去除晶体表面氧化物的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种去除晶体表面氧化物的装置，该装置包括装置本体、固定件、打磨器组件和控制组件；所述固定件和所述打磨器组件均设置在所述装置本体上，并且通过所述固定件固定待加工样品；所述控制组件连接并驱动所述打磨器组件工作，并且所述控制组件用于调整所述打磨器组件相对于所述待加工样品的打磨位置。该装置通过控制组件驱动打磨器组件对待加工样品进行打磨，无需手工进行打磨，提高效率；并且还可以通过控制组件调整打磨器组件相对于待加工样品的打磨位置及打磨程度，确保打磨的全方位性及一致性。的全方位性及一致性。的全方位性及一致性。

【技术实现步骤摘要】
去除晶体表面氧化物的装置


[0001]本技术涉及半导体制备
，具体涉及一种去除晶体表面氧化物的装置。

技术介绍

[0002]砷化镓(GaAs)是一种重要的半导体材料，是目前III—V族化合物半导体中的领军材料，应用相当广泛。GaAs目前已经成为一种重要的微电子和光电子基础材料，广泛应用于移动通讯、光纤通讯、汽车电子、卫星通讯和全球定位系统等领域。
[0003]在GaAs的生产过程中需要对氧化晶体表面进行打磨，目前行业内的打磨是由手工进行的，效率较低；并且由于人工操作对于打磨的程度不受控制，打磨的好坏对于产品的品质有直接影响。

