【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种水平单晶生长用长方形舟，属于生长单晶用设备领域。技术背景生长单晶的水平布里奇曼法，简称HB法；应用相当广泛。在化合物半导体单晶的 生长方面，尤其如此。HB法是将生长单晶的原料放在一种器皿中，器皿放入圆管中，抽真空 后封闭管口 ；用定向凝固法或定向区熔法生长单晶。这种器皿一般称之为“舟”，而外管称之 为生长管。目前，从用途上分，舟用于合成多晶的，称之为合成舟；而用于生长单晶的，称之 为拉晶舟。单晶生长用舟构成如下最前端的叫籽晶腔，在主体和籽晶腔之间的部分叫放 肩部，作用是平滑联接籽晶腔和舟的主体。中间是单晶生长舟的主体部分。最后是舟尾。HB法用的舟从出现的那天起，主体截面就采用半圆形。到目前为止，包括世界上用 HB法生长单晶的著名厂商，除了我们也都采用主体截面为半圆形的舟。籽晶腔则有方形、矩形、半圆形等多种。半圆形舟应用了几十年，其最大特点是加工容易。圆形管一破两半，再加上舟头和 舟尾即可。水平单晶主要用途是制作分离器件-LED (发光二极管)。晶片在外延后需要进行 划片。切成很小的小方片。半圆舟和异性舟在单晶生长成功后，切片后都要进行割圆，将切 割得单晶D型片割成圆片，圆片外延后进行画片，圆片外5mm内基本不能用，顺划片方向也 要损失。而单晶方形片则可省掉割圆工序，在器件划片时减少损失。
技术实现思路
本技术针对半圆舟和异形舟的缺点，提供了一种水平单晶生长用长方形舟， 采用以下技术方案所述长方形舟包括有舟中间的主体，两边分为舟头、舟尾，其中，舟的主 体部分的横截面为矩形，代替了以往的半圆形和异形。所述舟的主体部分的内高为30+°_5mm，水...
【技术保护点】
水平单晶生长用长方形舟，包括有舟中间的主体部分，两边分为舟头、舟尾，其特征在于，所述舟的主体部分的横截面为矩形。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：武壮文，于洪国，赵静敏，时彬，张桂艳，朱苗苗，
申请(专利权)人：北京有色金属研究总院，国瑞电子材料有限责任公司，
类型：实用新型
国别省市：11[中国|北京]
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