即使是在具备两个处理炉的结构的情况下，也能够通过去除所需要的设备而谋求节省空间化。具备：处理基板的第1炉体和第2炉体；至少1个换热器，其冷却从第1炉体和第2炉体排出的制冷剂；至少1个排气鼓风机，其吸入从换热器排出的制冷剂并向下游侧送出；第1流路和第2流路，其将第1炉体和第2炉体、与至少1个换热器和至少1个排气鼓风机之间以制冷剂能够流通的方式分别连接；能够使开度可变的第1风门和第2风门，其分别设置在第1流路和第2流路的中途且比换热器靠上游侧的位置；以及控制器，其控制第1炉体和第2炉体的加热和冷却，第1流路和第2流路以在各自的至少一部分区间合流的方式构成。路以在各自的至少一部分区间合流的方式构成。路以在各自的至少一部分区间合流的方式构成。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置、半导体器件的制造方法以及程序
[0001]本公开涉及基板处理装置、半导体器件的制造方法以及程序。
技术介绍
[0002]作为基板处理装置的一个例子，存在半导体制造装置，而且，作为半导体制造装置的一个例子，公知有立式扩散
·
CVD(化学气相沉积：Chemical Vapor Deposition)装置。在该立式扩散
·
CVD装置中进行在加热下对半导体、玻璃等的基板实施处理的步骤。例如，将基板收容于立式的处理炉而供给反应气体并加热，使薄膜在基板上气相成长。在这种半导体制造装置中，进行如下步骤：冷却在成膜时或维护时成为高温的炉内温度，向装置主体外排出热。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2014
‑
209569号公报
[0006]专利文献2：日本特开2008
‑
205426号公报
[0007]专利文献3：日本特开2011
‑
066106号公报
技术实现思路
[0008]在上述的基板处理装置中，为了使因加热而成为高温的炉内温度在短时间内降低，具备散热器和排气鼓风机。另外，为了使生产率提高，存在使用具备两个处理炉的基板处理装置的情况，在具备两个处理炉的结构的情况下，有时针对每个处理炉分别设置散热器和排气鼓风机。
[0009]本公开的目的在于提供如下技术：即使是在具备两个处理炉的结构的情况下，也能够通过去除所需要的设备而谋求节省空间化。
[0010]根据本公开的一形态，提供如下技术：具备：
[0011]处理基板的第1炉体和第2炉体；
[0012]至少1个换热器，其冷却从所述第1炉体和所述第2炉体排出的制冷剂；
[0013]至少1个排气鼓风机，其吸入从所述换热器排出的所述制冷剂并向下游侧送出；
[0014]第1流路和第2流路，其将所述第1炉体和所述第2炉体、与所述至少1个换热器和所述至少1个排气鼓风机之间以所述制冷剂能够流通的方式分别连接；
[0015]能够使开度可变的第1风门和第2风门，其分别在设置所述第1流路和所述第2流路的中途且比所述换热器靠上游侧的位置；以及
[0016]控制器，其控制所述第1炉体和所述第2炉体的加热和冷却，
[0017]所述第1流路和第2流路以在各自的至少一部分区间合流的方式构成。
[0018]专利技术效果
[0019]根据本公开，即使是在具备两个处理炉的结构的情况下，也能够通过去除所需要的设备而谋求节省空间化。
附图说明
[0020]图1是概略地表示本公开的实施方式的基板处理装置的纵剖视图。
[0021]图2是概略地表示本公开的实施方式的基板处理装置的横剖视图。
[0022]图3是概略地表示本公开的实施方式的基板处理装置的纵剖视图。
[0023]图4是概略地表示本公开的实施方式的处理炉的纵剖视图。
[0024]图5是图4所示的处理炉的剖视图，(A)是A
‑
A线剖视图，(B)是B
‑
B线剖视图，(C)是C
‑
C线剖视图，(D)是D
‑
D线剖视图，(E)是E
‑
E线剖视图。
[0025]图6是表示流程图的图，该流程图表示本公开的实施方式的成膜处理中的与温度有关的处理的一个例子。
[0026]图7是表示图6所示的流程图中的炉内的温度变化的图。
[0027]图8是示意性地表示本公开的实施方式的基板处理装置中的控制器的构成、和控制器与基板处理装置之间的关系的图。
[0028]图9是用于说明本公开的实施方式的基板处理装置中的温度控制装置的构成的图。
[0029]图10的(A)～(C)是概略地表示本公开的实施方式的基板处理装置的变形例的图，(D)是概略地表示比较例的图。
具体实施方式
[0030]在本实施方式中，基板处理装置1构成为作为半导体器件(装置)的制造方法中的制造工序的一个工序而实施热处理等基板处理工序的立式基板处理装置。
[0031]如图1～图3所示，基板处理装置1具备相邻的两个处理模块3A、3B。处理模块3A由处理炉4A和暂时收容相对于处理炉4A内外搬入搬出的作为基板的晶片W的作为第1搬送室的装载室6A构成。处理模块3B由处理炉4B和暂时收容相对于处理炉4B内外搬入搬出的晶片W的作为第2搬送室的装载室6B构成。在处理炉4A、4B的下方分别配置有装载室6A、6B。以在装载室6A、6B的正面侧与装载室6A、6B相邻的方式配置有具备移载晶片W的移载机7的移载室8。在移载室8的正面侧连结有收纳盒(前开式晶片移载盒)5的收纳室9，该盒用于收纳多张晶片W。在收纳室9的上面或前面设置有加载部10，经由加载部10相对于基板处理装置1内外搬入搬出盒5。