技术实现思路

[0004]本技术的主要目的在于提供一种去除晶体表面氧化物的装置，该装置通过控制组件驱动打磨器组件对待加工样品进行打磨，无需人工手工进行打磨，提高效率；并且还可以通过控制组件调整打磨器组件相对于待加工样品的打磨位置及打磨程度，确保打磨的全方位性及一致性，以解决传统加工中需要人工手工打磨，效率低下且影响打磨品质的技术问题。
[0005]为了实现上述目的，本技术提供了一种去除晶体表面氧化物的装置。
[0006]该去除晶体表面氧化物的装置包括装置本体、固定件、打磨器组件和控制组件；其中，
[0007]所述固定件和所述打磨器组件均设置在所述装置本体上，并且通过所述固定件固定待加工样品；
[0008]所述控制组件连接并驱动所述打磨器组件工作，并且所述控制组件用于调整所述打磨器组件相对于所述待加工样品的打磨位置。
[0009]进一步的，所述固定件包括相对设置的第一卡具和第二卡具，所述待加工样品卡接在所述第一卡具和第二卡具之间。
[0010]进一步的，所述打磨器组件包括转动轴以及安装在所述转动轴上的至少一个打磨器；所述转动轴安装在所述装置本体上，并且通过所述控制组件驱动所述转动轴的转动及控制其朝靠近或远离所述待加工样品的方向往复移动。
[0011]进一步的，所述固定件位于所述转动轴和所述装置本体之间。
[0012]进一步的，所述打磨器为砂轮。
[0013]进一步的，所述控制组件包括驱动电机和第一调控结构，所述驱动电机驱动所述转动轴转动；所述第一调控结构连接并控制所述转动轴朝靠近或远离所述待加工样品的方向移动。
[0014]进一步的，所述控制组件还包括第二调控结构，所述第二调控结构连接并调整所
述固定件相对于所述打磨器组件的位置。
[0015]进一步的，所述第一调控结构和所述第二调控结构均为调控把手。
[0016]进一步的，还包括用于收集打磨产生的垃圾的收集容器。
[0017]进一步的，还包括用于冲洗所述待加工样品的冲洗结构。
[0018]在本技术中，利用固定件将待加工样品固定在装置本体上，然后通过控制组件驱动打磨器组件对待加工样品进行打磨，无需人工手工进行打磨，提高效率；并且还可以通过控制组件调整打磨器组件相对于待加工样品的打磨位置及打磨程度，确保打磨的全方位性及一致性。
[0019]在本技术中，打磨器可以采用立式砂，选材容易，并且去除砷化镓晶体表面氧化物的装置整体投入和维护成本较低。
附图说明
[0020]通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本技术的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
[0021]图1为本技术的一种实施例中去除晶体表面氧化物的装置的俯视图；
[0022]图2为本技术的另一种实施例中去除晶体表面氧化物的装置的结构示意图。
[0023]图中：
[0024]1、装置本体；2、第一卡具；3、第二卡具；4、转动轴；5、打磨器；6、第一调控结构；7、第二调控结构；8、收集容器；9、冲洗结构；10、电源组件；11、待加工样品。
具体实施方式
[0025]下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
[0026]本技术公开了一种去除晶体表面氧化物的装置，如图1和图2所示，该去除晶体表面氧化物的装置包括装置本体1、固定件、打磨器组件和控制组件；其中，固定件和打磨器组件均设置在装置本体1上，并且通过固定件固定待加工样品11；控制组件连接并驱动打磨器组件工作，并且通过控制组件调整打磨器组件相对于待加工样品11的打磨位置。
[0027]在上述实施例中，固定件用于固定待加工样品11，打磨器组件用于对待加工样品11进行打磨，并且通过控制组件驱动打磨器组件工作，以及通过控制组件调整打磨器组件相对于待加工样品11的打磨位置，从而确保待加工样品11打磨的一致性。
[0028]作为本技术的另一种实施例，固定件包括相对设置的第一卡具2和第二卡具3，如图1所示，待加工样品11卡接在第一卡具2和第二卡具3之间，稳定性强。
[0029]作为本技术的另一种实施例，打磨器组件包括转动轴4以及安装在转动轴4上的至少一个打磨器5，如图1所示，转动轴4安装在装置本体1上，并且通过控制组件驱动转动轴4的转动及控制转动轴4朝靠近或远离待加工样品11的方向往复移动，从而带动打磨器5对待加工样品11进行打磨。
[0030]作为本技术的另一种实施例，固定件位于转动轴4和装置本体1之间，即转动轴4位于固定件的上方，待加工样品11的打磨面与设置在转动轴4上的打磨器5相对且配合。
[0031]作为本技术的另一种实施例，转动轴4的轴线方向与第一卡具2和第二卡具3的连接线方向一致，如图1所示。
[0032]作为本技术的另一种实施例，打磨器5为砂轮。
[0033]在本技术中，可以根据实际需要灵活选择合适规格的砂轮以及砂轮的数量，如可以选择粗砂轮对待加工样品11进行粗打磨，也可以选择细砂轮对待加工样品11进行细打磨，不作具体限定。
[0034]作为本技术的另一种实施例，控制组件包括驱动电机(未图示)和第一调控结构6，驱动电机驱动转动轴4转动；如图1所示，第一调控结构6连接并控制转动轴4，使其朝靠近或远离待加工样品11的方向移动，从而对待加工样品11进行全方面的打磨，从而确保待加工样品11打磨的一致性。
[0035]作为本技术的另一种实施例，控制组件还包括第二调控结构7，如图1所示，第二调控结构7连接并调整第一卡具2和第二卡具3相对于打磨器组件的位置，使得固定在第一卡具2和第二卡具3上的待加工样品11与打磨器5对准且配合度高。
[0036]作为本技术的另一种实施例，第一调控结构6和第二调控结构7均为调控把手。
[0037]当然，第一调控结构6和第二本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种去除晶体表面氧化物的装置，其特征在于，包括装置本体、固定件、打磨器组件和控制组件；其中，所述固定件和所述打磨器组件均设置在所述装置本体上，并且通过所述固定件固定待加工样品；所述控制组件连接并驱动所述打磨器组件工作，并且所述控制组件用于调整所述打磨器组件相对于所述待加工样品的打磨位置。2.根据权利要求1所述的去除晶体表面氧化物的装置，其特征在于，所述固定件包括相对设置的第一卡具和第二卡具，所述待加工样品卡接在所述第一卡具和第二卡具之间。3.根据权利要求1或2所述的去除晶体表面氧化物的装置，其特征在于，所述打磨器组件包括转动轴以及安装在所述转动轴上的至少一个打磨器；所述转动轴安装在所述装置本体上，并且通过所述控制组件驱动所述转动轴的转动及控制其朝靠近或远离所述待加工样品的方向往复移动。4.根据权利要求3所述的去除晶体表面氧化物的装置，其特征在于，所述固定件位于所述转动轴和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟杰，赵静敏，袁泽海，赵邦超，周晓霞，董娓，
申请(专利权)人：有研光电新材料有限责任公司，
类型：新型
国别省市：