应用于锗单晶生长的掺杂装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种应用于锗单晶生长的掺杂装置，该掺杂装置包括内部形成容纳腔的装置本体以及盖体和阻挡结构，所述装置本体的顶端开设有连通所述容纳腔的开口，所述装置本体的底端设有入口；所述盖体可拆卸的盖设在所述装置本体的开口处；所述阻挡结构可移动的设置在所述容纳腔内，且位于所述入口处。该掺杂装置结构简单且操作方便，能够在锗单晶生长过程的中途进行再次添加掺杂剂，从而可以对锗单晶生长过程中的电阻率参数进行调整，以保证所生产的锗单晶满足所需电阻率。生产的锗单晶满足所需电阻率。生产的锗单晶满足所需电阻率。

【技术实现步骤摘要】
应用于锗单晶生长的掺杂装置


[0001]本技术涉及锗单晶生长
，具体涉及一种应用于锗单晶生长的掺杂装置。

技术介绍

[0002]掺杂是一种控制锗单晶电阻率的有效方法，一般根据所需电阻率，需要在锗单晶生长前就确定掺杂剂的剂量，一旦完成掺杂，在锗单晶生长开始后就无法再次进行掺杂来对电阻率参数进行调整。
[0003]但是在锗单晶生长开始前掺入杂质的方法不能够进行拉晶过程中电阻率的调整，而目前也没有专用于锗单晶生长过程中的掺杂装置，因此急需一种能够在锗单晶生长过程的中途进行再次添加掺杂剂的掺杂装置。

技术实现思路

[0004]本技术的主要目的在于提供一种应用于锗单晶生长的掺杂装置，该掺杂装置结构简单且操作方便，能够在锗单晶生长过程的中途进行再次添加掺杂剂，从而可以对锗单晶生长过程中的电阻率参数进行调整，以保证所生产的锗单晶满足所需电阻率，以解决现有技术中锗单晶拉制过程中途无法进行再次掺杂的技术问题。
[0005]为了实现上述目的，本技术提供了一种应用于锗单晶生长的掺杂装置。
[0006]该应用于锗单晶生长的掺杂本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种应用于锗单晶生长的掺杂装置，其特征在于，包括：内部形成容纳腔的装置本体(1)，所述装置本体(1)的顶端开设有连通所述容纳腔的开口，所述装置本体(1)的底端设有入口(5)；盖体(2)，所述盖体(2)可拆卸的盖设在所述装置本体(1)的开口处；阻挡结构(4)，所述阻挡结构(4)可移动的设置在所述容纳腔内，且位于所述入口(5)处。2.根据权利要求1所述的应用于锗单晶生长的掺杂装置，其特征在于，所述装置本体(1)呈中空圆柱体状，所述入口(5)位于所述中空圆柱体底部中心处；所述盖体(2)为拱形盖。3.根据权利要求1或2所述的应用于锗单晶生长的掺杂装置，其特征在于，所述装置本体(1)的侧壁上设有多个排气口(6)。4.根据权利要求3所述的应用于锗单晶生长的掺杂装置，其特征在于，所述排气口(6)设有两个，并且两个所述排气口(6)相对设置在所述装置本体(1)的两侧。5.根据权利要求1所述的应用于锗单晶生长的掺杂装置，其特征在于，所述盖体(2)的底部边缘处设有第一连接件(7)，所述装置本体(1)的开口处侧壁上设有第二连接件(8)，所述第一连接件(7)与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志远，李燕，王博，雷同光，王宇，曹旭，赵哲，孔腾飞，邢俊，冯德伸，于洪国，
申请(专利权)人：有研光电新材料有限责任公司，
类型：新型
国别省市：