【技术实现步骤摘要】
本技术属半导体材料制备设备领域，特别涉及一种VGF法 砷化镓单晶用脱舟器。
技术介绍
在VGF法砷化镓单晶生长过程中，常使用热解氮化硼坩埚(PBN 柑埚)做生长容器，氧化硼作液封剂，以避免砷化镓单晶分解。通常， 氧化硼在氮化硼坩埚和砷化镓晶体(GaAs晶体)之间形成一层厚度 几微米 几十微米的薄膜，如图l所示。 一般采用甲醇、乙醇等化学 溶剂，通过浸泡的方法，慢慢溶解氧化硼薄膜。由于氧化硼薄膜处于 坩埚壁和晶体之间，厚度很小，溶解只能依靠扩散机制进行，速度慢， 所需时间很长， 一般为7 10天，才能将氧化硼薄膜完全溶解，使PBN 坩埚，GaAs晶体分离，俗称"脱舟"。如图2所示，采用喷射甲醇等化学溶剂的方法，利用流动的化学 试剂不断冲击氧化硼薄层，可加速氧化硼的溶解，从而縮短脱舟时间。
技术实现思路
本技术的目的为了解决
技术介绍
中利用流动的化学试剂不 断冲击氧化硼薄层，加速氧化硼的溶解，提供一种VGF法砷化镓单 晶用脱舟器，其特征在于，所述VGF法砷化镓单晶用脱舟器的主体 为长方形箱体，脱舟器箱体5的一个端面上焊接一排3~5个喷射管8,喷射管8呈半圆状排列，其半圆弧向下...
【技术保护点】
一种ＶＧＦ法砷化镓单晶用脱舟器，其特征在于，所述ＶＧＦ法砷化镓单晶用脱舟器的主体为长方形箱体，脱舟器箱体（５）的一个端面上焊接一排３～５个喷射管（８），喷射管（８）呈半圆状排列，其半圆弧向下，喷射管（８）穿过脱舟器箱体壁，喷射管（８）在脱舟器箱体外的一端焊接在以半圆弧形的进液管（６）上，进液管（６）的一端封闭，另一端为进液口（１０）和磁力泵的液体出口连接，喷射管（８）在脱舟器箱体内的另一端为喷射口（９），喷射口（９）在脱舟器箱体内排列成半圆，喷射管（８）在脱舟器箱体（５）内的长度为０．８～１．２厘米，出液管（７）焊接在脱舟器箱体壁的底部。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：屠海令，苏小平，张峰燚，杨海，黎建明，丁国强，
申请(专利权)人：北京有色金属研究总院，北京国晶辉红外光学科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：11[中国|北京]
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