一种水平砷化镓单晶切片用粘结台及粘结装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种水平砷化镓单晶切片用粘结台及粘结装置，粘结台包括表面设有第一导槽的第一导槽台和表面设有第二导槽的第二导槽台，第一导槽和第二导槽均贯穿所在导槽台的相对的两个端面，第二导槽台和第一导槽台导槽、导槽相对地固定连接，且保持第一导槽和第二导槽延伸方向一致，第二导槽台的两个端面与第一导槽台的表面垂直，第二导槽台位于第一导槽台的中部位置，第一导槽台的位于第一导槽一侧的侧端的不与第二导槽台相对的位置间隔设有通向第一导槽的多个校准孔，每个校准孔内匹配有校准螺栓；粘结装置包括粘结台和粘结模板。本实用新型专利技术的水平砷化镓单晶切片用粘结台及粘结装置，结构简单、操作方便，且可以在一台粘接多根晶体。粘接多根晶体。粘接多根晶体。

【技术实现步骤摘要】
一种水平砷化镓单晶切片用粘结台及粘结装置


[0001]本技术属于半导体材料设备
，特别涉及一种水平砷化镓单晶切片用粘结台及粘结装置。

技术介绍

[0002]砷化镓(GaAs)是目前III—V族化合物半导体中的领军材料，应用相当广泛。GaAs目前已经成为一种重要的微电子和光电子基础材料，广泛应用于移动通讯，光纤通讯，汽车电子，卫星通讯和全球定位系统等领域。
[0003]水平砷化镓单晶采用多线切割机进行切片，切割开始前，需要将单晶粘接在多线切割机的工作台模板上，通过模板将砷化镓单晶固定到多线切割机上进行切片，并通过模板与多线的相对运动完成切片，为了保证晶片晶向的准确性，要求多线的运动平面与单晶晶向基准面平行，这就要求单晶固定在模板上时，晶向不能有偏差，如果出现偏差，所切晶片的晶向与晶向基准面的晶向不同，造成晶片的晶向不合格。
[0004]但是，目前水平砷化镓单晶多线切割前的粘接装置结构较繁琐，操作较麻烦且耐磨性差。

