引线框架、其制造方法以及包括引线框架的半导体封装件技术

提供了一种引线框架、一种包括引线框架的半导体封装件以及一种制造引线框架的方法，所述引线框架包括形成在含有金属的基体材料的上表面和下表面上的多个镀层，其中，引线框架的上部的最上层镀层是含有银的镀银层，引线框架的下部的最下层镀层是含有金的镀金层。

【技术实现步骤摘要】
引线框架、其制造方法以及包括引线框架的半导体封装件本申请要求于2013年3月11日提交到韩国知识产权局的第10-2013-0025742号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开通过引用其全部内容被包含于此。
与示例性实施例一致的设备和方法涉及一种引线框架、一种包括该引线框架的半导体封装件及一种制造引线框架的方法。
技术介绍
引线框架用来将半导体芯片电连接到外部装置，引线框架还在结构上支撑半导体芯片。通过将半导体芯片附着到引线框架的上表面、使用结合线将半导体芯片结合到引线框架的上表面，然后利用成型树脂(mold resin)密封引线框架的上表面来制造半导体封装件。 按照这种方式制造的半导体封装件被安装在外部装置上。在这种情况下，通过在引线框架的下表面上设置焊球将半导体封装件连接到外部装置，例如，印刷电路板。 然而，在相关技术中，引线框架的两个表面层用由相同材料组成的镀层形成，从而弓I线框架的上表面和下表面具有相同的特性。
技术实现思路
一个或多个示例性实施例提供了一种上表面和下表面具有不同特性的引线框架、一种包括该引线框架的半导体封装件以及一种制造该引线框架的方法。 根据示例性实施例的一方面，提供了一种引线框架，所述引线框架包括形成在含有金属的基体材料的上表面和下表面上的多个镀层，其中，引线框架上部的最上层镀层是含有银的镀银层，引线框架下部的最下层镀层是含有金的镀金层。 所述多个镀层还可以包括:上部第一层和上部第二层，顺序地形成在基体材料的上表面与镀银层之间，其中，上部第一层含有镍，上部第二层含有钯；下部第一层和下部第二层，顺序地形成在基体材料的下表面与镀金层之间，其中，下部第一层含有镍，下部第二层含有钯。 所述引线框架还可以包括形成在上部第二层和镀银层之间的上部第三层，其中， 上部第三层含有金。 所述引线框架还可以包括形成在下部第二层和镀金层之间的下部第三层，其中，下部第三层含有银。 基体材料的上表面和上部第一层的上表面中的至少一个表面形成为比基体材料的下表面和下部第一层的下表面中的至少一个表面粗糙。 根据另一示例性实施例的一方面，提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括:上述引线框架，所述引线框架还包括芯片焊盘和引线部分；半导体芯片，对应于芯片焊盘接触镀银层；至少一条结合线，连接到半导体芯片以及连接到与引线部分对应的镀银层。 所述多个镀层还可以包括:上部第一层和上部第二层，顺序地形成在基体材料的上表面与镀银层之间，其中，上部第一层含有镍，上部第二层含有钯；下部第一层和下部第二层，顺序地形成在基体材料的下表面与镀金层之间，其中，下部第一层含有镍，下部第二层含有钯。 所述半导体封装件还可以包括形成在上部第二层和镀银层之间的上部第三层，其中，上部第三层含有金。 所述半导体封装件还可以包括形成在下部第二层和镀金层之间的下部第三层，其中，下部第三层含有银。 基体材料的上表面和上部第一层的上表面中的至少一个表面形成为比基体材料的下表面和下部第一层的下表面中的至少一个表面粗糙。 所述半导体封装件还可以包括覆盖半导体芯片、结合线和镀银层的成型树脂。 根据另一示例性实施例的一方面，提供了一种制造引线框架的方法，所述方法包括:准备含有金属的基体材料；在使基体材料顺序地经过多个镀覆室的同时在基体材料的上表面和下表面上形成多个镀层，其中，所述多个镀覆室包括第一选择镀覆室和第二选择镀覆室，其中，在第一选择镀覆室中，在基体材料的上表面上形成含有银的镀银层，其中，在第二选择镀覆室中，在基体材料的下表面上形成含有金的镀金层。 形成多个镀层的步骤可以包括:在镀镍室中分别在基体材料的上表面上和基体材料的下表面上同时形成上部第一层和下部第一层，其中，上部第一层和下部第一层含有镍；在镀钯室中分别在上部第一层的上表面上和下部第一层的下表面上同时形成上部第二层和下部第二层，其中，上部第二层和下部第二层含有钯。 所述方法还可以包括在镀金室中在上部第二层和镀银层之间形成上部第三层，其中，上部第三层含有金。 所述方法还可以包括在镀银室中在下部第二层和镀金层之间形成下部第三层，其中，下部第三层含有银。 在上述方法中，基体材料的上表面和上部第一层的上表面中的至少一个表面可以形成为比基体材料的下表面和下部第一层的下表面中的至少一个表面粗糙。 形成镀银层的步骤可以包括，通过包括在第一选择镀覆室中的第一遮蔽带遮蔽形成在基体材料的下表面上的最下层镀层的下表面，并且在形成在基体材料的上表面上的最上层镀层的上表面上形成镀银层，形成镀金层的步骤可以包括，通过包括在第二选择镀覆室中的第二遮蔽带遮蔽形成在基体材料的上表面上的最上层镀层的上表面，并且在形成在基体材料的下表面上的最下层镀层的下表面上形成镀金层。 第一遮蔽带和第二遮蔽带可以在一组驱动辊的作用下沿一个方向旋转。 引线框架可以直接接触第一遮蔽带和第二遮蔽带，并可以通过第一遮蔽带的旋转力和第二遮蔽带的旋转力沿所述一个方向移动。 可以在引线框架的直立状态下执行形成镀银层的步骤和形成镀金层的步骤，从而引线框架的上表面或下表面的平面矢量与重力的方向相交。 根据上述实施例，引线框架的上表面和下表面具有不同的特性。为此，将含有不同材料的镀层形成为引线框架的最上层的表面层和最下层的表面层。 详细地说，引线框架上部的最外层镀层形成为含有银。因此，引线框架相对于结合线和成型树脂的粘合强度增强，而在芯片附着工艺期间有效地抑制环氧树脂流迹(EBO)现象。 引线框架下部的最外层镀层形成为含有金。因此，防止引线框架的褪色，改善焊料润湿性和可焊性，并且增强抗渗透性。结果，提高了引线框架的安装可靠性。 【附图说明】 通过参照附图对示例性实施例进行详细描述，上述和其它方面将变得更加明显，在附图中: 图1是根据示例性实施例的通过使用引线框架制造的半导体封装件的示意性剖视图； 图2是根据示例性实施例的引线框架的平面图； 图3是根据示例性实施例的引线框架的一部分的截面图； 图4是根据另一示例性实施例的引线框架的一部分的截面图； 图5是根据另一示例性实施例的引线框架的一部分的截面图； 图6是根据另一示例性实施例的引线框架的一部分的截面图； 图7是根据另一示例性实施例的引线框架的一部分的截面图； 图8示出了根据对比例和示例性实施例的引线框架的环氧树脂流迹(EBO)测试结果; 图9A和图9B是示出了根据示例性实施例的引线框架的褪色结果的示图； 图10是示出了根据示例性实施例的制造引线框架的方法的示意性框图； 图11到图15是示出了根据示例性实施例的图10中的1、I1、II1、IV、V部分的处理状态的示意性截面图； 图16是根据示例性实施例的在图10的方法中所使用的选择镀覆室的示意性透视图； 图17是根据示例性实施例的图16中的选择镀覆室的示意性平面图。 【具体实施方式】 现在，将参照附图更加全面地描述专利技术构思，示例性实施例在附图中示出。 在附图中，为了清楚的解释，简单地描绘或者不描绘与示例性实施例不相关的部分，简单地描述或省略了与示例性实施例不相关的部分。另外，为了清晰起见，可能会夸大层和区域的厚度和面积。 在整个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种引线框架，所述引线框架包括形成在含有金属的基体材料的上表面和下表面上的多个镀层，其中，所述多个镀层中的设置在引线框架的上部上的最上层镀层是含有银的镀银层，而所述多个镀层中的设置在引线框架的下部上的最下层镀层是含有金的镀金层。

