚之间通过筋片连接固定。所述相邻的框架列11之间通过连接片连接，该连接片可以是加强筋。通过上述的设置，使得在后续的切割步骤中，只需对高密度框架进行横向或者纵向切割，而无需分别进行横向和纵向切割，有效节省了加工时间，提高了生产效率。另外，所述框架片本体的一侧的表面贴敷了固定膜，例如，该固定膜为UV膜。有效增强了后续的切割过程中稳定性，同时考虑到了因切筋而导致的引线框架韧性降低、较易在切割过程中断裂的情况，也可采用保留中间部分的加强筋，而仅仅切除两边最邻近塑封条的加强筋，以加强引线框架的韧性。新框架的设计是从原设计的每片长220.86mm和宽28.08mm内的216个功能单元增至400个功能单元，而尺寸没有增加，反而长度减小至216.0Omm长。其中要实现新框架的设计，除了上述的结构排列分布改善以外，最好再配合框架带料的加工条件，以及配合包封模具，电镀前的去溢料设备及自动化冲切分离模具的技术条件等等，实现最优结构的框架的制造。本技术通过上述结构的改进后，本技术的每片高密度框架分为20组，每组封装20粒，共400粒。其采用了在框架宽度不变、长度减少4.86mm的基础上由4排增至5排、每组数量由8个功能单元增至20个功能单元的方法，实现了共400个功能单元的高密度S0D323框架，从而实现将原设计的每片长220.86和宽28.08内的216个功能单元增至400个功能单元，而片尺寸改变只为216.00长。本技术在同一个面积(I片)做出接近2倍的功能单元数量，不但节省一半的材料成本，在包封以后的连续化生产线中是以每片为单位，也就是说这段产线可做出翻倍的产出。本技术的S0D323高密度框架可应用于各种S0D323封装形式的产品，主要应用于整流电路、开关电路、限幅电路、续流电路、检波电路、稳压电路中。尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本技术，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本技术的精神和范围内，在形式上和细节上可以对本技术做出各种变化，均为本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种应用于SOD323半导体封装的高密度框架，其特征在于：包括搭载芯片的框架片本体，该框架片本体上设有20组横向相互连接的框架列，所述框架列设有纵向两列、横向10排的呈矩阵排列的功能单元；所述功能单元包括芯片岛、一个正引脚和两个侧引脚，相邻两个侧引脚之间通过筋片连接固定。

【技术特征摘要】
1.一种应用于S0D323半导体封装的高密度框架，其特征在于:包括搭载芯片的框架片本体，该框架片本体上设有20组横向相互连接的框架列，所述框架列设有纵向两列、横向10排的呈矩阵排列的功能单元；所述功能单元包括芯片岛、一个正引脚和两个侧引脚，相邻两个侧引脚之间通过筋片连接固定。2.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈林，朱仕镇，韩壮勇，郑天凤，朱文锋，任书克，刘志华，曹丙平，王鹏飞，周贝贝，张团结，朱海涛，吕小奖，
申请(专利权)人：深圳市三联盛半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44