[0032]在装载室6A、6B与移载室8之间的边界壁(相邻面)分别设置有闸阀13A、13B。在移载室8内和装载室6A、6B内分别设置有压力检测器，移载室8内的压力设定成比装载室6A、6B内的压力低。另外，在移载室8内和装载室6A、6B内分别设置有氧浓度检测器，移载室8内和装载室6A、6B内的氧浓度维持得比大气中的氧浓度低。如图1所示，在移载室8的顶部设置有向移载室8内供给清洁空气的清洁单元11，以使例如非活性气体作为清洁空气在移载室8内循环的方式构成。通过以非活性气体对移载室8内进行循环吹扫，能够将移载室8内设为清洁的气体环境。根据这样的结构，能够抑制装载室6A、6B内的微粒等混入移载室8内，能够在移载室8内和装载室6A、6B内抑制在晶片W上形成自然氧化膜。
[0033]晶片W向舟皿20A、20B的移载经由移载室8在装载室6A、6B中分别进行。装载室6A、6B内的压力设定成比基板处理装置1外的压力低。
[0034]使用于基板处理的气体由后述的气体供给系统向处理室24A、24B内供给。气体供
给系统所供给的气体根据要成膜的膜的种类切换。其中，气体供给系统包括原料气体供给部、反应气体供给部以及非活性气体供给部。气体供给系统收纳于供给箱17。此外，供给箱17针对处理模块3A、3B共同设置，因此，视作共同供给箱。
[0035]使用于基板处理的气体由后述的气体排气系统从处理室24A、24B内排出。气体排气系统收纳于排气箱18A、18B。
[0036]在处理炉4A、4B的炉内空间14A、14B分别连接有作为第1流路的管道50A和作为第2流路的管道50B。另外，管道50A与管道50B在下游侧合流，与作为第3流路的管道50C连接。换言之，管道50C是管道50A和管道50B的一部分且是这些管道50A和管道50B合流而供流动的部分。在管道50C上从上游侧起设置有作为换热器的散热器52、排气鼓风机54以及设备排气连接部55。散热器52使冷却炉内空间14A、14B而成为高温的气体的制冷剂在短时间内本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板处理装置，其具备：处理基板的第1炉体和第2炉体；至少1个换热器，其冷却从所述第1炉体和所述第2炉体排出的制冷剂；至少1个排气鼓风机，其吸入从所述换热器排出的所述制冷剂并向下游侧送出；第1流路和第2流路，其将所述第1炉体和所述第2炉体、与所述至少1个换热器和所述至少1个排气鼓风机之间以所述制冷剂能够流通的方式分别连接；能够使开度可变的第1风门和第2风门，其分别设置在所述第1流路和第2流路的中途且比所述换热器靠上游侧的位置；以及控制器，其控制所述第1炉体和所述第2炉体的加热和冷却，所述第1流路和第2流路以在各自的至少一部分区间合流的方式构成。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述控制器构成为能够以如下方式进行控制：调整所述第1风门和所述第2风门的开度，通过所述制冷剂以共同的规定的降温速率对不同温度的所述第1炉体和所述第2炉体并行地进行冷却。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述控制器构成为能够以如下方式进行控制：在所述第1炉体和所述第2炉体中，以不同的定时对所述基板进行热处理，调整所述第1风门和所述第2风门的开度，通过所述制冷剂以共同的规定的降温速率对不同温度的所述第1炉体和所述第2炉体并行地进行冷却。4.根据权利要求2或3所述的基板处理装置，其中，所述第1炉体和所述第2炉体分别具有：发热体，其以分成多个区域的方式设置于所述炉体的内侧；加热器温度传感器，其针对每个所述区域检测与所述炉体或所述发热体的温度相对应的温度；以及基板温度传感器，其针对每个所述区域检测与所述基板的温度相对应的温度，所述控制器构成为，能够针对每个所述区域，一边参照所述加热器温度传感器的检测温度一边控制所述发热体的发热量，以使所述基板温度传感器的检测温度遵照目标值，并且，在进行所述第1炉体和所述第2炉体的冷却之际，一边参照所述加热器温度传感器的检测温度一边调整所述开度，以使所述基板温度传感器的检测温度遵照以所述规定的降温速率下降的目标值。5.根据权利要求2或3所述的基板处理装置，其中，所述第1炉体和所述第2炉体分别具有：发热体，其设置于所述炉体的内侧；加热器温度传感器，其检测与所述炉体或者所述发热体的温度相对应的温度；以及基板温度传感器，其检测与所述基板的温度相对应的温度，所述控制器构成为，能够一边参照所述加热器温度传感器的检测温度一边控制所述发热体的发热量，以使所述基板温度传感器的检测温度遵照目标值，并且，在进行所述第1炉...
【专利技术属性】
技术研发人员：堀井明，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。