【技术特征摘要】
2013.03.11 KR 10-2013-00257421.一种引线框架，所述引线框架包括形成在含有金属的基体材料的上表面和下表面上的多个镀层， 其中，所述多个镀层中的设置在引线框架的上部上的最上层镀层是含有银的镀银层，而所述多个镀层中的设置在引线框架的下部上的最下层镀层是含有金的镀金层。2.如权利要求1所述的引线框架，其中，所述多个镀层还包括: 上部第一层和上部第二层，顺序地形成在基体材料的上表面与镀银层之间，其中，上部第一层含有镍，上部第二层含有钮; 下部第一层和下部第二层，顺序地形成在基体材料的下表面与镀金层之间，其中，下部第一层含有镍，下部第二层含有钮。3.如权利要求2所述的引线框架，所述引线框架还包括形成在上部第二层和镀银层之间的上部第三层，其中，上部第三层含有金。4.如权利要求2所述的引线框架，所述引线框架还包括形成在下部第二层和镀金层之间的下部第三层，其中，下部第三层含有银。5.如权利要求2所述的引线框架，其中，基体材料的上表面和上部第一层的上表面中的至少一个表面形成为比基体材料的下表面和下部第一层的下表面中的至少一个表面粗糖。6.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括: 如权利要求1所述的引线框架，所述引线框架还包括芯片焊盘和引线部分； 半导体芯片，对应于芯片焊盘接触镀银层； 至少一条结合线，连接到半导体芯片以及连接到与引线部分对应的镀银层。7.如权利要求6所述的半导体封装件，其中，所述多个镀层还包括: 上部第一层和上部第二层，顺序地形成在基体材料的上表面与镀银层之间，其中，上部第一层含有镍，上部第二层含有钮; 下部第一层和下部第二层，顺序地形成在基体材料的下表面与镀金层之间，其中，下部第一层含有镍，下部第二层含有钮。8.如权利要求7所述的半导体封装件，其中，所述引线框架还包括形成在上部第二层和镀银层之间的上部第三层，其中，上部第三层含有金。9.如权利要求7所述的半导体封装件，其中，所述引线框架还包括形成在下部第二层和镀金层之间的下部第三层，其中，下部第三层含有银。10.如权利要求7所述的半导体封装件，其中，基体材料的上表面和上部第一层的上表面中的至少一个表面形成为比基体材料的下表面和下部第一层的下表面中的至少一个表面粗糙。11.如权利要求6...

【专利技术属性】
技术研发人员：申东逸，裴仁燮，朴世喆，
申请(专利权)人：MDS株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR