SiC单晶的制造方法技术

本发明专利技术提供一种SiC单晶的制造方法，即使在籽晶接触后改变Si-C溶液的温度，也能够抑制多晶的产生。一种SiC单晶的制造方法，其使被晶种保持轴(12)保持的SiC晶种基板(14)与具有温度从内部向表面降低的温度梯度的Si-C溶液(24)接触，使SiC单晶成长，其具备：(A)使Si-C溶液(24)为第一温度的工序；(B)使被晶种保持轴(12)保持的晶种基板(14)与Si-C溶液(24)接触的工序；(C)在使晶种基板(14)与Si-C溶液(24)接触后，使Si-C溶液(24)为第二温度的工序；以及(D)根据从第一温度至第二温度时的Si-C溶液(24)的液面高度的变化，使被晶种保持轴(12)保持的晶种基板(14)在上下方向上移动的工序。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种SiC单晶的制造方法，其使被晶种保持轴保持的SiC晶种基板与具有温度从内部向表面降低的温度梯度的Si‑C溶液接触，使SiC单晶成长，其具备：(A)使所述Si‑C溶液为第一温度的工序；(B)使被所述晶种保持轴保持的所述晶种基板与所述Si‑C溶液接触的工序；(C)在使所述晶种基板与所述Si‑C溶液接触后，使所述Si‑C溶液为第二温度的工序；以及(D)根据从所述第一温度至所述第二温度时的所述Si‑C溶液的液面高度的变化，使被所述晶种保持轴保持的所述晶种基板在上下方向上移动的工序。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：旦野克典，楠一彦，龟井一人，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社，新日铁住金株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP