一种制备氧化硅的反应装置及太阳电池生产系统制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种制备氧化硅的反应装置及太阳电池生产系统，涉及晶体硅领域。制备氧化硅的反应装置包括氧化腔室和用于为氧化腔室提供反应用水蒸气的蒸气发生机构，蒸气发生机构包括蒸气发生器和蒸气输送管路，蒸气输送管路的进料端与蒸气发生器的出口连通，蒸气输送管路的出料端伸入至氧化腔室内。利用水蒸气与硅的反应活性高于氧气和硅的反应活性，可以实现在更低的氧化温度下快速形成氧化层，节约工艺能耗，降低硅晶体在高温下的杂质沾污风险，有利于获得更优的器件性能；还可以在与现有工艺相似的氧化条件下获得更厚的氧化层，当氧化层用作阻挡层的情况时，更厚的氧化层可以提供更好的工艺稳定性。提供更好的工艺稳定性。提供更好的工艺稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种制备氧化硅的反应装置及太阳电池生产系统


[0001]本技术涉及晶体硅领域，具体而言，涉及一种制备氧化硅的反应装置及太阳电池生产系统。

技术介绍

[0002]硅晶体是当前半导体领域应用最广泛的材料，广泛应用于集成电路制造和太阳能电池制造。硅晶体表面所形成的氧化层
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氧化硅同样具有优异的性能，这一优势使得硅晶体能够得到更广泛的应用。硅的氧化层在集成电路制造领域，能够作为电介质绝缘层、离子注入阻挡层等；硅的氧化层在太阳能电池制造领域，能够作为表面缺陷钝化层、扩散阻挡层、腐蚀阻挡层等。因此，形成硅的氧化层是一项非常重要的工艺。
[0003]通常利用硅在高温下直接与氧气反应形成氧化硅，或者利用化学气相沉积法在硅表面沉积氧化硅。在太阳电池制造中，与氧气直接反应的工艺通常需要在石英炉管中进行高温氧化，氧化速率慢、工艺时间长、需要石英舟装载等特点；化学气相沉积法需要在低压环境且在等离子体状态下进行反应，其设备成本、气源材料成本以及工艺过程都比较复杂。
[0004]通过分析可知，目前制备氧化硅的工艺普遍存在着工艺周期长、制备本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制备氧化硅的反应装置，其特征在于，包括氧化腔室和用于为所述氧化腔室提供反应用水蒸气的蒸气发生机构，所述蒸气发生机构包括蒸气发生器和蒸气输送管路，所述蒸气输送管路的进料端与所述蒸气发生器的出口连通，所述蒸气输送管路的出料端伸入至所述氧化腔室内。2.根据权利要求1所述的反应装置，其特征在于，所述蒸气发生机构还包括载气输送管路和进水管路，所述载气输送管路和所述进水管路的出口均位于所述蒸气发生器内。3.根据权利要求2所述的反应装置，其特征在于，所述蒸气输送管路的外壁上包覆有加热套。4.根据权利要求2所述的反应装置，其特征在于，所述蒸气输送管路的出口连接有分布管路，所述分布管路沿所述氧化腔室的长度方向延伸，在所述分布管路上设置有多个蒸气分布口。5.根据权利要求1所述的反应装置，其特征在于，所述氧化腔室的一端侧壁上设置有晶体硅进口，相对的另一端侧壁上设置有晶体硅出口；所述氧化腔室内设置有晶体硅传送装置，以将晶体硅从所述晶体硅进口传送至所述晶体硅出口。6.根据权利要求5所述的反应装置，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈鹏，李晓强，张品，陈春峰，刘仁中，孙海知，
申请(专利权)人：杭州晶宝新能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：