一种提高SiC单晶生长稳定性及制备效率的坩埚结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种提高SiC单晶生长稳定性及制备效率的坩埚结构，其特征在于，包括：石墨坩埚、石墨上盖、旋转轴和螺纹配合，其中，石墨坩埚的上部与石墨上盖通过石墨坩埚内壁上设置的所述螺纹进行连接，旋转轴位于石墨上盖的上部且为中空结构，中空的腔体形成测温孔，旋转轴与石墨上盖的上表面固定连接，用于通过旋转轴带动石墨上盖与石墨坩埚发生相对转动，从而使坩埚上盖相对石墨坩埚向上移动，保持籽晶的下表面与粉料的间距保持不变，本实用新型专利技术的坩埚结构，实现了在生长过程中保持原料与籽晶距离的稳定，提高了SiC单晶生长的稳定性，同时规避了传统坩埚结构无法实现厚单晶制备的缺陷，大幅提高SiC单晶制备效率。

【技术实现步骤摘要】
一种提高SiC单晶生长稳定性及制备效率的坩埚结构
本技术属于晶体生长领域，涉及一种制备SiC单晶的坩埚结构，具体涉及一种提高SiC单晶生长稳定性及制备效率的坩埚结构。
技术介绍
作为第三代宽带隙半导体材料的一员，相对于常见Si和GaAs等半导体材料，碳化硅材料具有禁带宽度大、载流子饱和迁移速度高，热导率高、临界击穿场强高等诸多优异的性质。基于这些优良的特性，碳化硅材料是制备高温电子器件、高频、大功率器件更为理想的材料。特别是在极端条件和恶劣条件下应用时，SiC器件的特性远远超过了Si器件和GaAs器件。同时SiC另一种宽禁带半导体材料GaN最好的衬底材料，使用SiC衬底制备的GaN基白光LED发光效率远高于传统的Si及蓝宝石衬底。目前，现有技术中，关于碳化硅单晶制备存在下述的申请，公开号为CN102308031A的专利技术公开了碳化硅单晶制造用坩埚、以及碳化硅单晶的制造装置和制造方法，其应用于晶体生长领域，并且其结构为坩埚结构，具体的机构中，公开了坩埚、安装有籽晶的坩埚盖、螺纹部以及绝热件，所述坩埚容器内的碳化硅原料升华，对籽晶上供给碳化硅的升华气体，在该籽晶上使碳化硅单晶生长，并设本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高SiC单晶生长稳定性及制备效率的坩埚结构，其特征在于，包括：石墨坩埚（1）、石墨上盖（2）、旋转轴（3）、螺纹（4）、测温孔（5）、石墨保温层（6）、籽晶（7）以及粉料（8），其中，所述的石墨坩埚（1）的上部与石墨上盖（2）通过所述石墨坩埚（1）内壁上设置的所述螺纹（4）进行连接；所述石墨坩埚（1）的底面和侧面被石墨保温层（6）覆盖，所述的石墨上盖（2）下表面固定有所述籽晶（7），所述粉料（8）位于石墨坩埚1底部；所述旋转轴（3）位于所述石墨上盖（2）的上部，所述旋转轴（3）为中空结构，中空的腔体形成所述的测温孔（5），所述旋转轴(3)与所述石墨上盖(2)的上表面固定连接，用于通过旋转...

【技术特征摘要】
1.一种提高SiC单晶生长稳定性及制备效率的坩埚结构，其特征在于，包括：石墨坩埚（1）、石墨上盖（2）、旋转轴（3）、螺纹（4）、测温孔（5）、石墨保温层（6）、籽晶（7）以及粉料（8），其中，所述的石墨坩埚（1）的上部与石墨上盖（2）通过所述石墨坩埚（1）内壁上设置的所述螺纹（4）进行连接；所述石墨坩埚（1）的底面和侧面被石墨保温层（6）覆盖，所述的石墨上盖（2）下表面固定有所述籽晶（7），所述粉料（8）位于石墨坩埚1底部；所述旋转轴（3）位于所述石墨上盖（2）的上部，所述旋转轴（3）为中空结构，中空的腔体形成所述的测温孔（5），所述旋转轴(3)与所述石墨上盖(2)的上表面固定连接，用于通过旋转轴(3)带动石墨上盖(2)与石墨坩埚(1)发生相对转动，从而使坩埚上盖(2)相对石墨坩埚(1)向上移动，保持籽晶(7)的下表面与粉料(8)的间距保持不变。2.根据权利要求1所述的提高SiC单晶生长稳定性及制备效率的坩埚结构，其特征在于，所述石墨坩埚（1）的上部设有石墨保温层（6），所述旋转轴（3...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨昆，高宇，郑清超，
申请(专利权)人：河北同光晶体有限公司，
类型：新型
国别省市：河北,13