区熔石墨舟制造技术

本发明专利技术涉及一种区熔石墨舟，具有石墨舟本体（1），开设在石墨舟本体（1）内部的凹槽（2），所述石墨舟本体（1）中还具有杂质凹槽（3），凹槽（2）与杂质凹槽（3）之间由隔块（4）间隔开。本发明专利技术采用两段设计，能够对杂质流动有较好的导向性；具有单独的杂质储存区域，提高提纯效率。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种区熔石墨舟，具有石墨舟本体（1），开设在石墨舟本体（1）内部的凹槽（2），所述石墨舟本体（1）中还具有杂质凹槽（3），凹槽（2）与杂质凹槽（3）之间由隔块（4）间隔开。本专利技术采用两段设计，能够对杂质流动有较好的导向性；具有单独的杂质储存区域，提高提纯效率。【专利说明】区熔石墨舟
本专利技术涉及一种石墨舟，特别涉及一种区熔石墨舟。
技术介绍
区熔法是一种利用局部区域熔化后，通过熔区的运动进行提纯的方法，它是一种制备高纯单晶的方法，广泛应用于硅锗等单晶的制备。区熔法主要可分为水平区熔法和悬浮区熔法两种，两种方法生产工艺不同。物质的固相和液相在密度差的驱动下，均会发生运动，因而可通过区域熔炼控制或者重新分配存在于原料纸的可溶性杂质。同时区熔法可有效消除分凝效应，也可将所期望的杂质均匀掺入晶体中，并在一定程度上控制盒消除位错、包裹体等结构缺陷。区熔法是利用热能在半导体棒料的一端产生一熔区，再熔接单晶籽晶。调节温度使熔区缓慢地向棒的另一端移动，通过整根棒料，生长成一根单晶，晶向与籽晶晶向相同。区熔法适宜生长那些在熔点温度时具有非常强的溶解能力的材料，可生长熔点极高或活性较强的材料。区熔法主要分为两种，即水平区熔法和悬浮区熔法。水平区熔提纯是只把材料锭的一部分熔化形成熔区，并使熔区从锭条的一端移动另一端。因为每次熔化的仅是锭条的一部分，当熔区第二次在锭首时，由于杂质浓度较高的尾部没被熔化，所以小熔区中的杂质浓度一定比原来锭的杂质浓度要小，熔区移动后，新凝固的固相杂质浓度要比第一次小。这样当熔区一次次通过锭条时，材料就能逐渐被提纯，使中间部分纯度达到要求的程度。生产中，锗锭放在一个清洁处理过的高纯区熔石墨舟中，舟放入石英管中，区熔时，石英管内填充氢气或其他惰性气体保护或者抽真空，防止锗在高温时被氧化。现有区熔石墨舟为整体结构，杂质的流动仅仅靠区熔过程中产生的动力，影响到提纯的质量，无杂质储存的区域，不易区分杂质。
技术实现思路
本专利技术的目的是解决上`述不足，提供一种杂质流动具有更好的导向性，且具有存放杂质的区域的，区熔石墨舟。实现本专利技术目的的技术方案是:一种区溶石墨舟，具有石墨舟本体，开设在石墨舟本体内部的凹槽，所述石墨舟本体中还具有杂质凹槽，凹槽与杂质凹槽之间由隔块间隔开。上述的区熔石墨舟，所述杂质凹槽与凹槽的接触面为梯形结构，另一端即尾端为半圆形。上述的区熔石墨舟，所述杂质凹槽的深度为凹槽深度的60%。上述的区熔石墨舟，所述杂质凹槽与凹槽的长度比为1:7。上述的区熔石墨舟，所述隔块(为轴截面为梯形的隔块。本专利技术具有积极的效果:(I)采用两段设计，能够对杂质流动有较好的导向性；(2)具有单独的杂质储存区域，提闻提纯效率。【专利附图】【附图说明】为了使本专利技术的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本专利技术作进一步详细的说明，其中图1为本专利技术的结构示意图的俯视图；图2为本专利技术的剖面示意图。其中1石墨舟本体，2凹槽，3杂质凹槽，4隔块。【具体实施方式】见图1，本专利技术具有石墨舟本体1，开设在石墨舟本体1内部的凹槽2，凹槽2两个顶端间的长度为405mm，深度为36mm ;石墨舟本体I中还具有杂质凹槽3，凹槽3的长度为57mm,深度为21.6mm,凹槽2与杂质凹槽3之间由隔块4间隔开，隔块4的轴截面为梯形，杂质凹槽3与凹槽2的接触面为梯形，另一端即尾端为半圆形。以上所述的具体实施例，对本专利技术的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本专利技术的具体实施例而已，并不用于限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。【权利要求】1.一种区熔石墨舟，具有石墨舟本体(1)，开设在石墨舟本体(1)内部的凹槽(2 )，其特征在于:所述石墨舟本体(1)中还具有杂质凹槽(3)，凹槽(2)与杂质凹槽(3)之间由隔块(4)间隔开。2.根据权利要求1所述的区熔石墨舟，其特征在于:所述杂质凹槽(3)与凹槽(2)的接触面为梯形，另一端即尾端为半圆形。3.根据权利要求1所述的区熔石墨舟，其特征在于:所述杂质凹槽(3)的深度为凹槽(2)深度的60%。4.根据权利要求1所述的区熔石墨舟，其特征在于:所述杂质凹槽(3)与凹槽(2)的长度比为1:7。5.根据权利要求1所述的区熔石墨舟，其特征在于:所述隔块(4)的轴截面为梯形的隔块。【文档编号】C30B13/14GK103668428SQ201210362789【公开日】2014年3月26日 申请日期:2012年9月25日 优先权日:2012年9月25日 【专利技术者】吴建洪 申请人:常州市立新石墨有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种区熔石墨舟，具有石墨舟本体（1），开设在石墨舟本体（1）内部的凹槽（2），其特征在于：所述石墨舟本体（1）中还具有杂质凹槽（3），凹槽（2）与杂质凹槽（3）之间由隔块（4）间隔开。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴建洪，
申请(专利权)人：常州市立新石墨有限公司，
类型：发明
国别省市：