【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种水平砷化镓单晶生长用籽晶腔及包括该籽晶腔的石英舟，该籽晶腔具有头部和尾部，且该头部至该尾部逐渐加宽，而使该籽晶腔腔体的水平截面呈梯形。该石英舟还包括放肩部分、等径部分、舟尾部分。在水平砷化镓单晶的生长过程中，使用本技术，可以延长放肩过程，进而可以有效降低单晶头部位错密度，提高晶体质量。【专利说明】水平砷化镓单晶生长用籽晶腔及包括该籽晶腔的石英舟
本技术涉及一种晶体生长装置，特别是一种水平砷化镓单晶生长用籽晶腔及包括该籽晶腔的石英舟。
技术介绍
水平砷化镓单晶以其位错密度低、杂质分布均匀而著称。生长水平砷化镓单晶主要使用布里奇曼法(简称HB法)，在化合物半导体领域应用十分广泛。HB法首先将多晶料称重后放入石英舟内，加入一定量的掺杂剂(如Si，Cu，Zn等等)，再将石英舟放入柱形的石英管内，抽真空封管，然后放入水平单晶炉内用定向区熔法生长单晶。如图1所示，HB法用的石英舟构成有以下几部分:籽晶腔部分1、放肩部分2、等径部分3以及舟尾部分4。现有的籽晶腔有矩形、方形、半圆形等形状。关于籽晶的熔接过程，如图2所示:对于方形籽晶腔内的单晶生长，长度为...
【技术保护点】
一种水平砷化镓单晶生长用籽晶腔，其特征在于，具有头部和尾部，且该头部至该尾部逐渐加宽，而使该籽晶腔腔体的水平截面呈梯形。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓慧，马英俊，林泉，于洪国，武壮文，张洁，
申请(专利权)人：有研光电新材料有限责任公司，
类型：新型
国别省市：河北;13
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