一种单晶硅的生长方法及单晶硅技术

本发明专利技术公开了一种单晶硅的生长方法及单晶硅，涉及单晶硅技术领域。单晶硅的生长方法，包括：将设定量的多晶硅原料和掺杂剂置于生长容器中采用提拉法进行晶体生长，并在收尾阶段末期继续生长一个待测晶体，通过测试待测晶体的电阻率计算在生长容器的余料中掺杂剂的浓度，进而根据余料中掺杂剂的浓度计算掺杂剂的补充量，以将掺杂剂的浓度补充至设定值进行下一晶体的生长。能够更精确地测试余料中掺杂剂的浓度，达到精确控制下一晶体生长前生长容器中掺杂剂的浓度，使晶体的电阻率能够更精确地进行控制，一定程度上防止晶体电阻率偏离目标值，提升产品合格率。提升产品合格率。提升产品合格率。

【技术实现步骤摘要】
一种单晶硅的生长方法及单晶硅


[0001]本专利技术涉及单晶硅
，具体而言，涉及一种单晶硅的生长方法及单晶硅。

技术介绍

[0002]目前，切氏（Czochralski）提拉法技术是制备单晶硅晶体的主流方法，该方法通过将高纯多晶硅原料加入石英坩埚中熔化，利用籽晶来引晶，通过精确控制逐渐从熔体中生长出大尺寸的单晶体。生长程序包括引晶、缩颈、放肩、等径生长和收尾程序，完整过程需要数十个小时。
[0003]为降低生产成本，业界通常在生长一个晶体后在坩埚中重新装填多晶硅原料，生长新的晶体，以提高坩埚的利用次数，这样单个坩埚的使用寿命甚至达到300个小时以上。由于在低气压的炉腔环境中，掺杂剂原子从高温熔体（硅熔体温度在1400℃以上）中会不断挥发，导致熔体不同时期的掺杂剂浓度逐渐偏离了设定值。在坩埚的完整周期内，由于复杂的生长程序和生长参数例如炉腔气压、温度、时间等对掺杂原子的挥发影响显著，导致熔体中掺杂剂浓度的准确预测变得极为困难。掺杂剂浓度的偏离将导致晶体的实际电阻率偏离目标值，使合规的晶体比例降低。若能解决掺杂剂浓度准确测量的问题，将本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单晶硅的生长方法，其特征在于，包括：将多晶硅原料和设定浓度的掺杂剂置于生长容器中采用提拉法进行主晶体的生长，并在收尾阶段末期继续生长一个待测晶体，通过测试所述待测晶体的电阻率计算在所述生长容器的余料中掺杂剂的浓度，进而根据余料中掺杂剂的浓度计算掺杂剂的补充量，以将掺杂剂的浓度补充至设定浓度进行下一晶体的生长。2.根据权利要求1所述单晶硅的生长方法，其特征在于，在生长出所述待测晶体之后，将整体晶体取出并将所述待测晶体从所述主晶体上切除，然后将所述待测晶体进行热处理之后再测定所述待测晶体的电阻率。3.根据权利要求2所述单晶硅的生长方法，其特征在于，所述热处理是在600
‑
700℃的恒温条件下处理5
‑
30min。4.根据权利要求2所述单晶硅的生长方法，其特征在于，所述热处理是在600
‑
1...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈鹏，李晓强，
申请(专利权)人：杭州晶宝新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：