技术实现思路

[0005]本技术的目的是为解决以上问题，本技术提供一种水平砷化镓单晶切片用粘结台及粘结装置。
[0006]根据本技术的一个方面，提供一种水平砷化镓单晶切片用粘结台，包括表面设有第一导槽的第一导槽台和表面设有第二导槽的第二导槽台，第一导槽和第二导槽均贯穿所在导槽台的相对的两个端面，第二导槽台和第一导槽台导槽、导槽相对地固定连接，且保持第一导槽和第二导槽延伸方向一致，第二导槽台的两个端面与第一导槽台的表面垂直，第二导槽台位于第一导槽台的中部位置，第一导槽台的位于第一导槽一侧的侧端的不与第二导槽台相对的位置间隔设有通向第一导槽的多个校准孔，每个校准孔内匹配有校准螺栓。
[0007]其中，校准孔的个数为8个，平均分为两组设置于第一导槽台的两侧。
[0008]其中，第一导槽和第二导槽等宽，第一导槽台和第二导槽台固定连接时，第一导槽和第二导槽在导槽宽度方向对齐。
[0009]其中，第一导槽台和第二导槽台均为龙门矩形结构，第一导槽台的长度为 500
‑
700mm，宽度为200
‑
400mm，高度为50
‑
70mm；第二导槽台的长度为 200
‑
400mm，宽度为150
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250mm，高度为10
‑
30mm。
[0010]其中，第一导槽台的长度为600mm，宽度为300mm，高度为60mm；第二导槽台的长度为300mm，宽度为200mm，高度为20mm。
[0011]根据本技术的第二方面，提供一种水平砷化镓单晶切片用粘结装置，包括上述水平砷化镓单晶切片用粘结台、光源和模板，模板位于由第一导槽和第二导槽合并的整
体导槽中，并且其底面与槽底贴合定位，其与多个校准孔相背的侧面与所对的整体导槽的内槽壁贴合定位，其与多个校准孔相对的侧面通过校准螺栓锁紧定位，光源设置于水平砷化镓单晶切片用粘结台的上方。
[0012]其中，水平砷化镓单晶切片用粘结装置还包括多个支撑板，多个支撑板设置于模板的表面，并沿第一导槽的延伸方向间隔设置。
[0013]本技术的水平砷化镓单晶切片用粘结台及粘结装置，具备以下有益效果：
[0014]1、确保切割的晶片的晶向与晶向基准面的晶向相同，且误差在1分以内。
[0015]2、结构简单、操作方便，提高生产效率。
[0016]3、此粘接台可以在一块模板上粘接多根晶体。
[0017]4、耐磨性好，可以长期使用而免于维护，提高了粘接台的使用。
附图说明
[0018]通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本技术的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
[0019]图1示出了根据本技术实施方式的一种水平砷化镓单晶切片用粘结台的示意图；
[0020]图2和图3示出了根据本技术实施方式的一种水平砷化镓单晶切片用粘结台的两种侧视图；
[0021]图4示出了根据本技术实施方式的一种水平砷化镓单晶切片用粘结装置的示意图。
具体实施方式
[0022]下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
[0023]本技术的主要目的在于提供一种水平砷化镓单晶切片用粘接台及精准粘接装置，该粘接台采用精度非常高的龙门T型结构，且水平放置的第一导槽矩形台和竖直放置的第二导槽龙门台之间的夹角确保为90
°
，还有导槽及固定装置搭配，结构简单且操作方便，能解决现有技术中用于单晶多线切割前的粘接装置结构较复杂且操作较繁琐的技术问题。
[0024]为了实现上述目的，根据本技术的第一方面，提供了一种水平砷化镓单晶切片用粘接台。
[0025]如图1
‑
图3所示，该水平砷化镓单晶切片用粘接台的横截面呈龙门T型结构，包括相互连接的第一导槽台10和第二导槽台20，第一导槽和第二导槽均贯穿所在导槽台的相对的两个端面，第二导槽台20和第一导槽台导槽10导槽相对地固定连接，且保持第一导槽和第二导槽延伸方向一致，第二导槽台20的两个端面与第一导槽台10的表面，互成90
°
夹角，且夹角的误差为
±
0.005
°
。
[0026]第二导槽台20位于第一导槽台10的中部位置，第一导槽台10的位于第一导槽一侧的侧端101的不与第二导槽台20相对的位置间隔设有通向第一导槽的多个校准孔，每个校准孔内匹配有校准螺栓。
[0027]进一步的，第一导槽台10为导槽矩形结构，第二导槽台20为龙门矩形结构，且第一导槽台10的长度为500
‑
700mm，宽度为200
‑
400mm，高度为50
‑
70mm；第二导槽台20的长度为200
‑
400mm，宽度为150
‑
250mm，高度为10
‑
30mm。
[0028]进一步的，第一导槽台10的长度为600mm，宽度为300mm，高度为60mm；第二导槽台20的长度为300mm，宽度为200mm，高度为20mm。进一步的，第一导槽台10的承重≥50Kg，其材质为铸铁。
[0029]在本技术的一种实施例中，第一导槽台10为导槽矩形结构，第二导槽台20为龙门矩形结构，且第一导槽台10的长度为500
‑
700mm范围内，宽度为 200
‑
400mm范围内，高度为50
‑
70mm范本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种水平砷化镓单晶切片用粘结台，其特征在于，包括表面设有第一导槽的第一导槽台(10)和表面设有第二导槽的第二导槽台(20)，所述第一导槽和所述第二导槽均贯穿所在导槽台的相对的两个端面，所述第二导槽台(20)和所述第一导槽台(10)相对地固定连接，且保持所述第一导槽和所述第二导槽延伸方向一致，所述第二导槽台(20)的所述两个端面与所述第一导槽台(10)的所述表面垂直，所述第二导槽台(20)位于所述第一导槽台(10)的中部位置，所述第一导槽台(10)的位于所述第一导槽一侧的侧端(101)的不与所述第二导槽台(20)相对的位置间隔设有通向所述第一导槽的多个校准孔，每个校准孔内匹配有校准螺栓。2.如权利要求1所述的水平砷化镓单晶切片用粘结台，其特征在于，所述校准孔的个数为8个，平均分为两组设置于所述第一导槽台(10)的两侧。3.如权利要求1所述的水平砷化镓单晶切片用粘结台，其特征在于，所述第一导槽和所述第二导槽等宽，所述第一导槽台(10)和所述第二导槽台(20)固定连接时，所述第一导槽和所述第二导槽在导槽宽度方向对齐，合并形成整体导槽。4.如权利要求1所述的水平砷化镓单晶切片用粘结台，其特征在于，所述第一导槽台(10)和所述第二导槽台(20)均为龙门矩形结构，所述第一导槽台(10)的长度为500<...

【专利技术属性】
技术研发人员：李爱兵，张伟，
申请(专利权)人：有研光电新材料有限责任公司，
类型：新型
国别省市：