SiC单晶及其制造方法技术

本发明专利技术涉及SiC单晶及其制造方法。提供不含多晶、除侧面端部外不含裂纹的SiC单晶。SiC单晶的制造方法，其是使保持于晶种保持轴(12)下端面的晶种基板(14)与配置在坩埚(10)内的具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液(24)接触从而使SiC单晶晶体生长的SiC单晶的制造方法，其中，晶种保持轴(12)的端面的外形小于晶种基板(14)的顶面的外形，晶种基板(14)的顶面具有与晶种保持轴(12)的下端面的整个面相接而被保持的中央部(15)、和不与晶种保持轴(12)的下端面相接的外周部(16)，该方法包括：在晶种基板(14)的顶面配置碳片材(30)，使得覆盖中央部(15)和外周部(16)中的至少外周部(16)。

SiC single crystal and manufacturing method thereof

The present invention relates to SiC single crystals and methods of making the same. A SiC single crystal without polysilicon and without cracks at the side ends is provided. Manufacturing method of SiC single crystal, which is to keep the seed to keep the shaft (12) crystal substrate surface (14) and (10) Si configuration in the crucible C solution with the temperature gradient decreases from inside to the surface temperature of the (24) method for producing SiC single crystal contact so that the SiC single crystal growth, crystal axis (12) surface shape is less than a seed crystal substrate (14) of the top surface of the crystal shape, the top surface of the substrate (14) with crystal axis (12) of the entire surface of the lower end connected with the central ministry and be maintained (15), and keep the seed shaft (12) the end connected with the peripheral part (16), the method includes: a seed crystal substrate (14) is arranged on the upper surface of the carbon sheet (30), so as to cover the central portion (15) and peripheral part (16) in the peripheral part (at least 16).

【技术实现步骤摘要】
SiC单晶及其制造方法
本公开涉及SiC单晶及其制造方法。
技术介绍
SiC单晶在热学、化学方面非常稳定、机械强度优异、耐放射线方面强，而且与Si单晶相比具有高的绝缘击穿电压、高的热导率等优异的物理性质。因此，可实现Si单晶和GaAs单晶等现有半导体材料不能实现的高输出、高频、耐电压、耐环境性等，作为可进行大电力控制和节能的功率器件材料、高速大容量信息通信用器件材料、车载用高温器件材料、耐放射线器件材料等这样宽范围的新一代半导体材料的期待正在高涨。以往，作为SiC单晶的生长方法，代表性的已知有气相法、艾奇逊(Acheson)法和溶液法。在气相法中，例如在升华法中，虽然具有在生长的单晶中易于产生被称作微管缺陷的中空贯穿状的缺陷、层叠缺陷等晶格缺陷和多晶型等的缺点，但在以往，SiC块状单晶大多通过升华法制造，也进行了减少生长晶体的缺陷的尝试。在艾奇逊法中，由于使用硅石和焦炭作为原料并在电炉中进行加热，因此，因原料中的杂质等而不可能得到结晶性高的单晶。而且，溶液法为如下方法：在石墨坩埚中形成Si熔液或熔化了Si以外的金属的Si熔液，使C溶解到该熔液中，使SiC晶体层在设置于低温部的晶种基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
SiC单晶的制造方法，其是使保持于晶种保持轴的下端面的晶种基板与配置在坩埚内的具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触从而使SiC单晶晶体生长的SiC单晶的制造方法，其中，所述晶种基板的顶面具有与所述晶种保持轴的所述下端面的整个面相接而被保持的中央部、和不与所述晶种保持轴的所述下端面相接的外周部，该制造方法包括：在所述晶种基板的所述顶面配置碳片材，使得覆盖所述中央部和所述外周部中的至少所述外周部。

【技术特征摘要】
2015.12.15 JP 2015-2442331.SiC单晶的制造方法，其是使保持于晶种保持轴的下端面的晶种基板与配置在坩埚内的具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si-C溶液接触从而使SiC单晶晶体生长的SiC单晶的制造方法，其中，所述晶种基板的顶面具有与所述晶种保持轴的所述下端面的整个面相接而被保持的中央部、和不与所述晶种保持轴的所述下端面相接的外周部，该制造方法包括：在所述晶种基板的所述顶面配置碳片材，使得覆盖所述中央部和所述外周部中的至少所述外周部。2.权利要求1所述的SiC单晶的制造方法，其中，所述碳片材具有与所述晶种基板的所述顶面的外形相同的外形或大于所述晶种基板的所述顶面的外形的外形，该制造方法包括：在所述晶种基板的所述顶面配置所述碳片材，使得覆盖所述晶种基板的所述顶面的所述中央部及所述外周部的全部，和使配置有所述碳片材的所述晶种基板的所述中央部保持于所述晶种保持轴的所述下端面。3.权利要求1所述的SiC单晶的制造方法，其中，所述碳片材具有与所述晶体生长的Si...

【专利技术属性】
技术研发人员：旦野克典，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP